ICS 77.040 CCS H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T24582—2023 代替GB/T24582—2009 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline siliconAcid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T245822023 前言 起草。 本文件代替GB/T24582一2009《酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质》，与 GB/T24582一2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a) 更改了适用范围（见第1章，2009年版的第1章）； c) 更改了方法原理（见第4章，2009年版的第4章）； (P 更改了干扰因素（见第5章，2009年版的第5章）； e) 更改了试剂和材料（见第6章，2009年版的第6章）； f) 更改了仪器设备（见第7章，2009年版的第7章） 更改了样品要求（见第8章，2009年版的第8章）； h) 更改了多晶硅块表面金属杂质浸取方式（见9.4，2009年版的9.2） i) 更改了试验数据处理（见第10章，2009年版的第10章）； j) 更改了精密度（见第11章，2009年版的第11章）； k) 更改了试验报告（见第12章，2009年版的第12章）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任， 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本文件起草单位：亚洲硅业（青海）股份有限公司、内蒙古通威高纯晶硅有限公司、宜昌南玻硅材料 有限公司、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、陕 司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、江苏鑫华平导体科技股份有限公司、新疆协鑫新能源材料 科技有限公司。 本文件主要起草人：尹东林、郑连基、刘军、魏东亮、蔡延国、李素青、侯海波、田洪先、刘文明、 薛心禄、王彬、于生海、徐岩、曹岩德、姜士兵、邱艳梅、赵培芝、万首正、赵娟龙、申梅桂、刘海月、王春明。 本文件于2009年首次发布，本次为第一次修订。 GB/T24582—2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 警示一一使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验。本文件并未指出所有可能的安全问 题，使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法律规定的条件。 1范围 本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面 金属杂质含量的方法。 本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、 钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01ng/g。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 本文件。 GB/T11446.1电子级水 GB/T25915.1一2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级 3术语和定义 本文件没有需要界定的术语和定义。 4方法原理 试料在硝酸、氢氟酸、去离子水的混合液中浸取一定的时间后，通过进样系统将浸取液送进高温等 离子体源中，并在高温矩管中蒸发、离解、原子化和电离，绝大多数金属离子成为单价离子，这些离子通 过锥接口进入质量分析器后，根据质荷比的不同依次分开。在电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）上测定 待分析金属元素的含量。 5干扰因素 5.1取样应在洁净室内进行，并确认取样夹子以及样品收纳袋等无污染，如需异地取样，应将样品密封 在双层袋中，并保证传递过程中无破损。取样过程中避免样品沾污。 5.2测试前应确认测试设备的稳定性，测试室环境的洁净度应满足GB/T25915.1一2021中ISO6级 的要求。测试过程中，操作人员应注意操作过程造成的影响，以免影响测试结果。 5.3测试所用器血避免沾污，使用前用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）进行检测，确定器皿洁净后方 可使用。 5.4样品应具有代表性，由于表面污染物不能均勾分布在表面，选择的样品尺寸和数量应能代表一批 1 GB/T24582—2023 样品，如果样品尺寸太小或数量不够，则无法代表该批样品，导致平行样品偏差过大。 5.5如果样品中杂质含量高，应对检测曲线进行调整，必要时也可对样品进行稀释后检测，以免造成仪 器被污染，影响仪器的检出限和精密度。 5.6双原子离子、多原子离子、基体效应、背景噪声、元素间的干扰、交叉污染和仪器漂移等因素会影响 测试结果。 6试剂和材料 6.1去离子水：GB/T11446.1中描述的EW-I型或其他品质相当的去离子水。 6.2硝酸（p=1.42g/mL）：待测金属杂质含量均低于10μg/L。 6.3氢氟酸（o=1.19g/mL）：待测金属杂质含量均低于10μg/L。 6.4浸取液：硝酸、氢氟酸、水的体积比为1：1：10。 6.5样品瓶和夹子：样品瓶带盖，夹子为聚四氟乙烯(PTFE)材料或全氟烷氧基树脂（PFA)等不被氢氟 酸腐蚀并能清洗的聚合物材料制成。 7 仪器设备 7.1ICP-MS：带动态反应池的电感耦合等离子体质谱仪，质量分辨率低于0.8amu 7.2分析天平：分度值为0.001g。 7.3耐酸腐蚀的电热板。 8样品 样品质量约20g~360g。仲裁时，尺寸范围为（3cm×3cm×1cm）~～（3cm×3cmX3cm），至少 取6块平行样品，3块带表皮，3块不带表皮，单个样品质量约120g。 试验步骤 6 9.11 仪器设备准备工作 打开通风系统，调节检测所需气体流量以及冷却水循环系统压力，进行仪器开机预热准备，使其满 足仪器正常工作的要求。在测试前电感耦合等离子质谱仪需要选择相应的检测模式，并进行调谐，以达 到最佳测试条件。 9.2 2平行试验 至少做2份平行试验。 9.3空白试验 随同试样做空白试验。 9.4 样品表面金属杂质浸取 9.4.1按照洁净室操作规程打开样品袋，将样品转到聚四氟乙烯（PTFE)或全氟烷氧基树脂（PFA）瓶 中并称重，精确至0.01g，向每个样品瓶中加入适量的浸取液没过样品 9.4.2将样品瓶放在通风橱中，置于70℃加热板上加热30min，该样品溶液用于表面金属杂质含量的测试。 2 GB/T24582—2023 9.5工作曲线的绘制 9.5.1根据被测定元素的浓度范围，配制不同浓度的标准系列溶液，制备的标准溶液浓度范围应接近 于估计的待分析元素的浓度。 9.5.2在与样品溶液测定相同的条件下，测量标准溶液系列的离子计数值（cps），以待测元素浓度为横 坐标，离子计数值（c力s）为纵坐标，绘制工作曲线或计算回归方程。 9.6测定 使用ICP-MS依次检测浸取空白溶液、样品溶液的离子计数值（cps），从工作曲线上查出相应的待 测元素的浓度。 10试验数据处理 10.1 当酸浸取液以质量进行计算时，多晶硅表面金属含量以质量浓度（M）计，按公式（1）计算。 M=(I-B)XA/m :(1) 式中： M 多晶硅表面待测元素的质量浓度，单位为纳克每克（ng/g)； 1 样品溶液中待测元素的质量浓度，单位为纳克每克（ng/g）； B 空白溶液中待测元素的质量浓度，单位为纳克每克（ng/g）； A 酸浸取液质量，单位为克（g）； 多晶硅样品质量，单位为克（g）。 m 10.2 当酸浸取液以体积进行计算时，多晶硅表面金属含量以质量浓度（Mv）计，按公式（2）计算。 Mv=(-K)×V/m .(2) 式中： Mv 多晶硅表面待测元素的质量浓度，单位为纳克每克（ng/g）； 样品溶液中待测元素的体积浓度，单位为纳克每毫升（ng/mL）； K 空白溶液待测元素的体积浓度，单位为纳克每毫升（ng/mL）； V 一酸浸取液体积，单位为毫升（mL）； m 多晶硅样品质量，单位为克（g）。 11 精密度 11.19家实验室分别对太阳能级多晶硅进行了测定，实验室内相对标准偏差（RSD）和实验室间相对 标准偏差(RSD)见表1。 表 1 元素 Na Mg A1 K Ca Cr Fe Ni Cu Zn 实验室内RSD 5 4 4 8 6 5 8 16 7 9 % 实验室间RSD 16 7 7 11 18 7 18 20 16 12 % 11.2 3 GB/T24582—2023 准偏差（RSD)见表2。 表2 元素 Na Mg Al K Ca Cr Fe IN Cu Zn 实验室内RSD 15 11 6 11 10 11 17 20 16 % 实验室间RSD 23 18 8 17 20 23 16 20 24 28 % 12 试验报告 试验报告应包含以下内容： a) 样品信息； b) 本文件编号； 测试环境； c) 仪器型号； d) e) 分析结果及其表示； f) 测试日期、测试者、审核者； g) 其他。 4 GB/T24582—2023 准偏差（RSD)见表2。 表2 元素 Na Mg Al K Ca Cr Fe IN Cu Zn 实验室内RSD 15 11 6 11 10 11 17 20 16 % 实验