ICS 29.045 CCS H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T 41652—2022 刻蚀机用硅电极及硅环 Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine 2022-07-11发布 2023-02-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T41652—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任， 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、新美光（苏州）半导 体科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司。 本文件主要起草人：库黎明、孙燕、闫志瑞、张果虎、夏秋良、潘金平。 GB/T41652—2022 刻蚀机用硅电极及硅环 1范围 本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随 行文件以及订货单内容 本文件适用于p<100>直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200mm~450mm的硅电极及硅环 2规范性引用文件 2 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 3术语和定义 3 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 平面度 flatness 硅电极或硅环厚度的最大值与最小值之间的差值。 4技术要求 4.1电学参数 硅电极及硅环的电学参数应符合表1的规定 1 GB/T 41652—2022 表1电学参数 电阻率 导电类型（掺杂剂） 径向电阻率变化 a·cm ≤0.02 p(B) 1~5 ≤10% 65~85 4.2 2几何尺寸 硅电极及硅环的几何尺寸应符合表2的规定，如有特殊要求由供需双方协商确定。 表2几何尺寸 几何尺寸 项目 硅电极 硅环 直径”及允许偏差 （200mm~450mm）土0.2mm，具体直径根据刻蚀机型号确定 厚度允许偏差 ±0.1 mm 平面度 ≤20 μm 定位孔直径允许偏差 ±0.1 mm 硅电极的直径倒角和硅环的内外径倒角通常为R型， 倒角 长度及允许偏差为0.3mm±0.1mm 微孔倒角形状及长度由供需双方协商确定 微孔直径及允许偏差 0.5mm±0.1mm +g2mm 内径允许偏差 同心度 ≤0.1 mm 垂直度 <0.1 mm 硅环的直径指外径。 b定位孔的倒角为保护性倒角，其倒角形状、长度无具体要求。 4.3 晶向及晶向偏离度 硅电极及硅环的晶向为<100>，晶向偏离度应不大于1° 4.4 氧含量 硅电极及硅环的间隙氧含量应不大于1.2×1018cm=3（以原子数计，即24ppma），或由供需双方协 商确定。 4.5碳含量 硅电极及硅环的代位碳含量应不大于5×1016cm-3（以原子数计，即1ppma），或由供需双方协商 2 GB/T416522022 确定。 4.6晶体缺陷 硅电极及硅环应无位错、滑移缺陷、可见孔洞。 4.7表面粗糙度 硅电极及硅环的表面粗糙度（Ra）应不大于0.2μm，或由供需双方协商确定 4.8 8表面质量 硅电极及硅环的表面及端面（包括倒角面）为抛光面，表面应无划伤、沾污、崩边和色差，定位孔应无 油污。 5 5试验方法 5.1电学参数测试 5.1.1硅电极及硅环导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。 5.1.2硅电极及硅环电阻率的测试按GB/T1551中直排四探针法的规定进行。 方法进行。 5.2 2几何尺寸测试 硅电极及硅环几何尺寸的测试用合适精度的测试设备进行，平面度测量还可用高度仪进行，倒角长 度测量还可用带刻度的放大镜进行。 5.3 晶向及晶向偏离度测试 硅电极及硅环晶向及晶向偏离度的测试按GB/T1555的规定进行。 5.4氧含量测试 硅电极及硅环间隙氧含量的测试按GB/T1557的规定进行 5.5碳含量测试 硅电极及硅环代位碳含量的测试按GB/T1558的规定进行。 5.6 晶体缺陷测试 硅电极及硅环晶体缺陷的测试按GB/T1554的规定进行。 5.7 表面粗糙度测试 硅电极及硅环表面粗糙度的测试按GB/T29505的规定进行。 5.8 3表面质量测试 硅电极及硅环表面质量的测试按GB/T6624的规定在强光灯下目视进行。 3