ICS 31.080.30 CCS L 44 团体 标准 T/CASAS 015—2025 代替T/CASAS 015 —2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET ）功率循环试验方法 Power cycling test method for silicon carbide metal -oxide- semiconductor field -effect-transistor （SiC MOSFET ） 2025 - 12 - 30发布 2025 - 12 - 30实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 全国团体标准信息平台 T/CASAS 015 —2025 I 目次 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ...... II 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... III 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ ...................... 1 4 原理 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 2 5 试验条件 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 6 仪器设备 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 7 样品 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 4 8 试验步骤 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 4 初始值测量 ................................ ................................ ................................ ................................ ............... 4 确定沟道关断电压 ................................ ................................ ................................ ................................ ... 4 结温监测 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 4 施加应力 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 4 撤除应力 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 5 中间测量或终点测量 ................................ ................................ ................................ ............................... 5 9 试验数据处理 ................................ ................................ ................................ ................................ .................. 5 10 试验报告 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 5 参考文献 ................................ ................................ ................................ ................................ .............................. 7 全国团体标准信息平台 全国团体标准信息平台 T/CASAS 015 —2025 II 前言 本文件按照 GB/T 1.1 —2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替 T/CASAS 015 —2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（ SiC MOSFET ）功率循 环试验方法》（ 2022年07月18日发布）。 本文件与 T/CASAS 015 —2022相比，除编辑性修改外主要技术差异如下： ——修订了对“ 4原理”的描述，内容更加严谨，文字更加简洁明了。明确了“尽可能保证同 样的正负栅偏应力” 为“正向栅压与接通时间的乘积同负向栅压与关断时间的乘积在数值上尽可能 相等” 。同时删除对加热电流 IL和测试电流 Isense级别的要求 。 ——删除了图 3。 ——结温计算方法参考“ JESD51 -1”修订为参考“ T/CASAS 016 ”。并增加“建议结温测量的关断 负栅压与功率循环的关断负