SJ 中华人民共和国电子工业行业标准 SJ/T 10049—91 电子元器件详细规范 3DA 1162、1722、2688 型 硅NPN高频放大管壳额定的 双极型晶体管 1991-04-08发布 1991-07-01实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中华人民共和国电子工业行业标准 电子元器件详细规范 3DA1162型硅NPN高频放大管壳 SJ/T10049-91 额定的双极型晶体管 Detail specification for electronic components Case ratedbipolar transistor for silicon NPN high--frequency amplification for type 3DA1162 本标准适用于3DA1162型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB 7576《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的，符合GB4936.1《半导体分立 器件总规范》I类的要求。 中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准 1991-07-01实施 1 SJ/T10049-91 中华人民共和国机械电子工业部 评定器件质量的根据 SJ/T10049—51 GB 4936.1 《半导体分立器件总规范》 3DA1162型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管 订货资料：见本规范第7章 1机械说明 2 简略说明 外形符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中F3 -01A的要求 半导体材料：si B A 封装：塑封(非空腔) 应用：功放电路 3 质量评定类别 二 1类 R 参考数据 Plot=0.75W(Tamb=25C) 5 Plot=10W(Tease=25C) le= 2.5A B B VcRO=35V VCEO=35V VEBO=5V hFE=60~320 fT≥40MHz .25@ C 代号 F,01A min nom max min nom max 号 A 2. 3 2.8 L 15. 3 16.5 B 1.0 1. 2 Li 2.54 B; 0. 8 1. 0 P 3. 0 3. 2 0. 65 b 0.88 $Pl 5. 0 c 0. 45 0. 6 Q 3. 6 4. 4 D 10. 5 11.1 1.5 Q: 0. 9 E 7. 2 7.8 R 0. 5 2.29' e 引出端识别：1.发射极2.集电极3.基极 2- SJ/T10049—91 4极限值（绝对最大额定值） 除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用 数 值 条文号 参数名称 符号 单位 最小值 最大值 4.1 工作管壳温度 Tecase -55 150 4. 2 存温度 Tstg -55 150 r 4. 3 集电极基极电压 最大集电极—基极直流电压 VcBo 35 V 4. 4 集电极发射极电压 最大集电极发射极直流电压 VcEO 35 V 4. 5 发射极—基极电压 最大发射极基极直流电压 Vgo 5 V 4. 6 最大直流集电极电流 Ie 2.5 A 4.7 耗散功率 最高有效(等效)结温 Ti 150 r 功率耗散的绝对极限值 Ptot 0. 75 W (Tamb=25C) 10 (Tcase=25C) 5电特性 特性和条件 条文号 符号 单位 试验类别 除非另有规定，Tcase=25℃ 最小值 最大值 5.1 共发射极正向电流传输比静态值 hre(1) A2b Vc=2V;lc=0.5A 蓝(B) 60 120 紫(C) 100 200 灰(D) 160 320 5. 2 共发射极正向电流传输比静态值 hrg(2) 20 A3 Vcg=2V;lc=1.5A（脉冲） 5. 3 特征频率 fr 40 MHz C2b Vcg=2V;lc=0.2A,f=10MHz 5. 4 截止电流 A2b Icnc(1) 集电极一基极截止电流 20 μA Vcg=35V 集电极一发射极截止电流 IcEo 100 μA Vece=35V 发射极一基极截止电流 Ieso 20 μA Vea=5V Icao(2) 5.5 高温截止电流 100 μA C2b 集电极一基极截止电流 Ves25V;Tease=100℃ -3 一 SJ/T 10049—91 续表 数 值 特性和条件 条文号 符号 单位 试验类别 除非另有规定，Tcase=25C 最小值 最大值 5. 6 集电极一发射极饱和电压 VcE(at) 1. 0 V A3 c=2A;1g=0.2A 基极一发射极电压 VBE 1. 5 Vcg=2V,lc=1.5A(脉冲) 5. 11 结一壳间的热阻 Rih(j-c) 12.5 C/W C2d 6标志 6.1器件上的标志 a.产品型号：3DA1162； b.hFe分档标志； c.质量评定类别标志，放在型号标志后面； d.检验批的识别代号。 6.2包装盒上的标志 a.重复器件上的标志； b.标上《怕湿》等注意标记。 7定货资料 定货单上应有下列内容 a.准确的型号； b.hFe分档色标； c.本规范编号 d.其他。 8试验条件和检验要求 本章中，除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1、GB4937《半导体分立器件机 械和气候试验方法》和GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》的条文号，测试方法引自 GB4936.1的6.1.1。 SJ/T10049—91 A组逐批 全部试验都是非破坏性 检验要求 条件 检验或试验 引用标准 除非另有规定 数 值 单位 ILAQL Tease=25C 最小值 最大值 I 0.65 A1分组 外部目检 GB4936.1, 5. 1. 1 1 0.15 A2a分组 不工作器件 IcBo(1) T—001 Vc=35V 2 mA hre (1) T-006 Vc=2V;le=0.5A 5 I 0. 65 A2b分组 Ico (1) T—001 Vcs=35V 20 μA T009 Vcg=35V 100 μA Iceo T002 VeB=5V 20 Igo μA He(1) T006 Vc=2V;lc=0.5A 蓝(B) 60 120 紫(C) 100 200 灰(D) 160 320 A3分组 S4 1. 0 Vce(sat) T003 lc=2A;/g=0.2A 1. 0 V VBE T—005 lc=1.5A;Vcg=2A 1. 5 V (脉冲) hre(2) T-006 Vce=2Vlc=1.5A 20 (脉冲) B组—逐批 标注(D)的试验为破坏性的 检验要求 条件 检验或试验 引用标准 除非另有规定 数 值 单位LTPD Tcase 25C 最小值最大值 B1分组 15 尺寸 见外形图 GB4936.1,5.2 和附录C B3分组 15 引出端强度 GB 4937 方法2 无损伤 弯曲(D) 2.1.2 受试引出端数：3;F=5N 5- SJ/T10049-91 续表 检验要求 条件 检验或试验 引用标准 除非另有规定 数 值 单位LTPD Tease=25C 最小值最大值 B4分组 15 可焊性 GB 4937,2.2.1 试验b'；受试引出端数：3 润湿良好 B5分组 20 温度变化 GB 4937,3.1.2 温度变化：采用两槽法 T=0C;Tg=100℃ 循环次数：10次 严格度：1 继之以交变湿热 GB2423.4—81 试验Di; (D) 严格度：55℃ 循环次数：6次 湿热方式：2 最后测试 lco (1) T001 Vcg=35V 20 μA h(1) T006 Vcg=2V;lc=0.5A 蓝(B) 60 120 紫(C) 100 200 灰(D) 160 320 B8分组 10 电耐久性 GB 4938 Tamb=25C;168h Vce=25V;lc=30mA 最后测试 heg(1) T-006 Vcg=2V;lc=0.5A 蓝(B) 48 144 紫(C) 80 240 灰(D) 128 384 Icao(1) T001 VcB=35V 40 μA B9分组 15 高温贮存 GB4937,3.2 168h;Tstg=150C 最后测试 同B8分组 CRRL分组 B3、B4、B5、B8和B9的属性资料。 *有争议时，可采用GB2423.32《电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法的可焊性试验方法》，润 湿过程，按使用非活性焊剂时，在3s内达到理论润湿力的35%。 6-