ICS 31.200 L 56 团 体 标 准 T/CIE 081—2020 工业级高可靠集成电路评价 第16部分：高频射频识别 Evaluation of industrial high-reliability integrated circuits- Part 16:RFID 2020-06-08发布 2020-08-15实施 中国电子学会 发布 T/CIE 081—2020 目 次 前言 1 范围 2规范性引用文件 3术语、定义、缩略语和符号 3.1术语和定义 3.2缩略语 3.3 符号 检测要求 4.1 外观要求 4.2 工艺信息要求 4.3 高频RFID芯片检测平台要求 4.4 高频ISO/IEC15693协议芯片强制功能检测要求 4.5 高频ISO/IEC15693协议芯片可选及扩展功能检测要求 4.6 高频ISO/IEC15693协议芯片性能检测要求 4.7 高频ISO/IEC15693协议芯片协议一致性检测要求 4.8 高频ISO/IEC15693协议芯片健壮性检测要求 4.9 可靠性检测要求 4.10 电磁兼容性能要求 4.11 检测环境要求 5 检测方法 5.1 外观检测方法 5.2 工艺信息确认检测方法 5.3 高频RFID芯片检测平台检测方法 17 5.4 高频ISO/IEC15693协议芯片强制功能检测方法 5.5 高频ISO/IEC15693协议芯片可选及扩展功能检测方法 18 5.6 高频ISO/IEC15693协议芯片性能检测方法· 20 5.7 高频ISO/IEC15693协议芯片协议一致性检测方法： 21 5.8 高频ISO/IEC15693协议芯片健壮性检测方法， 21 5.9可靠性检测方法· 21 5.10 电磁兼容性能检测方法 25 6检验规则 25 参考文献 T/CIE 081—2020 前創言 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本部分由中国电子学会提出并归口。 本部分起草单位：北京芯可鉴科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、杭州万高科技股份有 限公司、国网思极紫光（青岛）微电子科技有限公司、辰芯科技有限公司、北京银联金卡科技有限公司、中 车株洲电力机车研究所有限公司、北京博纳电气股份有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、通 富微电子股份有限公司、威胜集团。 本部分主要起草人：赵东艳、王于波、邵瑾、刘佳、付青琴、杜剑、徐平江、杨季、张东、朱松超、鹿祥宾、 赵扬、钟明琛、孙云龙、单书珊、朱珊珊、洪艳艳、崔国宇、万勇、限合朋、李先怀、王强、唐军、张健、钱文生、 宫芳。 防盗隐藏图层 请用积分下载 正常下载 本图隐藏 T/CIE 081—2020 工业级高可靠集成电路评价 第16部分：高频射频识别 1范围 本部分规定了工业级高频射频识别芯片（以下简称芯片）的检测要求、检测方法和检验规则等。 本部分适用于符合ISO/IEC15693协议的高频射频识别芯片的鉴定验收和评价检测活动。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。风是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不没 防盗隐藏图层 GB/T 4 安装器件耐潮 湿和焊接热 GB/T 170 请用积分下载 GB/T 1 IEC 621 专输室和宽带 横电磁波传输 Part 2:Meas urement of radiated immu 正常载 d.[A1] IEC62132-4集成电 3分 ：直接射频功率注人法 (Integrated circuits— GHz- Part 4:Direct RF power injection method) 本图隐藏 ISO/IEC15693-2 中接口和初始化（Iden- tification cards- Contao Air interface and initial- ization) ISO/IEC15693-3识别卡无触点集成电路卡近距型卡第3部分：防撞击和传动装置协议 (Identification cards—Contactless integrated circuit cards—Vicinity cards—Part 3: Anticollision and transmission protocol) ISO/IEC10373-7识别卡试验方法第7部分：临近卡（Identificationcards一Testmethods Part 7: Vicinity cards) 3术语、定义、缩略语和符号 3.1术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1.1 门锁效应 latch-up CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。 1 T/CIE 081—2020 3.1.2 器件的最大检测电压 maximum stress voltage 在抗门锁检测期间，允许施加在任何给定引脚上的最大电压，而不会因与闫锁无关的硅器件或电路 的灾难性故障而对器件造成不可逆转的损坏。 3.2缩略语 下列缩略语适用于本文件。 CDM：器件放电模型(Charged Device Model) CP：晶圆测试(ChipProbe) DPI:直接射频功率注人（DirectRFPowerInjection） EFT：电快速瞬变脉冲群（ElectricalFastTransient) ELFR：早天期寿命失效率（EarlyLifeFailureRate） ESD:静电放电(Electro Static Discharge) FT:终测(Final Test) HAST：高加速温湿度寿命测试(HighlyAcceleratedTemperatureandHumidityStressTest) HBM：人体放电模式(HumanBodyModel) HTOL：高温工作寿命（HighTemperatureOperatingLife) HTSL:高温存储寿命(High Temperature Storage Life) LTDDR：低温数据退化保持及只读测试（LowTemperatureDataRetentionandReadDisturb） LTOL：低温工作寿命(Low Temperature Operationg Life) MSL：湿敏等级(Moisture Sensitivity Level) MSV：最大应力电压（MaximumStressVoltage) NVCE：非易失存储器循环测试耐久性（NonvolatileMemoryCyclingEndurance) PC：预处理（Preconditioning) PCHTDR：循环测试后高温数据退化保持测试(Post-cyclingHighTemperatureDataRetention) PESD：上电状态静电放电（PowerOnElectrostaticDischarge） RFID:射频识别(Radio Frequency Identification) RH：相对湿度（Relativehumidity） SAM:超声扫描(Scanning Acoustic Microscope) TC:温度循环(Temperature Cycling) UCHTDR：不带循环测试的高温数据退化保持测试（UncyclingHighTemperatureDataReten- tion) UHAST：无偏压高加速温湿度寿命测试（UnbiasedHighlyAcceleratedTemperatureand HumidityStress Test) VP：大气压强或内部空气压强（VaporPressure） 3.3符号 下列符号适用于本文件。 TA 进行可靠性检测时被测样品周围的环境温度， T 进行可靠性检测时被测样品的内部的P-N结温度， Vec 器件的正常供电电压。 2 T/CIE 081—2020 Veemax 器件的最大供电电压。 4检测要求 4.1 外观要求 外观应符合以下要求： a）标识： 顶视芯片标识面，文字方向应由左至右排列，方向不得相反； 标识内容完整，无残缺； 标识印刷清晰，裸眼可识别文字。 b）表面： 产品磨痕或划痕要求：长<1.0mm宽<0.2mm； 塑封体表面有任何裂纹均为不良： 防盗隐藏图层 请用积分下载 4.2工艺信 工艺信息用于检验芯片 一致性：包含但不限于： 正常下载 a） 晶圆信息检测项 PAD数量 PAD尺寸； 本图隐藏 -DieSize; 芯片ID(芯 b）封装信息检测项 LeadFrame框架材质； 粘胶材料； Bond Wire的材料； BondWire的直径BondWire的直径。 4.3高频RFID芯片检测平台要求 符合ISO/IEC15693协议的芯片产品使用10373-7测试平台检测。性能及健壮性要求芯片产品的 天线尺寸不大于86mm×54mm×3mm。 4.4高频ISO/IEC15693协议芯片强制功能检测要求 4.4.1清点功能 Inventory的AFI配置成Oxoo，掩码长度配置成"Oxoo”，掩码值为空。调制深度及通信速率见 表1。 3