ICS 31.200 L 56 团 体 标 准 T/CIE 073—2020 工业级高可靠集成电路评价 第8 部分:微控制器（MCU) Evaluation of industrial high-reliability integrated circuits- Part 8 : MCU 2020-06-08发布 2020-08-15实施 中国电子学会 发布 T/CIE 073—2020 目 次 前言 1 范围 2 规范性引用文件 3术语和定义、缩略语、符号 3.1术语和定义 3.2 缩略语 3.3符号 4检测要求 4.1 外观要求 4.2 工艺信息 电气性能 4.4 功能要求 4.5 机械性能要求 4.6 可靠性检测要求 4.7 电磁兼容性能要求 13 4.8 检测环境要求 15 5检测方法 15 5.1 外观检查 15 5.2 工艺信息确认 15 5.3 电气性能检测方法 16 5.4 功能检测方法 16 5.5 机械性能检测方法 17 5.6可靠性检测方法 17 5.7电磁兼容性能检测方法· 20 6检验规则 21 参考文献 23 T/CIE 073—2020 前言 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本部分由中国电子学会提出并归口。 本部分起草单位：北京芯可鉴科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、杭州万高科技股份有 限公司、国网思极紫光（青岛）微电子科技有限公司、北京银联金卡科技有限公司、辰芯科技有限公司、 电力机车研究所有限公司、南方电网公司数字电网研究院有限公司、浙江大学、南京林洋电力科技有限 公司、钜泉光电科技（上海）股份有限公司、炬芯（珠海）科技有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公 司、中芯国际集成电路制造有限公司、威胜集团。 本部分主要起草人：赵东艳、王于波、陈燕宁、周敏、邵瑾、甄岩、谭年熊、刘浩、张东、鹿祥宾、朱松超、 孙云龙、赵扬、钟明琛、岳志刚、符荣杰、钱国良、马哲、王强、任军、于健洁、王菲、高媛、邢群雁、王磊、 习伟、姚浩、张佳明、黄凯、马华超、岳虎、代建宾、黄洪杰、钱文生、李先怀、程建伟。 I T/CIE 073—2020 工业级高可靠集成电路评价 第8部分：微控制器（MCU） 1范围 本部分适用于面向工业应用的MCU芯片的鉴定验收和评价检测活动， 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T4937.20一2018半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和 焊接热综合影响 GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 GB/T17626.2一2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 GB/T17626.4一2018电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 IEC62132-2集成电路电磁抗扰度测试第2部分：辐射抗扰度测试横电磁波传输室和宽带横 电磁波传输室方法（Integratedcircuits一Measurementofelectromagneticimmunity一Part2：Measurementof radiated immunity-TEM cell andwidebandTEM cellmethod) IEC62132-4集成电路150kHz1GHz电磁抗扰度测试第4部分：直接射频功率注人法（Inte grated circuits—Measurement of electromagnetic immunity 150 kHz to 1 GHz—Part 4: Direct RF power in jection method) IEC62215-3集成电路脉冲抗扰度测试第3部分：非同步瞬变注入方法（Integratedcircuits Measurement of impulse immunityPart 3: Non-synchronous transient injection method) 3术语和定义、缩略语、符号 下列术语和定义适用于本文件。 3.1术语和定义 3.1.1 闪锁效应latch-up CMOS工艺、BiCMOS工艺及Bipolar工艺特有的故障现象，由于这类工艺存在寄生电路，会导致电源 和地之间出现大电流通路而烧毁芯片。 3.1.2 最大应力电压maximumstressvoltage；MSv 在抗门锁检测期间，允许施加在任何给定引脚上的最大电压，而不会因与锁无关的硅器件或电路的 灾难性故障而对器件造成不可逆转的损坏。 3.2缩略语 下列缩略语适用于本文件。 1 T/CIE 073—2020 CDM：器件放电模型（ChargedDeviceModel） CP：晶圆测试(ChipProbe) DPI:直接射频功率注人（DirectRFPowerInjection) EFT：电快速瞬变脉冲群（ElectricalFastTransient） ELFR：早天期寿命失效率（EarlyLifeFailureRate) ESD-CDM:静电放电-带点器件放电模型（Electro StaticDischarge-ChargedDeviceModel) ESD-HBM:静电放电-人体模型(Electro Static Discharge-Human Body Model) FT:终测(Final Test) GPIO:通用型之输人输出（General Purpose InputOutput) HAST：高加速温湿度寿命测试(Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test) HTOL:高温工作寿命(High Temperature Operating Life) HTSL：高温存储寿命(High Temperature Storage Life) IIC：集成电路总线（Inter-Integrated Circuit) LTDDR：低温数据退化保持及只读测试(LowTemperatureDataRetentionandReadDisturb) LTOL:低温工作寿命(Low Temperature Operating Life) MSL:湿敏等级(Moisture Sensitivity Level) NVCE：非易失存储器循环测试耐久性（NonvolatileMemoryCyclingEndurance) PC:预处理(Preconditioning) PCHTDR：循环测试后高温数据退化保持测试(Post-cyclingHighTemperatureDataRetention) PESD：上电状态静电放电（Power onElectrostaticDischarge） RH：相对湿度（RelativeHumidity） SAM：超声扫描（Scanning Acoustic Microscope） SPI：串行外围设备接口（SerialPeripheralInterface） TC:温度循环（Temperature Cycling) UART：通用异步收发传输器（UniversalAsynchronousReceiverTransmitter） UCHTDR：不带循环测试的高温数据退化保持测试(UncyclingHighTemperatureData Retention） UHAST：无偏压高加速温湿度寿命测试（UnbiasedHighlyAcceleratedTemperature andHumidity Stress Test) VP：大气压强或内部空气压强（VaporPressure) WDT：看门狗计数器（WatchDogTimer） 3.3符号 下列符号适用于本文件。 TA：进行可靠性检测时被测样品周围的环境温度 Tc：进行可靠性检测时被测样品封装外壳表面的温度。 T：进行可靠性检测时被测样品的内部的P-N结温度。 Vc：正常供电电压。 Vmax：最大供电电压。 VoH：输出高电平。 VoL:输出低电平。 ViH：输人高电平。 VL：输入低电平。 IoH：输出高电流。 IoL：输出低电流。 2 T/CIE 073—2020 IH：输人高电流。 IL：输入低电流。 4检测要求 4.1外观要求 外观应符合以下要求： a）标识： 顶视芯片标识面，文字方向应由左至右排列，方向不得相反； 标识内容完整，无残缺； 标识印刷清晰，裸眼可识别文字。 b）表面： 产品磨痕或划痕要求：长<1.0mm、宽<0.2mm； 塑封体表面有任何裂纹均为不良； 油污或脏污要求：长<1.0mm、宽<0.2mm。 c）管脚： 管脚不能有焊锡或其他二次使用痕迹； 管脚无氧化的现象； 管脚之间不能夹带杂质。 4.2 2工艺信息 工艺信息用于检验芯片在供货过程中的工艺一致性，以保证芯片质量的一致性，包含但不限于： a）晶圆信息检测项： PAD数量； -PAD尺寸； -DieSize; 芯片ID(芯片mark)。 b）封装信息检测项： LeadFrame框架材质； 粘胶材料； BondWire的材料； Bond Wire的直径。 4.3 电气性能 4.3.1 工作电压 微控制器的工作电压应满足器件手册的规定值，在工作范围内GPIO可以1kHz的频率翻转，频率误 差应小于2%。微控制器在最高和最低工作电压下可通过全功能检测。 4.3.2 2工作电流 静态工作电流Ic及工作电流应与器件手册一致，在最高工作频率下，工作电流应小于600μA/MHz 4