ICS 31.200 L 56 体 标 准 团 T/CIE 070—2020 工业级高可靠集成电路评价 第4部分：非易失性存储器 Evaluation of industrial high-reliability integrated circuits- Part 4 : Nonvolatile memory 2020-06-08 发布 2020-08-15实施 中国电子学会 发布 T/CIE 070—2020 目 次 前言 范围 1 规范性引用文件 2 3术语和定义、缩略语、符号 3.1 术语和定义 3.2 缩略语 符号 3.3 检测要求 外观要求 4.1 工艺信息 4.2 电特性检测要求 4.3 接口协议 4.4 4.5 擦写读取 4.6 可靠性检测要求 电磁兼容检测要求 4.7 5检测方法· 18 5.1 外观检查 18 5.2 工艺信息确认· 18 5.3 电特性检测方法 18 5.4 接口协议检测方法· 21 5.5 擦写读取检测方法…· 22 5.6可靠性检测方法· 22 电磁兼容性能检测方法 25 5.7 6检验规则 26 T/CIE 070—2020 前言 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本部分由中国电子学会提出并归口。 本部分起草单位：北京芯可鉴科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、杭州万高科技股份有 限公司、国网思极紫光（青岛)微电子科技有限公司、北京银联金卡科技有限公司、辰芯科技有限公司、北 京全路通信信号研究设计院有限公司、中国铁道科学研究院集团有限公司通信信号研究所、中车株洲电 力机车研究所有限公司、北京博纳电气股份有限公司、深圳市力合微电子有限公司、上海华虹宏力半导 体制造有限公司、芯创智（北京）微电子有限公司、通富微电子股份有限公司、中国石油天然气股份有限 公司石油化工研究院。 本部分主要起草人：赵东艳、王于波、陈燕宁、邵瑾、张相飞、张鹏、张海峰、何凡、高小飞、朱松超、 赵扬、孙云龙、钟明琛、胡雪、王东山、潘成、夏军虎、周芝梅、张永峰、王宏光、任军、赵阳、易君谓、张健、 张志宇、钱文生、吴汉明、宫芳、黄强、胡杰、吴峰霞。 1 T/CIE 070—2020 工业级高可靠集成电路评价 第4部分：非易失性存储器 1范围 本部分规定了工业级高可靠非易失性存储器中的快闪存储器芯片（以下简称芯片）的检测要求、检 测方法和检验规则,暂不涉及ROM。 本部分适用于工业级高可靠快闪存储器芯片以及内嵌非易失性存储器芯片的鉴定验收和评价检测 活动。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T4937.20—2018半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件耐潮 湿和焊接热综合影响 GB/T17626.2一2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 GB/T17626.4一2018电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 IEC62132-2集成电路电磁抗扰度测试第2部分：辐射抗扰度测试横电磁波传输室和宽带 横电磁波传输室方法(Integrated circuits一Measurement of electromagnetic immunity一Part 2:Meas- urement of radiated immunity-TEM cell and wideband TEM cell method) IEC62132-4集成电路150kHz～1GHz电磁抗扰度测试第4部分：直接射频功率注人法 (Integrated circuits—Measurement of electromagnetic immunity 150 kHz to 1 GHzPart 4 :Direct RF power injection method) IEC 62215-3集成电路脉冲抗扰度测试第3部分：非同步瞬变注人方法（Integrated circuitsMeasurement of impulse immunityPart 3:Non-synchronous transient injection method) 3术语和定义、缩略语、符号 下列术语和定义适用于本文件。 3.1术语和定义 3.1.1 非易失性存储器nonvolatile memory;NVM 断电后所存储的数据不会消失的存储器。 3.1.2 最坏情况条件worst case condition 把电源电压、输入信息、负载在标称范围内的最不利条件同时加到被测非易失性存储器上构成的。 1 T/CIE 070—2020 3.1.3 门锁效应latch-up CMOS工艺、BiCMOS工艺及Bipolar工艺特有的故障现象，由于这类工艺存在寄生电路，会导致 电源和地之间出现大电流通路而烧毁芯片。 3.2缩略语 下列缩略语适用于本文件。 ATE：自动化检测设备（Automatic Test Equipment) CDM:器件放电模型(Charged Device Model) CP:晶圆测试(Chip Probe) DPI:直接射频功率注人(Direct RF Power Injection) EFT:电快速瞬变脉冲群(Electrical Fast Transient) ELFR:早天期寿命失效率(Early Life Failure Rate) ESD-CDM:静电放电-带点器件模型(Electro Static Discharge-Charged Device Model) ESD-HBM:静电放电-人体模型(Electro Static Discharge-Human Body Model) FT:终测(Final Test) HAST:高加速温湿度寿命测试(Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test) HTOL:高温工作寿命(High Temperature Operating Life) HTSL:高温存储寿命(High Temperature Storage Life) LTDDR:低温数据退化保持及只读测试(Low Temperature Data Retention and Read Disturb) LTOL:低温工作寿命(Low Temperature Operating Life) MSL:湿敏等级(Moisture Sensitivity Level) NVCE:非易失存储器循环测试耐久性（Nonvolatile Memory Cycling Endurance) PC:预处理(Preconditioning) PCHTDR:循环测试后高温数据退化保持测试(Post-cycling High Temperature Data Retention) PESD:上电状态静电放电(Power on Electrostatic Discharge) RH:相对湿度(Relative Humidity) SAM:超声扫描(Scanning Acoustic Microscope) SMT:表面贴装技术(Surface Mounted Technology) TC:温度循环(Temperature Cycling) UCHTDR:不带循环测试的高温数据退化保持测试（Uncycling High Temperature Data Reten tion) UHAST：无偏压高加速温湿度寿命测试（Unbiased HighlyAccelerated Temperature and Humidity Stress Test) VP：大气压强或内部空气压强（Vapor Pressure） 3.3符号 下列符号适用于本文件。 TA：进行可靠性测试时被测样品周围的环境温度。 Tc：进行可靠性检测时被测样品封装外壳表面的温度。 TI：进行可靠性试验时被测样品的内部的P-N结温度。 Vc:正常供电电压。 Vcmax：最大供电电压 2 T/CIE 070—2020 4检测要求 外观要求 4.1 外观应符合以下要求： a）标识： 顶视芯片标识面，文字方向应由左至右排列，方向不得相反。 标识内容完整，无残缺。 标识印刷清晰，裸眼可识别文字。 b）表面： 产品磨痕或划痕要求:长<1.0 mm、宽<0.2 mm。 塑封体表面有任何裂纹均为不良 油污或脏污要求:长<1.0 mm、宽<0.2 mm。 c）管脚: 管脚不能有焊锡或其他二次使用痕迹。 管脚无氧化的现象。 管脚之间不能夹带杂质。 2工艺信息 4.2 工艺信息用于检验芯片在供货过程中的工艺一致性，以保证芯片质量的一致性，包含但不限于： 晶圆信息检测项： PAD数量； PAD尺寸； DieSize; 芯片 ID(芯片 mark)。 b）封装信息检测项： LeadFrame框架材质； 粘胶材料； -Bond Wire 的材料; Bond Wire 的直径。 4.3电特性检测要求 4.3.1 概述 非易失性存储器芯片的电特性评价，包括但不限于以下检测项目，以非易失性存储器芯片的规格定 义为检测判据。 4.3.2静态漏电流评价要求 4.3.2.1 检测内容 检测芯片在规定静态条件下的电源电流。 4.3.2.2 检测条件 检测条件应符合以下要求： 3