ICS 31.200 L 56 体 标 准 团 T/CIE 069—2020 工业级高可靠集成电路评价 第3部分：功率放大器 Evaluation of industrial high-reliability integrated circuits- Part 3: Power amplifier 2020-06-08 发布 2020-08-15实施 中国电子学会 发布 T/CIE 069—2020 目 次 前言 范围 1 规范性引用文件 2 术语和定义、缩略语、符号 3 3.1 术语和定义 3.2 缩略语 符号 3.3 4检测要求 外观要求 4.1 4.2 工艺信息 4.3功能性能要求 可靠性检测要求 4.4 电磁兼容性能要求 4.5 10 5检测方法 12 5.1 外观检查 12 5.2 工艺信息确认 13 5.3 功能性能检测方法· 13 5.4可靠性检测方法 15 5.5电磁兼容性能检测方法 18 6检验规则.· T/CIE 069—2020 前言 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本部分由中国电子学会提出并归口。 本部分起草单位：北京芯可鉴科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、杭州万高科技股份有 限公司、国网思极紫光（青岛）微电子科技有限公司、北京银联金卡科技有限公司、辰芯科技有限公司、北 京全路通信信号研究设计院有限公司、中国铁道科学研究院集团有限公司通信信号研究所、中车株洲电 力机车研究所有限公司、钜泉光电科技（上海)股份有限公司、深圳市力合微电子有限公司、凌思微电子 (厦门)有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司、芯创智（北京)微电子有限公司。 本部分主要起草人：赵东艳、王于波、邵瑾、张相飞、张海峰、原义栋、赵法强、李杰伟、鹿祥宾、 朱松超、单书珊、赵扬、钟明琛、张东、王东山、林玲、周芝梅、张永峰、王宏光、任军、赵阳、唐军、马侠、 张志宇、谷志坤、钱文生、吴峰霞、朱敏。 1 T/CIE 069—2020 工业级高可靠集成电路评价 第3部分：功率放大器 1范围 本部分规定了功率放大器芯片（以下简称芯片)的检测要求、检测方法和检验规则。 本部分适用于功率放大器芯片的鉴定验收和评价检测活动。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T4937.20一2018半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件耐潮 湿和焊接热综合影响 GB/T17626.2—2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 IEC62132-2集成电路电磁抗扰度测试第2部分：辐射抗扰度测试横电磁波传输室和宽带 横电磁波传输室方法(Integrated circuits一Measurement of electromagnetic immunity一Part 2：Meas- urement of radiated immunityTEM cell and wideband TEM cell method ) IEC62132-4集成电路150kHz～1GHz电磁抗扰度测试第4部分：直接射频功率注人法 (Integrated circuits—Measurement of electromagnetic immunity 150 kHz to 1 GHz—Part 4: Direct RF power injection method ) IEC62215-3集成电路脉冲抗扰度测试第3部分：非同步瞬变注人方法（Integrated circuits—Measurement of impulse immunity—Part 3: Non-synchronous transient injection method) 3术语和定义、缩略语、符号 下列术语和定义适用于本文件。 3.1术语和定义 3.1.1 问锁效应latch-up CMOS工艺、BiCMOS工艺及Bipolar工艺特有的故障现象，由于这类工艺存在寄生电路，会导致 电源和地之间出现大电流通路而烧毁芯片。 3.1.2 最大应力电压 maximum stress voltage; Msv 在抗门锁检测期间，允许施加在任何给定引脚上的最大电压，而不会因与门锁无关的硅器件或电路 的灾难性故障而对器件造成不可逆转的损坏。 3.2缩略语 下列缩略语适用于本文件。 1 T/CIE 069—2020 AM:调幅(Amplitude Modulation) CP：晶圆检测（Chip Probe) CW:连续波(Continuous Wave) DPI:直接射频功率注人（Direct RF Power Injection) EFT:电快速瞬变脉冲群(Electrical Fast Transient) ELFR：早天期寿命失效率(Early Life Failure Rate） ESD-CDM:静电放电-带电器件模型(Electro Static Discharge-Charged Device Model) ESD-HBM:静电放电-人体模型(Electro Static Discharge-Human Body Model) FT:最终检测(Final Test) HAST:高加速温湿度寿命检测(Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test) HTOL:高温工作寿命(High Temperature Operating Life) HTSL:高温存储寿命(High Temperature Storage Life) LTOL:低温工作寿命(Low Temperature Operating Life) MSL:湿敏等级(Moisture Sensitivity Level) PC:预处理(Preconditioning) PESD:上电状态静电放电(Power on Electrostatic Discharge) RH：相对湿度（Relative Humidity) SAM:超声扫描(Scanning Acoustic Microscope) SMT:表面贴装技术(Surface Mounted Technology) TC:温度循环(Temperature Cycling) UHAST：无偏压高加速温湿度寿命检测（Unbiased Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test) VP：大气压强或内部空气压强（VaporPressure) 3.3符号 下列符号适用于本文件。 TA：进行可靠性测试时被测样品周围的环境温度 Tc：进行可靠性检测时被测样品封装外壳表面的温度 TI：进行可靠性试验时被测样品的内部的P-N结温度。 Vce:正常供电电压。 Vcmax:最大供电电压。 4检测要求 4.1 外观要求 外观应符合以下要求： a）标识： 顶视芯片标识面，文字方向应由左至右排列，方向不得相反。 标识内容完整，无残缺。 标识印刷清晰，裸眼可识别文字。 b）表面： 产品磨痕或划痕要求:长<1.0 mm、宽<0.2mm。 塑封体表面有任何裂纹均为不良 2 T/CIE 069—2020 油污或脏污要求:长<1.0 mm、宽<0.2 mm。 c）管脚: -管脚不能有焊锡或其他二次使用痕迹， 一管脚无氧化的现象。 管脚之间不能夹带杂质。 4.2工艺信息 工艺信息用于检验芯片在供货过程中的工艺一致性，以保证芯片质量的一致性，包含但不限于： a）晶圆信息检测项： PAD数量； -PAD尺寸； DieSize; 芯片 ID(芯片 mark）。 b）封装信息检测项： -LeadFrame 框架材质； 粘胶材料； -Bond Wire 的材料； Bond Wire 的直径。 4.3功能性能要求 4.3.1检测环境 除了环境可靠性检测，所有检测应在以下条件下进行： a）温度:15℃～35℃; b）相对湿度:20%～80%。 如果实际检测条件不能满足上述环境要求，检测结果中应标明检测时真实的环境温度和相对湿度。 4.3.2功能性能要求 根据功率放大器的技术规格，分别检测功率放大器的工作频段、动态功耗、放大增益和频率响应、谐 波、关断电流和静态电流等,测试结果应满足技术规格书中功能和性能的指标。 4.4可靠性检测要求 4.4.1早天期寿命失效率检测（ELFR) 4.4.1.1概述 早天期寿命失效率检测的目的是考核产品在早期应用阶段芯片的可靠性，此检测可以模拟发现早 期应用阶段存在的因晶圆/封装加工时引入但CP/FT等测试筛选不充分而遗留下来的潜在缺陷 4.4.1.2检测样品要求 ELFR试验共需916颗检测样品，这916颗分别来自3个不同晶圆批，从晶圆中随机选取。选取的 样品需通过FT检测。样品抽样原则如下： 305颗，一个批次306颗； 3