ICS 31.200 L 56 国 体 标 准 T/CIE 067—2020 工业级高可靠集成电路评价 第 1部分：AC/DC 电路 Evaluation of industrial high-reliability integrated circuits- Part 1: AC/DC circuit 2020-06-08发布 2020-08-15实施 中国电子学会发布 T/CIE 067—2020 目 次 前言 1 范围 2规范性引用文件 3术语和定义、缩略语、符号 3.1术语和定义 3.2缩略语 3.3符号 检测要求 4.1 工作温度及检测环境要求 4.2 外观要求 4.3 工艺信息 4.4 电气参数检测要求 4.5 功能、性能检测要求 4.6 可靠性检测要求 4.7 电磁兼容检测要求· 5检测方法·· 16 5.1 工作和存储环境检测 16 5.2 外观检查·· 5.3 工艺信息确认 16 5.4 电气参数检测方法· 5.5功能、性能检测方法 17 5.6可靠性检测方法 18 5.7 电磁兼容性能检测方法 21 6 检验规则· 22 T/CIE 067—2020 前言 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本部分由中国电子学会提出并归口。 本部分起草单位：北京芯可鉴科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、杭州万高科技股份有 限公司、国网思极紫光（青岛）微电子科技有限公司、北京银联金卡科技有限公司、辰芯科技有限公司、北 京全路通信信号研究设计院有限公司、中国铁道科学研究院集团有限公司通信信号研究所、中车株洲电 力机车研究所有限公司、北京博纳电气股份有限公司、炬芯（珠海)科技有限公司、杰华特微电子有限公 司、芯创智（北京)微电子有限公司、威胜集团、中国石油天然气股份有限公司石油化工研究院。 本部分主要起草人：赵东艳、王于波、张海峰、原义栋、邵瑾、赵法强、吴汉明、孙云龙、鹿祥宾、赵扬、 朱松超、钟明琛、李杰伟、高小飞、门长有、周芝梅、张永峰、王宏光、任军、李先怀、赵阳、王菲、高媛、邢群雁、 唐军、张健、胡杰、黄洪杰、郑兰兰、黄强。 I T/CIE 067—2020 工业级高可靠集成电路评价 第1部分：AC/DC电路 1范围 本部分规定了工业级高可靠AC/DC电路的检测要求、检测方法和检验规则。 本部分适用于工业级高可靠AC/DC电路的鉴定验收和评价检测活动。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T4937.20一2018半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件耐潮 湿和焊接热综合影响 GB/T17626.2一2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 GB/T17626.4一2018电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 GB/T17940一2000半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路 IEC62132-2集成电路电磁抗扰度测试第2部分：辐射抗扰度测试横电磁波传输室和宽带 横电磁波传输室方法(Integrated circuits一Measurement of electromagnetic immunity—Part 2：Meas- urement of radiated immunity-TEM cell and wideband TEM cell method ) IEC62132-4集成电路150kHz～1GHz电磁抗扰度测试第4部分：直接射频功率注人法 (Integrated circuits—Measurement of electromagnetic immunity 15o kHz to 1 GHz—Part 4: Direct RF power injection method) IEC62215-3集成电路 脉冲抗扰度测试第3部分：非同步瞬变注人方法（Integrated circuits—Measurement of impulse immunity—Part 3: Non-synchronous transient injection method) 3术语和定义、缩略语、符号 下列术语和定义适用于本文件。 3.1术语和定义 3.1.1 门锁效应 latchup CMOS工艺、BiCMOS工艺及Bipolar工艺特有的故障现象，由于这类工艺存在寄生电路，会导致 电源和地之间出现大电流通路而烧毁芯片。 3.2缩略语 下列缩略语适用于本文件。 AM:调幅（Amplitude Modulation) DPI:直接射频功率注人（DirectRFPowerInjection） EFT：电快速瞬变脉冲群(ElectricalFastTransient) ELFR：早天期寿命失效率（EarlyLifeFailureRate) 1 T/CIE 067—2020 ESD-CDM：静电放电-带电器件模型（Electro StaticDischarge-ChargedDeviceModel) ESD-HBM:静电放电-人体模型(Electro Static Discharge-HumanBodyModel) HAST：高加速温湿度寿命检测（HighlyAcceleratedTemperature andHumidityStressTest) HTOL：高温工作寿命(High Temperature Operating Life) HTSL：高温存储寿命(High Temperature Storage Life) LTOL：低温工作寿命(LowTemperatureOperatingLife) MSL：湿敏等级(Moisture Sensitivity Level) MSV：器件最大检测电压（MaximumStressVoltage)） PC：预处理（Preconditioning） PESD：上电状态静电放电（PoweronElectrostaticDischarge） RH：相对湿度(RelativeHumidity) SAM:超声扫描（Scanning Acoustic Microscope) SMT：表面贴装技术(Surface Mounted Technology) TC:温度循环（Temperature Cycling) UHAST：无偏压高加速温湿度寿命检测（UnbiasedHighlyAccelerated Temperature and Humidity Stress Test) VP：大气压强或内部空气压强（VaporPressure） 3.3符号 下列符号适用于本文件。 ILOADmax：最大负载。 TA：进行可靠性测试时被测样品周围的环境温度。 Tc：进行可靠性检测时被测样品封装外壳表面的温度 TI：进行可靠性试验时被测样品的内部的P-N结温度。 VDD：电路工作电压。 VDpmin：电路工作电压最小值。 VDpmax：电路工作电压最大值。 Vee：正常供电电压。 Veemax：最大供电电压 4检测要求 4.1 工作温度及检测环境要求 4.1.1工作温度 AC/DC电路工作温度按照表1的规定进行分级。 表1部分操作温度等级 等级 环境操作温度范围 0 -40 ℃~150℃ 1 -40℃~125℃ 2 40℃~105℃ 3 -40℃~85℃ 2 T/CIE 067—2020 4.1.2检测环境要求 除另有规定外，检测应在环境气压为86kPa～106kPa、环境温度为15℃～35℃、相对湿度为35%~ 80%的范围内进行。 4.2 外观要求 外观应符合以下要求： a）标识： 顶视芯片标识面，文字方向应由左至右排列，方向不得相反。 标识内容完整，无残缺。 标识印刷清晰，裸眼可识别文字。 b）表面： 产品磨痕或划痕要求：长<1.0mm、宽<0.2mm。 塑封体表面有任何裂纹均为不良。 油污或脏污要求：长<1.0mm、宽<0.2mm。 c）管脚： 管脚不能有焊锡或其他二次使用痕迹。 管脚无氧化的现象。 管脚之间不能夹带杂质。 4.3 3工艺信息 工艺信息用于检验芯片在供货过程中的工艺一致性，以保证芯片质量的一致性，包含但不限于： a） 晶圆信息检测项： PAD数量； PAD尺寸； DieSize; 芯片ID(芯片mark）。 b）封装信息检测项： LeadFrame框架材质； 粘胶材料； BondWire的材料； Bond Wire的直径。 4.4电气参数检测要求 4.4.1概述 AC/DC电路电气参数检测项包含但不限于启动电流、工作电路、待机电流、开关频率、VDD启动时 间及关断时间等。 4.4.2启动电流检测要求 4.4.2.1检测条件要求 启动电流检测项应满足以下检测要求： a）启动电流检测温度至少包含25℃及根据4.1.1所选工作温度等级的最低温度和最高温度；