ICS 29.220 CCS K 82 DB51 四川省 地方标准 DB51/T 3238—2024 基于PECVD工艺的TOPCon电池制备 技术通则 2024 - 12 - 18发布 2025 - 01 - 18实施 四川省市场监督管理局 发布 DB51/T 3238 —2024 I 目次 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ...... II 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ ............ 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ .................... 1 4 缩略语 ................................ ................................ ................................ ................................ ............................ 1 5 主要材料要求 ................................ ................................ ................................ ................................ ................ 2 6 制备技术 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 2 7 成品测试 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 4 DB51/T 3238 —2024 II 前言 本文件按照 GB/T 1.1 —2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由四川省经济和信息化厅提出、归口 、解释并组织实施 。 本文件起草单位：通威太阳能（成都）有限公司、成都市标准化研究院、通威太阳能（眉山）有限 公司、四川省通威晶硅光伏产业创新有限公司 、四川高景太阳能科技有限公司、宜宾英发德耀科技有限 公司、四川东磁新能源科技有限公司、四川美科新能源有限公司。 本文件主要起草人：邢国强、蒋方丹、蒋丽琼、胡承志、孟夏杰、陈杨、杨焘、余斌、姚骞、李俊、 张云莎、毕喜行、乔乐、薛玉雪、韩晨、金刚刚、王艺澄。 DB51/T 3238 —2024 1 基于 PECVD工艺的 TOPCon 电池制备技术通则 1 范围 本文件规定了基于 PECVD工艺的 TOPCon太阳电池制备所涉及的主要材料、制备技术、成品测试的 要求。 本文件适用于基于 PECVD工艺路线 制备 TOPCon太阳电池。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。 其中， 注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 2297 太阳光伏能源系统术语 GB/T 6495.1 光伏器件 第1部分：光伏电流 —电压特性的测量 GB/T 14264 半导体材料术语 SJ/T 11760 光伏电池绒面反射率的测量 光电积分法 SJ/T 11829.1 晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相 淀积 （ PECVD） 设备 第1部分： 管式 PECVD 设备 IEC TS 63202 -2 光伏电池 第2部分： 晶体硅太阳能电池的电致发光成像 （ Photovoltaic cells - Part 2: Electroluminescence imaging of crystalline silicon solar cells ） 3 术语和定义 GB/T 2297 、GB/T 14264 、SJ/T 11829.1 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 TOPCon太阳电池 tunnel oxide passivated contact solar cell 超薄氧化硅层及掺杂多晶硅层钝化接触太阳电池。 3.2 硼硅玻璃层 borosilicate glass layer 富含硼元素的二氧化硅层。 3.3 磷硅玻璃层 phosphosilicate glass layer 富含磷元素的二氧化硅层。 4 缩略语 下列缩略语适用于本文件。 PECVD：等离子体增强化学气相沉积（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ） DB51/T 3238 —2024 2 5 主要材料要求 N型单晶硅片 5.1 5.1.1 长度与宽度 TOPCon太阳电池所用 N型单晶硅片为含倒角的矩形，尺寸宜符合表 1要求。 表1 TOPCon太阳电池硅片长度与宽度要求 项目 长度 (mm) 宽度 (mm) 尺寸偏差 (mm) 要求 166≤L≤230 83≤W≤230 ±1 5.1.2 厚度 硅片厚度宜符合 100 μm ~150 μm。 5.1.3 少子寿命 硅片少子 寿命 ≥800 μs。 5.1.4 氧含量 硅片氧含量≤ 6×1017 atoms·cm-3 (12 ppma) 。 5.1.5 碳含量 硅片碳含量≤ 5×1016 atoms·cm-3 (1 ppma)。 气体 5.2 PECVD制备超薄氧化硅层及 N型掺杂多晶硅 层的气体纯度宜符合表 2要求。 表2 PECVD制备超薄氧化硅层及 N型掺杂多晶硅 层的气体纯度要求 气体类型 纯度要求 一氧化二氮 （N2O） ≥99.999% 硅烷（SiH 4） ≥99.9999% 磷化氢（PH 3） ≥99.999% 氢气（H2） ≥99.999% 氮气（N2） ≥99.999% 氨气（NH 3） ≥99.9999% 6 制备技术 工艺流程 6.1 PECVD工艺路线制备 TOPCon太阳电池流程宜符合图 1。 DB51/T 3238 —2024 3 图1 PECVD工艺路线制备 TOPCon太阳电池流程图 清洗制绒 6.2 6.2.1 使用体积浓度为 0.5%～5%的氢氧化钠（ NaOH）或氢氧化钾（ KOH）碱性溶液与 2%～15%的 双氧水溶液混合，对 N型单晶硅片表面进行清洗，去除有机物和金属杂质。 6.2.2 使用体积浓度为 0.5%～5%的NaOH或KOH碱性溶液对硅片表面进行腐蚀， 形成平均反射率为 8.0%～12.0%的绒面结构，反射率测 量方法按照 SJ/T 11760 进行。 扩散 6.3 将6.2后的 N型单晶硅片 置于 800℃～ 1080℃的高温下 进行扩散，在正面形成方阻为 300Ω/sq～600 Ω/sq的P型扩散层 ，并同时形成硼硅玻璃层 。 背面及边缘的硼硅玻璃层和 P型扩散层去除 6.4 6.4.1 背面及边缘的硼硅玻璃层去除 使用体积浓度为 5%～50%氢氟酸溶液 对N型单晶硅片背面进行 清洗，去除 6.3过程中在 背面及边缘 形成的硼硅玻璃层。 6.4.2 背面及边缘的 P型扩散层去除 使用体积浓度为 0.5%～5%的NaOH或KOH