(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111674424.2 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 江苏启微半导体设备有限公司 地址 226200 江苏省南 通市启东经济开发 区林洋路2015号 申请人 至微半导体 （上海） 有限公司 (72)发明人 孟庆璋　邓信甫　刘大威　陈丁堃　 (74)专利代理 机构 上海申新 律师事务所 31272 代理人 竺路玲 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 13/00(2006.01) F26B 21/00(2006.01) H01L 21/67(2006.01) (54)发明名称 一种单片式晶圆清洗装置 (57)摘要 本发明提供了一种单片式晶圆清洗装置， 包 括工作台面、 喷淋机构、 清洗机构和回 收机构； 所 述工作台面包括基座、 固定盘、 承载盘和电机， 所 述基座的下方固定安装有所述电机， 上方连接有 转轴， 所述承载盘设置在所述固定盘上方， 所述 转轴上方设置所述固定盘； 所述喷淋机构包括喷 淋管和喷气管， 所述喷淋管的喷嘴位于晶圆的上 方， 所述喷气管的喷射口与晶圆具有一夹角； 所 述清洗机构包括支撑部、 支撑杆、 支撑架和清洗 刷； 所述回收机构 包括阻挡壁、 引流槽和收集箱 。 本发明提供的单片式晶圆清洗装置， 能对晶圆的 边缘进行清洁， 有效提高边缘颗粒的去除效果， 清洗之后， 还能对晶圆进行干燥处理， 并对多余 的清洗液进行回收利用， 减少对环境的污染。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 114378031 A 2022.04.22 CN 114378031 A 1.一种单片式晶圆清洗装置， 其特征在于， 包括工作台面、 喷淋机构、 清洗机构和回收 机构； 所述工作台面包括基座(1)、 固定盘(11)、 承载盘(12)和电机(9)， 所述基座(1)的下方 固定安装有所述电机(9)， 上方连接有转轴(10)， 所述承 载盘(12)设置在所述固定盘(11)上 方， 所述转轴(10)上方设置所述固定盘(11)， 并通过所述电机(9)带动所述固定盘(11)进行 旋转， 从而 使承载盘(12)旋转； 所述喷淋机构包括喷淋管(15)和喷气管(14)， 所述喷淋管(15)的喷嘴位于晶圆(17)的 上方， 且所述喷嘴的喷射口正对于晶圆(17)的中心， 所述喷气管(14)的喷射口与晶圆(17) 具有一夹角， 用于去除残留在晶圆(17)上的清洗液； 所述清洗机构包括支撑部(3)、 支撑杆(4)、 支撑架(5)和清洗刷(6)， 所述支撑部(3)安 装于所述基座(1)的上端， 所述支撑杆(4)设置于所述支撑部(3)的顶部， 所述支撑架(5)一 端与所述支撑杆(4)为 转动连接， 所述支撑架(5)相对另一端通过卡扣连接所述清洗刷(6)； 所述回收机构包括阻挡壁(2)、 引流槽(16)和收集箱(8)； 所述阻挡壁(2)围绕所述基座 (1)的中心轴线设置于所述承载盘(12)的外侧， 所述基座(1)内部设有引流槽(16)， 且所述 引流槽(16)连接有回液 管路(7)。 2.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置， 其特征在于， 所述承载盘(12)上设置有 吸盘(13)， 用于吸住晶圆(17)以使晶圆(17)随所述承载盘(12)的旋转而旋转。 3.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置， 其特征在于， 所述承载盘(12)和所述固 定盘(11)为不锈钢材 料。 4.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置， 其特征在于， 所述喷淋管(15)连接有喷 头， 所述喷淋管(15)喷射口 的形状为圆形或方 形。 5.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置， 其特征在于， 所述喷气管(14)的喷射口 与晶圆(17)的夹角为6 0度， 用于将所述喷气管(14)的喷射口正对着晶圆(17)的中心。 6.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置， 其特征在于， 所述清洗刷(6)为聚乙烯 醇材质。 7.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置， 其特征在于， 所述回液管路(7)的出口 连接所述收集箱(8)， 用于回收清洗液。 8.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置， 其特征在于， 所述承载盘(12)的直径小 于所述晶圆(17)直径。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114378031 A 2一种单片式晶圆清洗装 置 技术领域 [0001]本发明涉及半导体集成电路器件的清洗工艺技术领域， 尤其涉及一种单片式晶圆 清洗装置 。 背景技术 [0002]随着半导体制造技术日新月异， CMP(化学机械研磨)成为晶圆制造中实现多金属 层和互连线的关键技术， 通过化学机械研磨等平 坦化工艺， 提高各材料层的表 面平整度， 进 而提高后续形成的半导体器件的性能。 晶圆经化学机械研磨工艺后， 晶圆表面往往会残留 研磨液和异 物等， 因此晶圆的清洗成为了一道非常重要且要求较高的工艺。 [0003]目前较常用的晶圆清洗方法是槽式清洗法和单晶圆清洗两种方式， 槽式清洗法即 将多片晶圆浸泡在清洗槽中清洗， 该方法虽然能够同时去除晶圆正面和晶圆背面的污染 物， 但是， 由于去除的污染物仍留在清洗液中， 污染物可能会再次附着在晶圆上， 造成交叉 污染， 从而降低半导体集成电路器件的品质， 且清洗过程容易造成晶圆片的互相磨损， 交叉 污染。 [0004]单晶圆清洗可以降低清洗过程中交叉污染的风险， 提高成品率。 而现有的晶圆清 洗装置中， 通常利用卡盘夹持晶圆并带动晶圆进 行旋转， 喷淋在晶圆上方喷淋清洗药液， 但 是喷淋臂摆动角度 受限于晶圆清洗装置空间， 导致晶圆边缘清洗效果有限， 在清洗后晶圆 边缘仍残存有颗粒等污染物， 而且 对清洗液 无法进行回收， 十分浪费。 发明内容 [0005]本发明针对现有技 术的缺陷， 提供一种单片式晶圆清洗装置 。 [0006]本发明为 解决上述 技术问题采用以下技 术方案： [0007]提供一种单片式晶圆清洗装置， 包括工作台面、 喷淋机构、 清洗 机构和回收机构； [0008]所述工作台面包括基座、 固定盘、 承载盘和电机， 所述基座的下方固定安装有所述 电机， 上方连接有转轴， 所述承载盘设置在所述固定盘上方， 所述转轴上方设置所述固定 盘， 并通过 所述电机带动所述固定盘进行旋转， 从而 使承载盘旋转； [0009]所述喷淋机构包括喷淋管和喷气管， 所述喷淋管的喷嘴位于 晶圆的上方， 且所述 喷嘴的喷射口正对于晶圆的中心， 所述喷气管 的喷射口与晶圆具有一夹角， 用于去除残留 在晶圆上的清洗液； [0010]所述清洗机构包括支撑部、 支撑杆、 支撑架和清洗刷， 所述支撑部安装于所述基座 的上端， 所述支撑杆设置于所述支撑部的顶部， 所述支撑架 一端与所述支撑杆为转动连接， 所述支撑架相对另一端通过卡扣连接所述清洗刷； [0011]所述回收机构包括阻挡壁、 引流槽和收集箱； 所述阻挡壁围绕所述基座的中心轴 线设置于所述承载盘的外侧， 所述基座内部设有引流槽， 且所述引流槽连接有回液 管路。 [0012]进一步地， 所述承载盘上设置有吸盘， 用于吸住晶圆以使晶圆随所述承载盘 的旋 转而旋转。说　明　书 1/3 页 3 CN 114378031 A 3