(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111277744.4 (22)申请日 2021.10.2 9 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 430074 湖北省武汉市东湖新 技术开 发区未来 三路88号 (72)发明人 张聪　陈崟博　杨海峰　潘晓东　 法提·奥尔梅兹 　王璠　朱道钰　 (74)专利代理 机构 北京康信知识产权代理有限 责任公司 1 1240 代理人 张岳峰 (51)Int.Cl. G06F 30/27(2020.01) G06K 9/62(2022.01) (54)发明名称 半导体设备的检测方法、 处理器与半导体 设 备 (57)摘要 本申请提供了一种半导体 设备的检测方法、 处理器与半导体设备。 该方法包括： 处理器获取 多个历史数据， 多个历史数据至少包括历史晶圆 的尺寸参数、 工艺参数和总加工晶圆数量以及设 备的磨损程度数据； 处理器根据多个历史数据构 建设备磨损程度的模型， 并利用设备磨损程度的 模型和目标晶圆的尺寸参数和工艺参数， 得到制 作目标晶圆的设备的损坏程度。 该方法中， 处理 器获取历史数据时， 不需要人为对历史数据设置 标准或标签， 因此处理器获取的历史数据可以真 实地反映半导体 设备的状态， 然后处理器根据历 史数据构建设备磨损程度的模型， 根据设备磨损 程度的模型和目标数据， 就可以准确地预测制作 目标晶圆的设备的损坏程度。 权利要求书2页 说明书12页 附图3页 CN 114021448 A 2022.02.08 CN 114021448 A 1.一种半导体设备的检测方法， 其特 征在于， 包括： 处理器获取多个历史数据， 多个所述历史数据至少包括多个第一历史数据、 多个第二 历史数据和多个第三历史数据， 其中， 所述第一历史数据包括历史晶圆的尺寸参数和制作 所述历史晶圆时的工艺参数， 所述第二历史数据包括制作各所述历史晶圆时的总加工晶圆 数量， 所述第三历史数据为检测到的设备磨损程度数据， 所述第三历史数据与所述第一历 史数据一 一对应； 所述处理器根据多个所述历史数据构建设备磨损程度的模型， 并利用所述设备磨损程 度的模型和目标数据， 确定制作目标晶圆的设备 的损坏程度， 所述 目标数据包括 目标晶圆 的尺寸参数和制作所述目标晶圆时的工艺 参数。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述处理器根据多个所述历史数据构建设 备磨损程度的模型， 包括： 对多个所述第一历史数据进行 特征提取， 得到特 征数据； 对所述特 征数据和所述第二历史数据至少进行相关性分析， 得到训练数据； 利用所述训练数据和对应的所述第 三历史数据对进行训练初始模型， 将所述初始模型 中的初始参数更新为目标参数， 得到所述设备磨损程度的模型， 所述初始模型为 Hotelling‑T平方值计算式与初始参数的乘积。 3.根据权利要求2所述的方法， 其特征在于， 对多个所述第一历史数据进行特征提取， 得到特征数据， 包括： 提取多个所述第一历史数据中同一 参量的数据的时域特 征数据和频域特 征数据； 对所述时域特 征数据和所述频域特 征数据进行归一 化， 得到所述特 征数据。 4.根据权利要求3所述的方法， 其特征在于， 对所述特征数据和所述第 二历史数据至少 进行相关性分析， 得到训练数据， 包括： 对各所述特征数据和对应的所述第二历史数据进行相关性分析， 得到多个相关性系 数； 在所述相关性系数小于0的情况下， 计算1和所述相关性系数小于0对应的所述特征数 据的差值， 得到校正后的相关性系数； 滤除所述校正后的相关性系数大于第 一阈值的对应的所述特征数据， 得到所述训练数 据。 5.根据权利要求3或4所述的方法， 其特征在于， 对所述特征数据和所述第二历史数据 至少进行相关性分析， 得到训练数据， 包括： 对所述特征数据和所述第二历史数据至少进行相关性分析， 滤除相关数据， 得到第一 训练数据； 对所述相关数据进行冗余分析， 滤除相关性系数大于第二阈值的对应的所述相关数 据， 得到第二训练数据， 所述第一训练数据和第二训练数据构成所述训练数据。 6.根据权利要求2所述的方法， 其特征在于， 所述处理器包括第 一子处理器和第 二子处 理器， 所述处理器根据多个所述历史数据构建设备磨损程度的模型， 并利用所述设备磨损 程度的模型和目标 数据， 确定制作目标晶圆的设备的损坏程度， 包括： 所述第一子处 理器将所述目标参数传输 至所述第二子处 理器； 所述第二子处理器根据所述目标数据、 所述目标参数和所述初始模型， 确定所述制作权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114021448 A 2目标晶圆的设备的损坏程度。 7.根据权利要求6所述的方法， 其特 征在于， 所述方法还 包括： 所述第二子处理器在所述制作目标晶圆的设备的损坏程度大于等于第三阈值的情况 下， 发出警报。 8.根据权利要求7 所述的方法， 其特 征在于， 所述方法还 包括： 在所述制作目标晶圆的设备的损 坏程度大于等于所述第 三阈值的情况下， 根据 所述制 作目标晶圆的设备的损坏程度和所述设备磨损程度的模型， 确定对应的所述目标 数据； 根据对应的所述目标 数据， 确定对应的故障类型。 9.一种处 理器， 其特 征在于， 包括： 获取单元， 用于处理器获取多个历史数据， 多个所述历史数据至少包括多个第一历史 数据、 多个第二历史数据和多个第三历史数据， 其中， 所述第一历史数据包括历史晶圆的尺 寸参数、 制作所述历史晶圆时的工艺参数， 所述第二历史数据包括制作各所述历史晶圆时 的总加工晶圆数量， 所述第三历史数据为检测到的设备磨损程度数据， 所述第三历史数据 与所述第一历史数据一 一对应； 确定单元， 用于所述处理器根据多个所述历史数据构建设备磨损程度的模型， 并利用 所述设备磨损程度的模型和目标数据， 确定制作目标晶圆的设备 的损坏程度， 所述 目标数 据包括目标晶圆的尺寸 参数和制作所述目标晶圆时的工艺 参数。 10.一种计算机可读存储介质， 其特征在于， 所述计算机可读存储介质包括存储的程 序， 其中， 所述 程序执行权利要求1至8中任意 一项所述的方法。 11.一种半导体设备， 其特征在于， 包括： 一个或多个处理器， 存储器以及一个或多个程 序， 其中， 所述一个或多个程序被存储在所述存储器中， 并且被配置为由所述一个或多个处 理器执行， 所述一个或多个程序包括用于执 行权利要求1至8中任意 一项所述的方法。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114021448 A 3