(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111373927.6 (22)申请日 2021.11.19 (71)申请人 中国铁道科 学研究院集团有限公司 地址 100081 北京市海淀区大柳树路2号 申请人 北京纵横机电科技有限公司 　 中国铁道科 学研究院集团有限公司 机车车辆研究所　 铁科纵横(天津)科技发展 有限公司 (72)发明人 赵洪利　张存凯　刘阳　程建华　 何梦宇　李水昌　周宇豪　董鑫媛　 左鹏　孙萌　李云峰　张波　 杨伟君　赵红卫　曹宏发　 (74)专利代理 机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 代理人 崔博　杨勇(51)Int.Cl. H02M 7/00(2006.01) H02M 7/219(2006.01) H02M 7/5387(2007.01) H02M 1/088(2006.01) H02M 1/44(2007.01) H05K 7/20(2006.01) (54)发明名称 功率模块 (57)摘要 本发明实施例公开了一种功率模块， 该功率 模块包括： I GBT组件和设置在所述IGBT组件上部 的复合母排； 所述复合母排和所述I GBT组件之间 设置有密封盒结构； 所述密封盒结构内的密封空 腔中灌封有绝缘胶， 以使所述复合母排的下表面 的各端子之间通过所述绝缘胶 进行电气隔离， 以 及所述IGBT组件中IGBT 的各端子之间通过所述 绝缘胶进行电气隔离。 本发明提供了一种能够满 足高海拔的使用要求的功率模块。 权利要求书1页 说明书7页 附图5页 CN 113965094 A 2022.01.21 CN 113965094 A 1.一种功率模块， 其特征在于， 包括： IGBT组件和设置在所述IGBT组件上部的复合母 排； 所述复合母排和所述IGBT组件之间设置有密封盒结构； 所述密封盒结构内的密封空腔 中灌封有绝缘胶， 以使所述复合母排的下表面的各端子之间通过所述绝缘胶进行电气隔 离， 以及所述 IGBT组件中IGBT的各端子之间通过 所述绝缘胶进行电气隔离 。 2.根据权利要求1所述的功率模块， 其特征在于， 所述密封盒结构包括： 第一密封盒部 和第二密封盒部， 所述第一密封盒部和所述第二密封盒部连接； 所述第一密封盒部固定在 所述复合母排的下表面， 所述第二密封盒部与所述 IGBT组件固定连接 。 3.根据权利 要求1所述的功率模块， 其特征在于， 还包括： 水冷基板； 所述IGBT组件固定 在所述水冷基板上； 所述密封盒结构包括： 第一密封盒部和第二密封盒部， 所述第一密封盒部和所述第二 密封盒部连接； 所述第一密封盒部固定在所述复合母排的下表面， 所述第二密封盒部固定 在所述水冷基板上， 所述 IGBT组件位于所述第二密封盒部的内部 。 4.根据权利要求1所述的功率模块， 其特征在于， 在所述复合母排的上表面上设置有用 于隔开不同极性的端子的绝 缘条。 5.根据权利要求1所述的功率模块， 其特征在于， 所述复合母排的上表面的每个端子上 均设置有圆环绝 缘柱。 6.根据权利要求1所述的功率模块， 其特征在于， 在所述复合母排的下表面上设置有用 于隔开不同极性的端子的绝 缘条。 7.根据权利要求1所述的功率模块， 其特征在于， 所述复合母排的下表面的每个端子上 均设置有圆环绝 缘柱。 8.根据权利要求1所述的功率模块， 其特征在于， 所述复合母排的下表面的每个端子的 非接触面上喷涂有绝 缘防护层。 9.根据权利要求 4或6所述的功率模块， 其特 征在于， 所述 绝缘条为E型绝 缘条。 10.根据权利要求1所述的功率模块， 其特征在于， 所述复合母排包括： 直流正极母排、 直流负极母排以及交流端母排； 所述IGBT组件包括一个或者多个单相桥， 每个所述单相桥 由一上桥臂及一下桥臂组成， 所述上桥臂和/或所述下桥臂可以由一IGBT或多个并联的 IGBT组成。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 113965094 A 2功率模块 技术领域 [0001]本发明属于 轨道车辆技 术领域， 具体而言， 涉及一种功率模块。 背景技术 [0002]近几年来， 在大功率 交流传动机车或者动力分散高速动车组中一般都在海拔1500 米以下运行， 最高海拔也不超过2500米。 由于高海拔特殊的气候条件的影响， 对电气产品的 要求比较高， 至少在电气间隙和爬电距离方面比低海拔要大几倍， 例如在额定电压为 DC3600V时， 1500米海拔要求电气间隙为13mm， 爬电距离约为30mm； 而5000米海拔则需要电 气间隙为 42mm， 爬电距离最小为6 0mm。 [0003]但是功率模块上使用的高压大功率电气元件如IGBT、 二极管的设计电气间隙较 小， 例如型号为FZ750R65KE3的IGBT电气间隙为26mm， 爬电距离56mm， 不能满足高海拔的使 用要求。 发明内容 [0004]本发明为了解决现有的功率模块无法满 足高海拔的使用要求的技术问题， 提出了 一种功率模块， 该功 率模块包括： IGB T组件和设置在所述IGBT组件 上部的复合母排； 所述复 合母排和所述IGB T组件之间设置有密封盒结构； 所述密封盒结构内的密封空腔中灌封有绝 缘胶， 以使所述复合母排的下表面的各端子之间通过所述绝缘胶进行电气隔离， 以及所述 IGBT组件中IGBT的各端子之间通过 所述绝缘胶进行电气隔离 。 [0005]可选的， 所述密 封盒结构包括： 第一密封盒部和第二密封盒部， 所述第一密封盒部 和所述第二密封盒部连接； 所述第一密封盒部固定在所述复合母排的下表面， 所述第二密 封盒部与所述 IGBT组件固定连接 。 [0006]可选的， 该功率模块， 还 包括： 水冷基板； 所述 IGBT组件固定在所述水冷基板上； [0007]所述密封盒结构包括： 第一密封盒部和第二密封盒部， 所述第一密封盒部和所述 第二密封盒部连接； 所述第一密封盒部固定在所述复合母排的下表面， 所述第二密封盒部 固定在所述水冷基板上， 所述 IGBT组件位于所述第二密封盒部的内部 。 [0008]可选的， 在所述复合母排的上表面上设置有用于隔开 不同极性的端子的绝 缘条。 [0009]可选的， 所述复合母排的上表面的每 个端子上均设置有圆环绝 缘柱。 [0010]可选的， 在所述复合母排的下表面上设置有用于隔开 不同极性的端子的绝 缘条。 [0011]可选的， 所述复合母排的下表面的每 个端子上均设置有圆环绝 缘柱。 [0012]可选的， 所述复合母排的下表面的每 个端子的非接触面上喷涂有绝 缘防护层。 [0013]可选的， 所述 绝缘条为E型绝 缘条。 [0014]可选的， 所述复合母排包括： 直流正极母排、 直流负极母排以及交流端母排； 所述 IGBT组件包括一个或者多个单相桥， 每个所述单相桥由一上桥臂及一下桥臂组成， 所述上 桥臂和/或所述下桥臂可以由一 IGBT或多个并联的IGBT组成。 [0015]本发明的有益效果 为：说　明　书 1/7 页 3 CN 113965094 A 3