(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202122904647.5 (22)申请日 2021.11.19 (73)专利权人 合肥晶合 集成电路股份有限公司 地址 230012 安徽省合肥市新站区合肥综 合保税区内西淝河路8 8号 (72)发明人 余义祥　王旭东　 (74)专利代理 机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 专利代理师 田婷 (51)Int.Cl. B65D 25/02(2006.01) B65D 81/24(2006.01) B65D 85/30(2006.01) (54)实用新型名称 晶圆运载装置 (57)摘要 本实用新型提供一种晶圆运载装置， 包括在 容置腔体顶部设置NH3过滤器， 过滤进入所述容 置腔体的NH3， 在圆传送盒的底部设置第一进气 口和第一排气口， 在晶圆缓冲室的顶部设置第二 进气口， 通过所述第一进气口和所述第二进气口 分别向所述晶圆传送盒和所述晶圆缓冲室内的 晶圆进行吹扫， 去除晶圆上的水汽。 本实用新型 提供的晶圆运载装置在晶圆进入真空反应腔室 前， 去除了水汽和NH3， 避免水汽和NH3在刻蚀工 艺中与刻蚀气体反应生成气体冷凝体造成刻蚀 不完全， 减少金属互连缺陷， 提高器件的性能。 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 CN 216637266 U 2022.05.31 CN 216637266 U 1.一种晶圆运载装置， 其特 征在于， 包括： 容置腔体， 所述 容置腔体用以对晶圆进行转 运； 风循环过滤单元， 设置于所述容置腔体的顶部， 包括进风孔、 风机及安装于所述进风孔 和所述风机之间的NH3过滤器， 用以过滤进入所述容置腔体的气体， 维持所述容置腔体内部 的洁净等级； 晶圆传送盒， 设置 于输送容置腔体的前侧， 用于容纳晶圆； 晶圆装载埠， 设置 于所述晶圆传送盒的下 方， 用于放置所述晶圆传送盒； 晶圆缓冲室， 设置于所述容置腔体与所述晶圆传送盒相邻一侧， 所述晶圆缓冲室的一 侧与所述 容置腔体连通； 其中， 所述晶圆传送盒的底部设置有第一进气口和第一排气口， 所述晶圆缓冲室的顶 部设置有第二进气口， 通过所述第一进气口和所述第二进气口分别向所述晶圆传送盒和所 述晶圆缓冲室内的 晶圆进行吹扫， 去除晶圆上的水汽。 2.根据权利要求1所述的晶圆运载装置， 其特征在于， 对所述晶圆进行 吹扫的气体包括 氮气或纯 净干燥的惰性气体。 3.根据权利要求1所述的晶圆运载装置， 其特征在于， 所述晶圆装载埠的顶部设置有通 孔。 4.根据权利要求3所述的晶圆运载装置， 其特征在于， 还包括分别与 所述第一进气口和 所述第一排气口连接的第一进气管和 第一排气管， 所述第一进气管和所述第一排气管均从 所述晶圆装载埠的内部通过 所述通孔与所述第一进气口和所述第一 排气口连接 。 5.根据权利要求4所述的晶圆运载装置， 其特征在于， 还包括与 所述第二进气口连接的 第二进气管。 6.根据权利要求5所述的晶圆运载装置， 其特征在于， 所述第 一进气管和所述第 二进气 管上均设有开关阀、 流量调节阀及压力调节阀， 用于控制吹扫的气体进入所述晶圆传送盒 和晶圆缓冲室。 7.根据权利要求1所述的晶圆运载装置， 其特征在于， 所述容置腔体内还设置有第 二排 气口。 8.根据权利要求1所述的晶圆运载装置， 其特征在于， 所述容置腔体内设置有机械手 臂， 用于转 运所述晶圆。 9.根据权利要求1所述的晶圆运载装置， 其特征在于， 所述进风孔在所述容置腔体的顶 部均匀分布， 所述 NH3过滤器覆盖所述进风 孔的分布面积。 10.根据权利要求1所述的晶圆运载装置， 其特征在于， 还包括传送室， 所述传送室的一 侧贴合设置于所述容置腔 体与所述晶圆传送盒相对的一侧， 所述传送室的另一侧贴合设置 于真空反应腔室。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216637266 U 2晶圆运载装置 技术领域 [0001]本实用新型 涉及集成电路制造设备 领域， 特别涉及一种晶圆运载装置 。 背景技术 [0002]在后端金属互连中， 由于铜的低电阻率、 抗电迁移能力强等特点， 取代了铝金属， 成为目前在半导体集成电路互联层的制作中普遍采用的材料， 而且成为了行业标准。 至今， 主流的0.13 μm及以下工艺中， 后端金属互连都采用铜互连工艺。 现用的铜互连集成方案一 般采用双大马士革技术。 在完成前道器件工艺的集 成电路芯片上， 先沉积以多孔型SiOCH介 质和SiCN介质为主的金属间介质层， 通过两步光刻工艺先后定义出通孔和沟道位置， 并采 用刻蚀工艺对通孔和沟道区域进 行图形化， 然后采用电化学镀技术填充 金属铜并完成金属 铜退火处理， 最后采用化学机械抛光技术对集成电路芯片表面进 行平坦化并最终实现金属 布线。 [0003]但随着集成电路制造工艺的发展， 器件的关键尺寸越来越小， 集成度越来越高， 金 属互连线的线宽不断地缩小， 铜互连工艺也面临巨大挑战。 金属互连线的线宽缩小到一定 程度时， 较小的缺陷就会导致良率损失， 如在通孔和沟道区域进 行图形化的刻蚀工艺中， 少 量的湿气和气体HN3可能产生颗粒， 形成气体冷凝体， 导致蚀刻不完全。 具体的， 如图1所示， 在金属间介质层102上形成抗反射层103及图形化的光刻胶层(PR)104， 采用等离子体刻蚀 工艺对所述金属间介质层102进行图形化， 由于气体冷凝体105对图形化的光刻胶层104开 口的阻挡， 导致对所述金属间介质层 102的图形化刻蚀不完全(b lock etch)， 光刻胶层 104 去除(PR strip)后， 刻蚀不完全形成的通孔经金属铜填充工艺后， 并不能与前层金属介质 层101的金属线101 a连接， 造成金属互连缺陷， 影响器件性能。 因此， 如何避免刻蚀工艺中气 体冷凝体的形成是减少金属互连缺陷亟需解决的技 术问题。 实用新型内容 [0004]本实用新型的目的在于提供一种晶圆运载装置， 以避免刻蚀工艺中气体冷凝体的 形成， 减少金属互连缺陷。 [0005]本实用新型提供一种晶圆运载装置， 包括： [0006]容置腔体， 所述 容置腔体用以对晶圆进行转 运； [0007]风循环过滤单元， 设置于所述容置腔体的顶部， 包括进风孔、 风机及安装于所述进 风孔和所述风机之间的NH3过滤器， 用以过滤进入所述容置腔体的气体， 维持所述容置腔体 内部的洁净等级； [0008]晶圆传送盒， 设置 于输送容置腔体的前侧， 用于容纳晶圆； [0009]晶圆装载埠， 设置 于所述晶圆传送盒的下 方， 用于放置所述晶圆传送盒； [0010]晶圆缓冲室， 设置于所述容置腔体与所述晶圆传送盒相邻一侧， 所述晶圆缓冲室 的一侧与所述 容置腔体连通； [0011]其中， 所述晶圆传送盒的底部设置有第一进气口和第一排气口， 所述晶圆缓冲室说　明　书 1/5 页 3 CN 216637266 U 3