(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202123272 297.1 (22)申请日 2021.12.23 (73)专利权人 上海埃瓦智能科技有限公司 地址 201306 上海市浦东 新区自由贸易试 验区临港新片区环湖西二路8 88号C楼 专利权人 绍兴埃瓦科技有限公司 (72)发明人 王赟　张官兴　刘元旭　张泽刚　 (74)专利代理 机构 北京清大紫荆知识产权代理 有限公司 1 1718 专利代理师 郑纯　黄贞君 (51)Int.Cl. H02J 7/00(2006.01) H02M 1/32(2007.01) (54)实用新型名称 减小新增设备容性等效负载对电源冲击的 电路 (57)摘要 本实用为减小新增设备容性等效负载对电 源冲击的电路， 属于充电控制电路的领域， 解决 现有的电路中为负载电容充电时， 瞬时充电电流 所引起电源芯片过流保护或致使其他电路不工 作的技术问题。 包括电源J1、 限流电阻R1和集成 单极型晶体管模块和容性等效负载C1， 其中： 所 述电源的输出端所述集成单极型晶体管模块的 输入端连接， 且并联有所述限流电阻R1， 并设有 电压输入端VIN； 所述集成单极型晶体管模块的 输出端连接 所述容性等效负载C1的输入端， 且所 述集成单极型晶体管模块的输出端和容性等效 负载C1的输入端连接有电源VCC， 容性等效负载 C1和所述集 成单极型晶体管模块的输出端接地。 降低负载电容C1对于电源VCC在上电瞬间 的瞬时 冲击引起电源过流保护。 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 CN 217135174 U 2022.08.05 CN 217135174 U 1.一种减小新增设备容性等效负载对电源冲击的电路， 其特征在于， 包括电源J1、 限流 电阻R1和集成单极型晶体管模块和容 性等效负载C1， 其中： 所述电源的输出端所述集成单极型晶体管模块的输入端连接， 且 并联有所述限流电阻 R1， 并设有电压 输入端VIN； 所述集成单极型晶体管模块的输出端连接所述容性等效负载C1的输入端， 且所述集成 单极型晶体管模块的输出端和容性等效负载C1的输入端连接有电源VCC， 容性等效负载C1和 所述集成单极型晶体管模块的输出端接地； 所述集成单极型晶体管模块在所述电压输入端VIN输入预设电压时， 能够减小或降低容 性等效负载C1对于所述电源VCC在上电瞬 间的瞬时冲击引起电源过流保护。 2.根据权利要求1所述的电路， 其特征在于， 所述集成单极型晶体管模块包括增强型的 PMOS管M1和NMOS管M2组成的互补电路， 能够减小 或降低容性等效负 载C1对于所述电压输入 端VIN在上电瞬 间的瞬时冲击引起电源过流保护。 3.根据权利 要求2所述的电路， 其特征在于， 所述PMOS管M1的源极与所述电源的输出端 连接， 其栅极与所述 NMOS管M2的漏极连接， 其漏极与容 性等效负载C1的输入端连接； 所述限流电阻R1的输入端与所述PMOS管M1 的源极连接， 输出端与所述PMOS管M1 的漏极 连接； 所述NMOS管M2的源极接地， 其 栅极与容 性等效负载C1的输出端连接 。 4.根据权利要求3所述的电路， 其特 征在于， 还 包括分压电阻R2、 R3、 R4和R5， 其中： 分压电阻R2的输入端分别与所述电源的输出端和 所述限流电阻R1的输入端连接， 所述 分压电阻R2的输出端分别与所述PMOS管M1的栅极和NMOS管M2的漏极连接； 分压电阻R3的输入端分别与所述限流电阻R1的输出端和PMOS管M1的漏极连接， 其输出 端与所述 NMOS管M2的栅极连接； 分压电阻R4的输入端分别与分压电阻R2输出端和NMOS管M1的栅极连接， 其输出端与所 述NMOS管M2的漏极连接； 分压电阻R5的输入端分别与所述 NMOS管M2的栅极和分压电阻R3的输出端连接 。 5.根据权利要求1所述的电路， 其特 征在于， 所述电源J1为直流电源。 6.根据权利要 求1所述的电路， 其特征在于， 还包 括电源VCCn， n为自然数， 且每个所述电 源VCCn对应一个容 性等效负载Cm， m为自然数。 7.根据权利要求6所述的电路， 其特 征在于， 相邻电源VC C之间设置有分压电阻R。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 217135174 U 2减小新增设备容性等效负载对电源冲击的电路 技术领域 [0001]本实用新型属于充电控制电路的技术领域， 尤其涉及一种减小新增设备容性等效 负载对电源冲击的电路。 背景技术 [0002]随着微电子技术的发展， 稳定 的电源供电是整个电子系统正常工作的关键所在， 具有过流、 过压保护功能的电源芯片被大规模应用， 以此来驱动负载电路工作， 但由于负载 电路的容性负载特性， 在负载上电的瞬间， 容性负载相当于对地短接， 因此， 会在电路回路 中会产生一个瞬时充电电流， 致使电源芯片过流保护或者电源输出产生较大的瞬时压降而 影响其他电路工作或电子元器件损坏， 如， 负载电容导致上电瞬间导致电源瞬时大电流， 造 成电源芯片过流保护而关闭设备， 或者负载电容上电瞬间导致电源瞬时产生较大压降从而 影响其他电路工作或该电源其 他电子设备工作不 正常。 [0003]有鉴于此， 特提出本实用新型。 实用新型内容 [0004]本实用新型的目的在于提供一种减小新增设备容性等效负载对电源冲击的电路， 解决现有的电路中为负载电容充电时， 由于瞬时充电电流引起电源芯片过流保护或是致使 其他电路不工作的技 术问题。 本 案的技术方案有诸多技 术有益效果， 见 下文介绍： [0005]提供一种减小 新增设备容性等效负载对电源冲击的电路， 包 括电源J1、 限流电阻R1 和集成单极型晶体管模块和容 性等效负载C1， 其中： [0006]所述电源的输出端所述集成单极型晶体管模块的输入端连接， 且并联有所述限流 电阻R1， 并设有电压 输入端VIN； [0007]所述集成单极型晶体管模块的输出端连接所述容性等效负 载C1的输入端， 且所述 集成单极型晶体管模块的输出端和容性等效负载C1的输入端连接有电源VCC， 容性等效负 载C1和所述 集成单极型晶体管模块的输出端接地； [0008]所述集成单极型晶体管模 块在所述电压输入端VIN输入预设电压时， 能够减小或降 低容性等效负载C1对于所述输入端VIN在上电瞬 间的瞬时冲击引起电源过流保护。 [0009]在一个优选或可选的实施方式中， 所述集成单极型晶体管模块包括增强型的PMOS 管M1和NMOS管M2组成的互补电路， 能够减小或降低容性等效负载  C1对于所述电压输入端 VIN在上电瞬 间的瞬时冲击引起电源过流保护。 [0010]在一个优选或可选的实施方式中， 所述PMOS管M1的源极与所述电源的输出端连 接， 其栅极与所述 NMOS管M2的漏极连接， 其漏极与容 性等效负载C1的输入端连接； [0011]所述限流电阻R1的输入端与所述PMOS管M1的源极连接， 输出端与所述  PMOS管M1 的漏极连接； [0012]所述NMOS管M2的源极接地， 其 栅极与容 性等效负载C1的输出端连接 。 [0013]在一个优选或可选的实施方式 中， 还包括分压电阻R2、 R3、 R4和R5， 其中：说　明　书 1/4 页 3 CN 217135174 U 3