(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202123224651.3 (22)申请日 2021.12.21 (73)专利权人 东莞市天翼声学 科技有限公司 地址 523000 广东省东莞 市虎门镇怀德人 民路11号2栋101室 (72)发明人 胡涛　林宗龙　谢杨飞　 (51)Int.Cl. H02J 7/00(2006.01) H04R 1/10(2006.01) H04R 5/033(2006.01) (54)实用新型名称 一种TWS耳机充电盒通讯波形整形电路 (57)摘要 本实用新型公开了一种TWS耳机充电盒通讯 波形整形电路， 包括MCU控制电路、 电压采样电 路、 充电POGO弹针输出电路、 波形整形电路和输 出电压电路， 电压采样电路输出端与MCU控制电 路输入端连接， MCU控制电路输出端与波形整形 电路和输 出电压电路输入端 连接， 电压采样电路 输入端与充电POGO弹针输 出电路输 出端连接， 充 电POGO弹针输出电路输入端与波形整形电路和 输出电压电路输出端连接。 本实用新型在TWS充 电仓增加一个通讯波形整形电路， 减少耳机因充 电仓输出波形失真出现的误判所造成的耳机在 仓内回连手机问题； 减小耳机识别不到关机波形 的几率， 避免影响消费者体验。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 216599084 U 2022.05.24 CN 216599084 U 1.一种TWS耳机充电盒通讯波形整形电路， 其特征在于： 包括MCU控制电路、 电压采样电 路、 充电POGO弹针输出电路、 波形整形电路和输出电压电路， 所述电压采样电路的输出端与 所述MCU控制电路的输入端电性连接， 所述MCU控制电路的输出端与所述波 形整形电路和所 述输出电压电路的输入端电性连接， 所述电压采样电路的输入端与所述充电POGO弹针输出 电路的输出端电性连接， 所述充电POGO弹针输出电路的输入端与所述波 形整形电路和所述 输出电压电路的输出端电性连接 。 2.根据权利要求1所述的一种TWS耳机充电盒通讯波形整形电路， 其特征在于： 所述电 压采样电路包括电容C1、 电阻R8和电阻R9， 所述电容C1一端与所述MCU控制电路的IO   Detection接口连接， 所述电容C1另一端接地， 所述电阻R8与所述电容C1并联， 所述电阻R9 与所述电阻R8并联， 所述电阻R9一端接地。 3.根据权利要求2所述的一种TWS耳机充电盒通讯波形整形电路， 其特征在于： 所述充 电POGO弹针输出电路包括L+1接口、 L ‑1接口、 R+1接口和R ‑1接口， 所述L+1接口与所述R+1接 口并联， 所述 L‑1接口与所述R ‑1接口并联， 所述 L‑1接口与所述电阻R8串联。 4.根据权利要求3所述的一种TWS耳机充电盒通讯波形整形电路， 其特征在于： 所述波 形整形电路包括电阻R6、 电阻R7、 N沟道场效应管Q3和电阻R5， 所述电阻R6与所述MCU控制电 路的IO control接口连接， 所述电阻R6与所述电阻R7并联， 所述电阻R7一端接地， 所述电阻 R7与所述N沟道场效应管Q3的栅极并联， 所述N沟道场效应管Q3的源极接地， 所述N沟道场效 应管Q3的漏极与所述电阻R5串联， 所述电阻R5与所述 L+1接口连接 。 5.根据权利要求4所述的一种TWS耳机充电盒通讯波形整形电路， 其特征在于： 所述输 出电压电路包括电阻R3、 电阻R4、 NPN三极管Q2、 电阻R2、 电阻R1和P沟道场效应管Q1， 所述P 沟道场效应管Q1的漏极与所述电阻R5连接 。 6.根据权利要求5所述的一种 TWS耳机充电盒通讯波形整形电路， 其特征在于： 所述P沟 道场效应管Q1的栅极与所述电阻R2串 联， 所述电阻R2与所述电阻R1并联， 所述电阻R1连接+ 5V电压， 所述电阻R2与所述NPN三极管Q2的集电极连接， 所述NPN三极管Q2的发射极接地， 所 述NPN三极管Q2的基 极与所述电阻R3串 联， 所述电阻R3与所述电阻R4并联， 所述电阻R4一端 接地， 所述电阻R3与所述M CU控制电路的IO  control接口连接 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216599084 U 2一种TWS耳机充电盒通讯波 形整形电路 技术领域 [0001]本实用新型 涉及耳机技 术领域， 具体为 一种TWS耳机充电盒通讯波形整形电路。 背景技术 [0002]现有市场上TWS耳机为了降低充电仓的静态功耗， 很多都采用耳机满电后充电仓 断开输出5V的方式， 采用这种方式断开输出5V前充电仓要打一组波形给耳机， 耳机识别到 相应波形后执 行关机动作， 不然耳机会回连手机 。 [0003]而现市场上TWS耳机充电盒给耳机打波形的电路一般都是采用控制供电源的方 式， 这种方式在耳机快满电轻载的时候， 充电仓打的波 形下降沿延时失真严重， 这个失真容 易造成耳机识别不到相 应的关机波形， 造成耳机满电在仓内出现回连手机的问题， 严重影 响消费者的体验。 实用新型内容 [0004]本实用新型的目的在于提供一种TWS耳机充电盒通讯波形整形电路， 以解决上述 背景技术中提出的问题。 [0005]为了解决上述技术问题， 本 实用新型提供如下技术方案： 一种TWS耳机充电盒通讯 波形整形电路， 包括MCU控制电路、 电压采样电路、 充电POGO弹针输出电路、 波形整 形电路和 输出电压电路， 所述电压采样电路的输出端与所述MCU控制电路的输入端电性连接， 所述 MCU控制电路的输出端与所述波形整形电路和所述输出电压电路的输入端电性连接， 所述 电压采样电路的输入端与所述充电POGO弹针输出电路的输出端电性连接， 所述充电POGO弹 针输出电路的输入端与所述波形整形电路和所述输出电压电路的输出端电性连接 。 [0006]进一步的， 所述电压采样电路包括电容C 1、 电阻R8和电阻R9， 所述电容C 1一端与所 述MCU控制电路的IO  Detection接口连接， 所述电容C1另一端接地， 所述电阻R8与所述电容 C1并联， 所述电阻R9与所述电阻R8并联， 所述电阻R9一端接地， 检测充电 电流。 [0007]进一步的， 所述充电POGO弹针输出电路包括L+1接口、 L ‑1接口、 R+1接口和R ‑1接 口， 所述L+1接口与所述R+1接口并联， 所述L ‑1接口与所述R ‑1接口并联， 所述L ‑1接口与所 述电阻R8串联， 收到信号后控制耳机进行充电或关机 。 [0008]进一步的， 所述波形整形电路包括电阻R6、 电阻R7、 N沟道场效应管Q3和电阻R5， 所 述电阻R6与所述MCU控制电路的IO  control接口连接， 所述电阻R6与所述电阻R7并联， 所述 电阻R7一端接地， 所述电阻R7与所述N沟道场效应管Q3的栅极并联， 所述N沟道场效应管Q3 的源极接地， 所述N沟道场效应管Q3的漏极与所述电阻R5串联， 所述电阻R5与所述L+1接口 连接， 输出控制信号波形。 [0009]进一步的， 所述输出电压电路包括电阻R3、 电阻R4、 NPN三极管Q2、 电阻R2、 电阻R1 和P沟道场效应管Q1， 所述P沟道场效应管Q1的漏极与所述电阻R5连接， 提供充电 电压。 [0010]进一步的， 所述P沟道场效应管Q1的栅极与所述电阻R2串联， 所述电阻R2与所述电 阻R1并联， 所述电阻R1连接+5V电压， 所述电阻R2与所述NPN三极管Q2 的集电极连接， 所述说　明　书 1/3 页 3 CN 216599084 U 3