ICS 31.080 L 40/49 团体 标准 T/CASAS 015—2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET ）功率循环试验方法 Power cycling test method for silicon carbide metal- oxide-semiconductor field-effect-transistor （SiC MOSFET ） 版本：V01.00 2022-07-18发布 2022-07-18实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 T/CASAS 015—2022 I 目 次 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... III 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... IV 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ ............ 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ .................... 1 4 试验装置 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 2 5 试验步骤 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 3 5.1 试验方法 ................................ ................................ ................................ ................................ ................. 3 5.2 试验电路 ................................ ................................ ................................ ................................ ................. 3 5.3 试验夹具及安装 ................................ ................................ ................................ ................................ ..... 4 5.4 试验条件 ................................ ................................ ................................ ................................ ................. 4 5.5 试验设置 ................................ ................................ ................................ ................................ ................. 5 5.6 试验控制和测量 ................................ ................................ ................................ ................................ ..... 5 5.7 试验注意事项 ................................ ................................ ................................ ................................ ......... 5 5.8 终点测量 ................................ ................................ ................................ ................................ ................. 5 6 试验数据处理 ................................ ................................ ................................ ................................ ................ 6 7 试验报告 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 6 参考文献 ................................ ................................ ................................ ................................ .............................. 7 全国团体标准信息平台 T/CASAS 015—2022 III 前 言 本文件按照 GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构 和起草规则》 的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。 本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（ CASA）制定发布，版权归 CASA所有，未经 CASA许 可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASA允许；任何单位或个人引用本文 件的内容需指明本文件的标准号。 本文件起草单位： 工业和信息化部电子第五研究所、江苏宏微科技股份有限公司、 国网智能电网研 究院有限公司 、深圳市禾望电气股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、中国电子科技集团集团 第五十五研究所 、比亚迪半导体股份有限公司 、深圳基本半导体有限公司、 中国航天科技集团公司第八 研究院第八 0八研究所 、南方电网科学研究院有限责任公司、西安交通大学 、东莞南方半导体科技有限 公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。 本文件主要起草人： 陈媛、贺致远、来萍、路国光 、姚天保 、李金元、 李尧圣、谢峰、成年斌、陈 义强、黄云、刘奥、刘昌、徐新兵、吴海平、 唐宏浩、刘伟鑫、李巍巍、王来利 、乔良、徐瑞鹏。 全国团体标准信息平台 T/CASAS 015—2022 IV 引 言 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET) 具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力 强、通态电阻低和开关 损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术