SJ-T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法

ICS31.080.30 CCS L 42 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11824—2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法 Test method for effective output capacitance and change rate with voltage of metal oxide semiconductor field-effect transistor 2022-10-20发布 2023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11824—2022 目次前言. 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 4测试方法. 4.1等效电容测试 4.1.1通则. 4.1.2等效电容测量方法 4.2电压变化率测试， 4.2.1通则 4.2.2电压变化率测试 SJ/T 11793—2022 前言本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国电子技术标准化研究院归口。本文件起草单位：西安芯派电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团第十三研究所本文件主要起草人：罗义、陈周帅、竹永辉、蔡巧娟、冯海科、侯青、崔波、张秋、侯雨晨、辛石磊 AND S

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本文档由人生无常于 2024-10-27 16:19:27上传分享