(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211294102.X (22)申请日 2022.10.21 (71)申请人 拓荆科技股份有限公司 地址 110171 辽宁省沈阳市 浑南区水家 900 号 (72)发明人 张翔宇　吴凤丽　杨华龙　杨天奇　 (74)专利代理 机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 专利代理师 徐伟 (51)Int.Cl. H01L 21/67(2006.01) B08B 5/02(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 一种半导体工艺设备的喷淋板及半导体工 艺设备 (57)摘要 本发明提供了一种半导体工艺设备的喷淋 板及半导体工艺设备， 该喷淋板包括： 上下叠放 的喷淋上板和喷淋面板， 喷淋上板和喷淋面板 之 间构成喷淋腔室， 喷淋上板顶部设有第一进气 口， 工艺反应气体由第一进气口进入喷淋腔室 后， 再通过喷淋面板上的孔洞喷淋至位于喷淋面 板下方的反应腔室； 以及衬板， 衬板设于喷淋上 板和喷淋面板之间， 覆盖喷淋上板的下表面， 在 第一进气口的对应位置也开有孔洞以输入工艺 反应气体 至反应腔室。 权利要求书1页 说明书5页 附图1页 CN 115547892 A 2022.12.30 CN 115547892 A 1.一种半导体工艺设备的喷淋板， 包括： 上下叠放的喷淋上板和喷淋面板， 所述喷淋上板和所述喷淋面板之间构成喷淋腔室， 所述喷淋上板顶部设有第一进气口， 工艺反应气体由所述第一进气口进入所述喷淋腔室 后， 再通过 所述喷淋面板上的孔洞喷淋至位于所述喷淋面板下 方的反应腔室； 以及 衬板， 所述衬板设于所述喷淋上板和所述喷淋面板之间， 覆盖所述喷淋上板的下表面， 在所述第一进气口 的对应位置也 开有孔洞以输入所述工艺反应气体至所述反应腔室。 2.如权利要求1所述的喷淋板， 其特征在于， 所述衬板与 所述喷淋上板之间设有吹扫气 道， 用于吹扫所述喷淋上板的下表面。 3.如权利要求2所述的喷淋板， 其特 征在于， 所述吹扫气道由狭小缝隙构成。 4.如权利要求2所述的喷淋板， 其特征在于， 在所述喷淋上板和所述喷淋面板的顶部还 设有第二进气口， 所述第二进气口与所述吹扫气道相连通以向所述吹扫气道内通入吹扫气 体。 5.如权利要求4所述的喷淋板， 其特征在于， 所述第 一进气口设于所述喷淋上板的顶部 中央， 所述第二进气口位于所述第一进气口旁边的中央偏置位置 。 6.如权利要求4所述的喷淋板， 其特征在于， 吹扫气体由所述第 二进气口进入所述吹扫 气道后， 沿所述吹扫气道分散至所述喷淋上板的边缘位置， 再通过设于所述反应腔室侧周 的排气气道排出 所述喷淋板 。 7.如权利要求6所述的喷淋板， 其特征在于， 所述排气气道的方向自上而下， 所述喷淋 上板在侧周边缘靠近所述吹扫气道末端的位置沿周向开有多个孔洞以将所述吹扫气道与 所述排气气道相连通。 8.如权利要求2所述的喷淋板， 其特征在于， 所述衬板与 所述喷淋上板和所述喷淋面板 之间采用卡接方式 固定连接 。 9.一种半导体工艺设备， 其特 征在于， 包括如权利要求1～8中任一项所述的喷淋板 。 10.如权利要求9所述的半导体工艺设备， 其特征在于， 包括设有如权利要求1～8中任 一项所述的喷淋板的反应腔室。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115547892 A 2一种半导体工艺设 备的喷淋板及半导体工艺设 备 技术领域 [0001]本发明涉及半导体工艺设备 结构， 尤其涉及一种半导体工艺设备中的喷淋板 。 背景技术 [0002]在现有技术中的半导体工艺设备中， 绝大部分的喷淋板装置构造中， 工艺反应气 体与喷淋板是直接接触的。 随着时间的推进及频繁的使用， 工艺气体会在喷淋板的表面累 积， 逐渐生长成膜， 从而影响到后续的喷淋工艺。 [0003]在这样的背景下， 就需要对喷淋板进行定期的吹扫， 以去除其表面附着的工艺气 体， 从而降低下一次工艺使用中可能出现的杂质干扰。 又或者， 在一些技术方案中， 需要定 期整体更 换半导体工艺设备中的喷淋板， 为半导体工艺设备的维护带来诸多不便 。 [0004]为了克服现有技术存在的上述缺陷， 本领域亟需一种喷淋板， 用于半导体工艺设 备中， 通过在喷淋上板与喷淋面板之间增设衬板结构， 从而避免反应气体直接与喷淋上板 接触以造成积累成膜而影响到后续工艺过程中的使用， 同时 降低喷淋板装置的维护难度， 提升工艺设备的使用寿命。 发明内容 [0005]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本 理解。 此概述不是 所有构想到的方面的详尽综览， 并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非 试图界定任何或所有方面的范围。 其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一 些概念以为稍后给 出的更加详细的描述之序。 [0006]为了克服现有技术存在的上述缺陷， 本发明提供了一种半导体工艺设备的喷淋 板， 包括： 上下叠放的喷淋上板和喷淋面板， 该喷淋上板和该喷淋面板之间构成喷淋腔室， 该喷淋上板顶部设有第一进气口， 工艺反应气体由该第一进气口进入该喷淋腔室后， 再通 过该喷淋面板上 的孔洞喷淋至位于该喷淋面板下方 的反应腔室； 以及衬板， 该衬板设于该 喷淋上板和该喷淋面板之间， 覆盖该喷淋上板的下表面， 在该第一进气口的对应位置也开 有孔洞以输入该工艺反应气体至该反应腔室。 [0007]在一实施例中， 优选地， 在本发明提供的半导体工艺设备的喷淋板中， 该衬板与该 喷淋上板之间设有吹扫气道， 用于吹扫该喷淋上板的下表面。 [0008]在一实施例中， 优选地， 在本发明提供的半导体工艺设备的喷淋板中， 该吹扫气道 由狭小缝隙构成。 [0009]在一实施例中， 优选地， 在本发明提供的半导体工艺设备的喷淋板中， 在该喷淋上 板和该喷淋面板的顶部还设有第二进气口， 该第二进气口与该吹扫气道相连通以向该吹扫 气道内通入吹扫气体。 [0010]在一实施例中， 优选地， 在本发明提供的半导体工艺设备的喷淋板中， 该第一进气 口设于该喷淋上板的顶部中央， 该第二进气口位于该第一进气口旁边的中央偏置位置 。 [0011]在一实施例中， 优选地， 在本发明提供的半导体工艺设备的喷淋板中， 吹扫气体由说　明　书 1/5 页 3 CN 115547892 A 3