(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210444781.8 (22)申请日 2022.04.26 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司 地址 100176 北京市北京经济技 术开发区 文昌大道8号 (72)发明人 汤中海　张建坤　赵尊华　胡海洋　 桑强强　蔡亲华　 (74)专利代理 机构 北京天昊联合知识产权代理 有限公司 1 1112 专利代理师 彭瑞欣　王婷 (51)Int.Cl. H01L 21/67(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 半导体工艺设备及其处 理方法 (57)摘要 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备 及其处理方法。 该半导体工艺设备的处理方法， 用于在对晶圆执行工艺之前对工艺腔室内进行 处理， 包括： 对工艺腔室内的残留物进行清理； 在 清理后的工艺腔室内壁上沉积第一致密氧化物 层； 对第一致密氧化物层进行致密化处理， 以在 第一致密氧化物层表面上形成第二致密氧化物 层， 其中， 第二致密氧化物层的含氧量大于第一 致密氧化物层的含氧量。 本申请实施例通过在工 艺腔室内壁上形成第一致密氧化物层及第二致 密氧化物层， 并且第二致密氧化物层的致密性较 佳， 使其在刻蚀工艺过程中不会因为疏松而剥落 为颗粒， 避免其对晶圆造成污染， 从而大幅提高 刻蚀工艺良率。 权利要求书2页 说明书9页 附图3页 CN 114864442 A 2022.08.05 CN 114864442 A 1.一种半导体工艺设备的处理方法， 用于在对晶圆执行工艺之前对工艺腔室内进行处 理， 其特征在于， 包括： 对所述工艺腔室内的残留物进行清理； 在清理后的工艺腔室内壁上沉积第一 致密氧化物层； 对所述第一致密氧化物层进行致密化处理， 以在所述第 一致密氧化物层表面上形成第 二致密氧化物层， 其中， 所述第二致密氧化物层的含氧量大于所述第一致密氧化物层的含 氧量。 2.如权利要求1所述的处理方法， 其特征在于， 所述在清 理后的工艺腔室内壁上沉积第 一致密氧化物层， 包括： 采用第一真空压强及含硅氧的等离子体在所述工艺腔室内壁沉积所述第一致密氧化 物层。 3.如权利要求2所述的处理方法， 其特征在于， 所述对所述第 一致密氧化物层进行致密 化处理， 以在所述第一 致密氧化物层表面上 形成第二 致密氧化物层， 包括： 采用第二真空压强及向所述工艺腔室内通入氧气， 对所述第一致密氧化物层进行氧 化， 以使所述第一 致密氧化物层表面形成第二 致密氧化物层。 4.如权利要求3所述的处理方法， 其特征在于， 所述第一真空压强的数值范围为 45mTorr～55mTorr， 所述第二真空压强的数值范围为12mTor r～18mTor r。 5.如权利要求3所述的处理方法， 其特征在于， 向所述工艺腔室内通入四氯化硅和氧 气， 经电离形成所述含硅氧的等离子体， 其中， 所述四氯化硅的气体流量范围为80sccm～ 100sccm， 所述氧气的气体流 量范围为16 0sccm～200sccm。 6.如权利要求1所述的处理方法， 其特征在于， 所述残留物包括位于所述工艺腔室内的 上半部分、 喷嘴部位以及下半部 分的硅氧化物， 并且依次对所述工艺腔室内的上半部 分、 喷 嘴部位以及下半部分进行清洗 。 7.如权利要求6所述的处理方法， 其特征在于， 采用第 三真空压强及含氟等离子体集中 对所述工艺腔室的上半部分内壁进行刻蚀； 采用第四真空压强及含氟等离 子体集中对所述工艺腔室的喷 嘴部位进行刻蚀； 采用第五真空压强及含氟等离 子体集中对所述工艺腔室的下半部分内壁进行刻蚀； 其中， 所述第三真空压强高于所述第 四真空压强， 并且所述第 四真空压强高于所述第 五真空压强。 8.如权利要求7所述的处理方法， 其特征在于， 所述残留物还包括位于工艺腔室内壁的 含碳聚合物； 所述依次对所述工艺腔室的上半部分、 喷 嘴部位和下半部分进行清洗之后,还 包括： 采用第五真空压强及含氧等离 子体对所述工艺腔室内壁上的含碳聚合物进行刻蚀。 9.如权利要求8所述的处理方法， 其特征在于， 所述第三真空压强的数值范围为 250mTorr～400mTorr； 所述第四真空压强的数值范围为40mTorr～60mTorr； 所述第五真空 压强及所述第四真空压强的数值范围为12mTor r～18mTor r。 10.如权利要求8所述的处理方法， 其特征在于， 向所述工艺腔室内通入三氟化氮或者 六氟化硫， 经电离形成所述含氟等离子体， 其中， 所述三氟化氮或者六氟化硫的气 体流量范 围为350sccm～500sccm； 向所述工艺腔室内通入氧气， 经电离形成所述含氧等离子体， 其权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114864442 A 2中， 所述氧气的气体流 量范围为180sc cm～220sccm。 11.一种半导体工艺设备， 其特征在于， 包括工艺腔室， 所述工艺腔室采用如权利要求1 至10的任一所述的处 理方法进行处 理。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114864442 A 3