ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T29054—2019 代替GB/T29054—2012 太阳能电池用铸造多晶硅块 Casting multicrystalline silicon brick for photovoltaic solar cell 2020-05-01实施 2019-06-04发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 29054—2019 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T29054—2012《太阳能级铸造多晶硅块》。本标准与GB/T29054—2012相比，除 编辑性修改外主要技术变化如下： 修改了适用范围，将“适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块”改为“适用于从铸造技术 制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。产品用于切割成硅片后进一步 制作太阳能电池”（见第1章，2012年版的第1章）。 一删除了规范性引用文件中GB/T6616，SEMIPV1-0709，增加了GB/T1554、GB/T2828.1一 2012、GB/T31854，将GB/T1551GB/T1553、GB/T1557、GB/T1558移到了参考文献（见 第2章，2012年版的第2章）。 删除了硅块的定义，增加了有效高度、类单晶和最大晶粒面积比例的定义（见第3章，2012年 版的第3章）。 删除了分类（见2012年版的第4章）。 一端面尺寸由125mm×125mm、156mm×156mm改为156.75mm×156.75mm，其他尺寸， 建议增减量为1mm的整数倍（见4.1.1，见2012年版的第4章）。 修改了端面尺寸及允许偏差（见4.1.1，2012年版的第4章、5.1.6）。 修改了载流子寿命的要求，由≥1μs改为不小于2us（见4.2.3，2012年版的5.2）。 修改了间隙氧含量的要求，由≤8×1017atoms/cm改为不大于6×1017atoms/cm（见4.3， 2012年版的5.2）。 一增加了类单晶硅块的最大晶粒面积比例和缺陷密度要求及试验方法、检验规则等（见4.7、4.8、 5.13、5.14、第6章）。 删除了硼浓度的要求（见2012年版的5.2）。 修改了检验项目、取样及检验结果的判定（见6.3、6.4、6.5，2012年版的7.3、7.4、7.5）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院、扬州荣德新能源科 技有限公司、英利能源（中国）有限公司。 本标准主要起草人：万跃鹏、唐骏、游达、林清香、苏磊、杨素心、余刚、高长昆、常传波、李建敏、何亮、 陈发勤、孙培亚、张雷、 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T29054—2012。 1 GB/T290542019 太阳能电池用铸造多晶硅块 1范围 本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块（以下简称硅块）的要求、试验方法、检验规则、标志、包 装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容） 本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块） 注：多晶硅块切割成硅片后用于制作太阳能电池 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样 计划 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T31854光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1 有效高度 Eeffective height 硅块符合各项技术要求的可切割高度 3.2 类单晶 quasi-monocrystalline silicon 通过单晶籽晶，以定向凝固法生长形成的铸造多晶，该晶体具有明显与籽晶同方向的大晶粒，也可 称为铸造单晶、准单晶等。 3.3 最大晶粒面积比例 thepercentageof thelargest singlegrain 类单晶硅块横截面上具有指定晶向的最大晶粒区域的面积与类单晶硅块横截面总面积的比值。 4要求 SAG 4.1外形尺寸 4.1.1硅块端面为准方形，端面尺寸为156.75mm×156.75mm，尺寸允许偏差为士0.25mm。如需其 他尺寸，尺寸增减量宜为1mm的整数倍。 4.1.2硅块的有效高度应不小于100mm。 1 GB/T29054—2019 4.1.3硅块的倒角尺寸及角度如图1所示，倒角尺寸为1.5mm土0.5mm，倒角角度为45°土10 4.1.4硅块相邻两面的垂直度如图1所示，垂直度为90允许偏差为士0.25% 倒角角度 倒角尺寸 垂直度 图1倒角尺寸、倒角角度和垂直度示意图 4.2 电学性能 4.2.1 硅块的导电类型为P型。 4.2.2 硅块的电阻率为0.52·cm~3.02·cm。 4.2.3 硅块的载流子寿命应不小于2us。 4.3 间隙氧含量 硅块的间隙氧含量应不大于6X1017atoms/cm。 4.4 代位碳含量 硅块的代位碳含量应不大于5×1017atoms/cm。 4.5 金属杂质总含量 硅块中的金属杂质（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn）总含量应不大于2μg/g。 4.6 表面质量 4.6.1在有效高度内，硅块表面应无目视可见裂纹、崩边、缺口。 4.6.2硅块4个侧面的红外探伤检测结果不应有尺寸大于5mm的点状杂质。 4.6.3硅块侧面的表面粗糙度Ra应不大于0.2μm。 4.7 类单晶硅块的最大晶粒面积比例 类单晶硅块的最大晶粒面积比例应符合表1的规定。常见的不同最大晶粒面积比例的类单晶硅块 参见附录A。 2 GB/T29054—2019 表 1 要求 项目 I类" Ⅱ类 最大晶粒面积比例 100%b <100% I类类单晶硅块相对于直拉单晶硅和区熔单晶硅，可能有更大的位错密度和晶向偏差， 为97%。 4.8 3类单晶硅块的缺陷密度 于横截面积的10%。需方如对腐蚀位错密度有要求，由供需双方协商确定并在合同中注明 注：一般认为类单晶硅块的位错缺陷在荧光光致发光或电致发光下呈现为暗色、无规律的线状缺陷，可通过缺陷区 域与周围区域颜色的差异来判定。 4.9其他 需方如对硅块的技术指标有特殊要求，可由供需双方协商确定并在合同中注明。 5试验方法 5.1 由于多晶硅块及Ⅱ类类单晶硅块表面存在晶界，电阻率、载流子寿命、间隙氧含量、代位碳含量测 试时应尽量避开晶界区域，在中心区域的大晶粒范围内测试，且测试值供参考。 5.2端面尺寸、有效高度和倒角尺寸用游标卡尺或相应精度的量具测量。 5.3 倒角角度和相邻两面的垂直度用万能角度尺或相应精度的量具测量。 5.4 导电类型的检验按GB/T1550的规定进行， 电阻率的检验参照GB/T1551的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行。 5.6 载流子寿命的检验参照GB/T1553的规定进行 5.7 间隙氧含量的检验在硅块底部取样后参照GB/T1557的规定进行。 5.8 代位碳含量的检验在硅块顶部取样后参照GB/T1558的规定进行。 5.9 金属杂质含量的检验按GB/T31854的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行。 5.10硅块表面的裂纹、崩边、缺口用目视检查。 5.11红外探伤检测将硅块置于波长400nm～3000nm红外光源下，红外光人射到硅块，根据穿过缺 陷和硅材料的发射及散射信号的不同，通过摄像机观察成像效果确定缺陷位置，并计算其大小。 5.12表面粗糙度的检验用表面粗糙度测试仪进行 5.13类单晶硅块的最大晶粒面积比例的检查在光强度为4301x～6501x的照明条件下，距硅块 30cm~50cm的位置垂直于硅块横截面目视进行。 5.14：类单晶硅块缺陷密度（除腐蚀位错密度）的检验用荧光光致发光法或电致发光法进行；腐蚀位错 密度的检验按GB/T1554的规定进行 3