ICS 29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 30866—2014 碳化硅单晶片直径测试方法 Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers 2014-07-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30866—2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）及材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。 本标准主要起草人：丁丽、周智慧、蔺娴、郝建民、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。 GB/T30866—2014 碳化硅单晶片直径测试方法 1范围 本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。 2 方法提要 避开碳化硅单晶片主副参考面，选取三个测量位置（如图1所示），沿直径方向用外径千分尺测量碳 化硅单晶片的三条直径，计算直径平均值和直径偏差。 图1直径测量位置示意图 3仪器设备 分度值为0.02mm的外径千分尺或精度相当的其他仪器。 试样准备 4 碳化硅单晶片应清洁、干燥，边缘应光滑、平整。 5 测试环境 5.1 温度:18℃~28℃ 5.2 相对湿度应不大于75%。 6 测试程序 6.1 校正外径千分尺零点。 GB/T 30866—2014 6.2 选取三个测量位置，第一条直径位于主、副参考面的中间，第二条直径垂直于第一条直径，第三条 直径与第二条直径逆时针成30°角（如图1所示）。 6.3 旋出外径千分尺测量杆，放人待测试样，使待测直径处于测量位置。 6.4 旋进测量杆到终止位置。 注：旋转外径千分尺的滚花外轮，听到咯咯的响声即表示千分尺与碳化硅片已接触好。 6.5 记录外径千分尺的读数，取下待测试样。 6.6 重复测量步骤6.3~6.5，直至测完三条直径。 结果计算 7 7.1 直径平均值 碳化硅单晶片直径的平均值（D）按式（1)计算： .(1) 式中： D一第i条直径测量值，单位为毫米（mm）； 测量点1、2、3。 7.2直径偏差 对每一片碳化硅单晶片，其最大直径减去最小直径即为该碳化硅单晶片的直径偏差。 8 精密度 在重复性条件下，本方法测量值的标准偏差小于0.05mm。 9 报告 报告至少应包括以下内容： a) 送样单位； b) 样品名称、规格、编号； c) 直径测量值、平均值和偏差； d) 操作者、审核人签字； e) 测量日期； 本标准编号。 2 GB/T 30866—2014 6.2 选取三个测量位置，第一条直径位于主、副参考面的中间，第二条直径垂直于第一条直径，第三条 直径与第二条直径逆时针成30°角（如图1所示）。 6.3 旋出外径千分尺测量杆，放人待测试样，使待测直径处于测量位置。 6.4 旋进测量杆到终止位置。 注：旋转外径千分尺的滚花外轮，听到咯咯的响声即表示千分尺与碳化硅片已接触好。 6.5 记录外径千分尺的读数，取下待测试样。 6.6 重复测量步骤6.3~6.5，直至测完三条直径。 结果计算 7 7.1 直径平均值 碳化硅单晶片直径的平均值（D）按式（1)计算： .(1) 式中： D一第i条直径测量值，单位为毫米（mm）； 测量点1、2、3。 7.2直径偏差 对每一片碳化硅单晶片，其最大直径减去最小直径即为该碳化硅单晶片的直径偏差。 8 精密度 在重复性条件下，本方法测量值的标准偏差小于0.05mm。 9 报告 报告至少应包括以下内容： a) 送样单位； b) 样品名称、规格、编号； c) 直径测量值、平均值和偏差； d) 操作者、审核人签字； e) 测量日期； 本标准编号。 2