ICS 31.080. 01 L 40 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 11499—2001 半导体分立器件文字符号 Letter symbols for discrete semiconductor devices 2001-11-05发布 2002-06-01实施 中华人民共和国 发布 国家质量监督检验检疫总局 GB/T 11499—2001 目 次 前言 范围 1 2 总则 3 整流二极管 信号二极管包括开关二极管和调整二极管. 4 10 5 射频二极管·. 13 6 光电子器件 24 7 闸流晶体管 双极晶体管 28 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 33 10 场效应晶体管 34 11 其他半导体器件 38 GB/T 11499—2001 前 言 本标准参照了下列国际标准的有关文字符号的内容，对GB/T11499—1989进行修订： IEC60747半导体器件分立器件和集成电路 IEC 60747-1:1983 第1部分总则 IEC 60747-1:1991 第一次补充 IEC 60747-1:1993 第二次补充 IEC60747-1:1996 第三次补充 IEC 60747-2:2000 第2部分整流二极管 IEC 60747-3:1985 第3部分信号二极管（包括开关二极管）和调整二极管 IEC 60747-3:1991 第一次补充 IEC 60747-3:1993 第二次补充 IEC 60747-4:1991 第4部分微波器件 IEC 60747-4:1993 第一次补充 IEC 60747-4:1999 第二次补充 IEC 60747-5:1992 第5部分光电子器件 IEC 60747-5:1994 第一次补充 IEC 60747-5:1995 第二次补充 IEC 60747-6:1983 第6部分闸流晶体管 IEC 60747-6:1991 第一次补充 IEC 60747-6:1994 第二次补充 IEC 60747-7:1988 第7部分双极晶体管 IEC 60747-7:1991 第一次补充 IEC 60747-7:1994 第二次补充 IEC 60747-8:1984 第8部分场效应晶体管 IEC 60747-8:1991 第一次补充 IEC 60747-8:1993 第二次补充 IEC 60747-9:1998 第9部分绝缘栅双极晶体管 本标准与原标准的主要差别是： 原标准全文中“功率耗散”都改为“耗散功率”； 修改了原标准中“2.1.1.2大写基本字母”； 修改了原标准中“2.1.3电流、电压和功率文字符号规则汇总表”； 修改了原标准中“2.3其他量的文字符号”； 修改了原标准中“2.4其他参数”中的部分内容； 删除了原标准中“6.2.2.2其他”中的部分内容； 补充了“2.1.5电流、电压极性标记”； 补充了“2.5用分贝（dB)表示的以对数形式为单位的信号比的文字符号”； 补充了“6.1.1开关时间”； 补充了“第9章绝缘栅双极晶体管”。 I GB/T 11499—2001 本标准自实施之日起，代替GB/T11499—1989《半导体分立器件文字符号》。 本标准由中华人民共和国信息产业部提出。 本标准由全国半导体分立器件标准化分技术委员会归口。 本标准由河北半导体研究所负责修订。 本标准主要起草人：崔波、顾振球、陈海蓉。 本标准首次发布时间：1989年3月31日。 IV 中华人民共和国国家标准 GB/T 11499—2001 半导体分立器件文字符号 代替GB/T11499—1989 Letter symbols fordiscretesemiconductordevices 1范围 本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有 关技术资料。 2总则 2.1电流、电压和电功率的文字符号 2.1.1基本字母 推荐的基本字母有： Ii—电流 U,u或V,—电压 P,p——功率 2.1.1.1大写基本字母的使用 大写基本字母用来表示量的恒定值或从量的周期性波形中得到的值： a）直流值； b）最大(峰)值； c）平均值； d）方均根值； e）峰峰（摆幅)值。 SC 2.1.1.2小写基本字母的使用 小写基本字母用来表示量的周期性波形的瞬态值。 2.1.2下标 2.1.2.1推荐的通用下标 第一下标：F，f—一正向 n—噪声 R,r——反向 其他下标：(AV)——平均值 (BR）击穿 (cr),cr——临界 (D)—直接 M(MAx),m(max) 相对于时间的最大（峰）值 MIN,min- 相对于时间的最小(峰)值 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局2001-11-05批准 2002-06-01实施 1