ICS 29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T 6621—2009 代替GB/T6621—1995 硅片表面平整度测试方法 Testing methods for surface flatness of silicon slices 2009-10-30发布 2010-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 G GB/T 6621—2009 前言 本标准代替GB/T6621一1995《硅抛光片表面平整度测试方法》。 本标准与GB/T6621一1995相比，主要变动如下： 将名称修改为“硅片表面平整度测试方法”； 去掉了目前较少采用的干涉法，只保留了目前常用的电容法； 一增加“引用标准”； 对“方法提要”“仪器装置”“测量程序”“计算”进行了全面修改； 经实验重新确定了精密度； 一在第一章增加本标准适用的试样范围； 在“试样”一章中说明对所测试样的要求。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准主要起草单位：上海合晶硅材料有限公司。 本标准主要起草人：徐新华、严世权、王珍 本标准所替代标准的历次版本发布情况为： GB/T6621—1986,GB/T6621—1995。 I GB/T 6621—2009 硅片表面平整度测试方法 1范围 本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法，切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此 方法。 本标准适用于测量标准直径76mm、100mm，125mm、150mm、200mm，电阻率不大于200α·cm 厚度不大于1000um的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。 2方法概述 2.1将硅片平放人一对同轴对置的电容位移传感器（简称探头）之间，对探头施加一高频电压，硅片与 探头之间便形成了高频电场，其间各形成了一个电容。探头中电路测量其间电流变化量，便可测得该电 容值C。如图1所示。C由式(1)给出： 探头A 硅片 探头B D A,B探头间距离； A探头与上表面距离； a b——B探头与下表面距离； 一硅片厚度。 图1电容位移传感器测量方法示意图 C= ...(1) 9+p 式中： 在上、下探头和硅片表面之间所测得总电容值，单位为法拉（F）； K 自由空间介电常数，单位为法拉每米F/m； 探头表面积，单位为平方米（m）； 一A探头与上表面距离，单位为米（m）； b一B探头与下表面距离，单位为米（m）； 一主要由探头结构而产生的寄生电容，单位为法拉（F）。 2.2由于在测量时，两探头之间的距离D和下探头到下表面的距离6已经在校准时被固定，所以仪器 测得电容值C按式（1）进行计算，就可得到a，从而计算硅片表面平整度和其他几何参数。 2.3选择适当的参考面和焦平面以计算所需参数。 1