ICS29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T 32279—2015 硅片订货单格式输入规范 Specification for order entry format of silicon wafers 2015-12-10发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T32279—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：万向硅峰电子股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限 公司、南京国盛电子有限公司、有研新材料股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、江苏协鑫硅材 料科技发展有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所 本标准主要起草人：朱兴萍、楼春兰、戴文仙、毛卫中、赵纪平、王飞尧、马林宝、孙燕、李慎重、 林清香、杨素心、邹剑秋。 I GB/T 32279—2015 硅片订货单格式输入规范 1范围 本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。 本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电 池用多晶硅片的订货单格式，其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14139 硅外延片 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 GB/T14144 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T 26071 太阳能电池用硅单晶切割片 GB/T29055 太阳电池用多晶硅片 SZIG 1 GB/T32279—2015 GB/T30859太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 GB/T30860太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 YS/T28 硅片包装 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 激光刻号 lasermarking 利用激光把供方代码或其他信息刻于晶片某一位置上，做出标记。 4要求 4.1硅片的物理性能参数、晶体完整性、几何参数、表面质量、包装、检验方法等要求都应在订货单中 体现。 4.2硅单晶研磨片订货单格式应符合表1的规定。 表1硅单晶研磨片订货单格式 用户名称 规范号 订货单号 版本号 特性类型 项目 单位 规格 方法 备注 JCZ JFZ 生长方法 门其他 <100>［ J<111) GB/T1555 L 晶向 L <110) ］其他 门其他 JGB/T1555 晶向偏离度 (°) ]±[ L ］其他 JGB/T1550 导电类型 E JP 1 JN 物理 门其他 性能 JB JP 参数 掺杂剂 JSb JAs J GB/T 1551 电阻率 L ~ 1 门其他 L JGB/T11073 径向电阻率变化 % 不大于[ 其他 GB/T1553 少数载流子寿命 us 不小于[ 其他 2 GB/T32279—2015 表1 (续) 用户名称 规范号 订货单号 版本号 特性类型 项目 单位 规格 法 备注 JGB/T1557 氧含量 不大于[ atoms/cm 1 L ］其他 物理 L JGB/T14144 性能 氧含量径向变化 % 不大于[ 门其他 参数 L JGB/T1558 碳含量 不大于[ atoms/cm 门其他 晶体 L JGB/T 1554 位错密度 个/cm 不大于[ 完整性 [ ］其他 1 JGB/T14140 直径及允许偏差 J±[ J mm L 其他 L JGB/T6618 J±[ 厚度及允许偏差 μm L 其他 L JGB/T 6618 总厚度变化 不大于[ μm 1 L 其他 L JGB/T6619 弯曲度 不大于[ μm [ ］其他 JGB/T6620 翘曲度 不大于[ μm L 门其他 儿何参数 主参考面长度/ L JGB/T13387 J±[ mm [ J 切口尺寸 [ 门其他 主参考面位置/ L JGB/T13388 (110)±1° 切口取向及偏差 L 其他 L ］±[ J L JGB/T13387 副参考面长度 mm L 1无 L 门其他 ］与主参考面成 1± 副参考面位置及 L JGB/T13388 () L 1 偏差 L ］其他 [ 1无 L JR型 JT 型 [ JYS/T 26 边缘轮廓 L 门其他 L 丁其他 倒角片：不大于口 门 L JGB/T12965 边缘崩边 mm 不倒角片：不大于[ 其他 表面质量 GB/T12965 裂纹/缺口 无 其他 3