ICS 29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 30854—2014 LED发光用氮化镓基外延片 Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30854—2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）及材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所。 本标准主要起草人：魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、提刘旺。 SC I GB/T30854—2014 LED发光用氮化家基外延片 1范围 本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片（以下简称外延片）的要求、检验方法和规则以及标志、 包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T191包装储运图示标志 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 SJ/T 11399 半导体二极管芯片测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。5N 4要求 4.1分类 外延片包括LED全结构外延片和按导电类型分为n型和p型两种类型的单层氮化外延片（外延 厚度超过100μm通常称为氮化单晶）。 4.2牌号 外延片牌号表示按照GB/T14844的规定。 4.3规格 外延片直径主要分为Φ50.8mm，Φ76.2mm，@100mm，Φ150mm4种规格，或由供需双方商定。 1 GB/T30854—2014 4.4 LED全结构外延片 4.4.1 外形几何尺寸 全结构外延片外形几何尺寸应符合表1的规定 表 1 单位为毫米 要求 项目 @50.8 Φ76.2 Φ100 Φ150 直径 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.2 参考面尺寸 16.0±1.0 24.0±1.0 32.0±1.0 48.0±1.0 中心点厚度 0.43±0.03 0.52±0.03 0.65±0.03 1.30±0.03 厚度不均勾性 ≤0.02 80'0V ≤0.05 800% 弯曲度 ≤0.04 S00> ≤0.06 <0.08 翘曲度 ≤0.04 S0'0> 90°0> ≤0.08 注：当客户对外延片几何尺寸有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 4.4.2 表面质量 全结构外延片的表面质量应符合表2的规定。 表 2 要求 项目 测试条件 @50.8mm @76.2 mm @100 mm @150mm 六角缺陷 （直径≥300μm） 200X 0个/片 0个/片 0个/片 0个/片 （直径<300μm） 20个/片 30个/片 40个/片 60个/片 细凹坑 （直径≥20 μm） 200X 0个/片 0个/片 0个/片 0个/片 （直径<20μm） 100个/片 150个/片 200个/片 300个/片 细痕 (长度≥5mm) XOS 0个/片 0个/片 0个/片 0个/片 (长度<5mm) 3个/片 5个/片 10个/片 20个/片 白点 (长度≥3 mm) XOS 0个/片 0个/片 0个/片 0个/片 (长度<3mm) 20个/片 30个/片 40个/片 60个/片 注：当客户对外延片表面质量有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 4.4.3 发光波长及波长均匀性 4.4.3.1 发光波长 全结构外延片的发光波长，紫外波段（包括紫光）在200nm～430nm，蓝光波段在430nm～ 2 GB/T30854—2014 490nm，绿光波段在490nm~540nm，其中外延片的典型发光波长应符合表3的规定 表 3 要求 项目 紫外LED外延片 蓝光LED外延片 绿光LED外延片 典型波长/nm 280±10,310±10,380±10 450±10.470±10 500±10,520±10 注：当客户对外延片波长有特殊要求或技术进步改变现有波长时由供需双方在合同中确定。 4.4.3.2 波长均匀性 全结构外延片的波长均匀性应符合表4的规定。 表 4 要求 项目 Φ50.8 mm @76.2 mm @100mm Φ150mm 波长均匀性 <≤6 nm ≤8 nm ≤10 nm ≤10 nm 注：当客户对外延片波长均匀性有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 4.4.4光电参数 全结构外延片的开启电压（V）、峰值波长、漏电流、静电放电敏感度（ESD)等光电参数应符合表5 的规定。 表 5 要求 项目 紫外LED外延片 蓝光LED外延片 绿光LED外延片 开启电压Vr(20mA) ≤5.0 0'8> ≤3.0 V 峰值波长 280±10.310±10.380±10 450±10,470±10 500±10,520±10 nm 漏电流（-8V) ≤0.5 <1 8 μA 抗静电能力ESD ≥4 000 ≥4 000 ≥4 000 V 注：当客户对外延片光电参数有特殊要求或技术进步改变参数时由供需双方在合同中确定。 4.5LED发光用单层外延片 4.5.1 外延片外形几何尺寸 单层外延片外形几何尺寸应符合表6的规定。外延片外延层的厚度应为0.1μm～5μm。 3