ICS 29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29508—2013 300mm硅单晶切割片和磨削片 3oo mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29508—2013 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人：闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。 I GB/T 29508—2013 300mm硅单晶切割片和磨削片 1范围 磨削片（简称硅片）产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直径300mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片，产品将进一步加工成抛光片， 用于制作集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 1558 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测试方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T 29504 300mm硅单晶 GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法 SEMI MF 1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4技术要求 4.1物理性能参数 硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、间隙氧含量、代位碳含量应符合GB/T29504的规定。 1 GB/T295082013 4.2 几何参数 硅片的几何参数应符合表1的规定。硅片所有在表1中未列出的参数规格，按供需双方协商提供 用户有特殊要求的，由供需双方协商提供。 表 1 硅片几何参数要求 项目 指标 硅片直径/mm 301 直径允许偏差/mm ±0. 3 硅片厚度（中心点）/μm 910 切 厚度允许偏差/μm ±15 割 总厚度变化/μm 20 片 翘曲度/μm 50 崩边/mm 0. 8 切口 有 硅片直径/mm 300 直径允许偏差/mm ±0. 2 硅片厚度（中心点）/μm 820 磨 削 厚度允许偏差/μm ± 15 片 总厚度变化/μm 1. 2 翘曲度/μm 45 崩边 无 4.3 晶体完整性 硅片的晶体完整性应符合GB/T29504的规定。 4.4 表面取向 4.4.1 硅片的表面取向为<100>。 4.4.2 硅片表面取向偏离不大于0.5° 4.5 基准标记 直径300mm硅片切口的基准轴取向及尺寸应符合表2要求。 表2 硅片切口的要求 项目 指标 切口基准轴取向及偏差 <110>±1° 深度/mm 1. 00+8:35 角度/(°) 90 2 GB/T29508—2013 4.6表面质量 4.6.1硅切割片崩边的径向延伸长度应符合表1的规定。每个崩边的周长不大于2mm，每片崩边总 数不能多于3个，每批硅片中崩边硅片数不得超过总片数的3%。 4.6.2硅片不允许有裂纹、缺口。 4.6.3硅片经清洗干燥后，表面应洁净、无色斑、无沾污。 4.6.4硅切割片不得有明显切割刀痕 4.6.5硅磨削片表面应无划伤、亮点、刀痕、崩边。 4.7边缘轮廓 硅片经边缘倒角，倒角后的边缘轮廓应符合YS/T26和GB/T26067的规定.特殊要求可由供需 双方协商确定。 5试验方法 5.1 硅片导电类型测量按GB/T1550进行。 5. 2 硅片电阻率测量按GB/T1551或GB/T6616进行。 5.3 硅片径向电阻率变化测量按GB/T11073进行。 5.4 硅片间隙氧含量测量按GB/T1557进行。 5.5 硅片代位碳含量测量按GB/T1558进行。 5.6 硅片直径测量按GB/T14140进行。 5.7 硅片厚度、总厚度变化及平整度测量按GB/T29507进行。 5. 8 硅片翘曲度测量按SEMIMF1390进行。 5. 9 硅片晶体完整性检验按GB/T1554进行。 5.10 硅片表面取向测量按GB/T1555进行。 5.11 硅片切口尺寸的测量按GB/T26067进行。 5.12 硅片切口基准轴取向测量按GB/T13388进行。 5.13 硅片表面质量检验按GB/T6624进行。 5.14 硅片的边缘轮廓检验按YS/T26进行。 6检验规则 6.1检查和验收 6.1.1产品应由供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质 量保证书。 6.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验。若检验结果与本标准（或订货合同）的规定不 符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。 6.2组批 硅片以批的形式提交验收，每批应由按照用户要求的同一规格的硅片组成。 6.3检验项目 每批硅片抽检的项目有：导电类型、晶向及其偏离度、电阻率及径向电阻率变化、厚度和总厚度变 化、翘曲度、表面质量、直径、切口基准轴取向及切口尺寸、边缘轮廓、晶体完整性等。 3