ICS 17.100 N05 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T288562012 硅压阻式压力敏感芯片 Silicon piezoresistive pressure-sensitive chip 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 28856—2012 目 次 前言 范围 规范性引用文件 2 术语与定义 3 分类 4 4. 1 电隔离类型 4. 2 敏感芯片参考感压腔类型 5 基本参数 5. 1 测量范围 5. 2 工作介质 5.3 工作温度范围 5.4 激励电源 要求 6 6.1 总则 6. 2 基本性能要求 试验方法 7 7. 1 环境条件 7. 2 电气连接及外观 7. 3 敏感电阻 7. 4 漏电流 7. 5 击穿电压 7. 6 隔离电压 7.7 零点失调电压 7. 8 常压失调电压 7. 9 静态性能 7. 10 稳定性· 检验规则 8 8. 1 检验分类 8. 2 出厂检验 8.3 型式检验 9标志、包装、运输及贮存 10 9. 1 标志 10 9.2 包装 10 9. 3 运输 10 9.4 贮存 10 I GB/T28856—2012 附录A（规范性附录） 传感器性能指标的计算方法 11 A.1 实际校准特性 11 A. 2 最小二乘法直线方程 11 A.3 满量程输出（Yrs） 12 A, 4 非线性（SL) 12 A.5 迟滞（SH） 12 A.6 重复性（SR) 12 A.7 准确度（) 13 A.8 零点漂移(d,) 13 A.9 热零点漂移(α）) 14 A.10 热满量程输出漂移(β) 14 GB/T28856—2012 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由中国机械工业联合会归口。 本标准起草单位：沈阳仪表科学研究院、传感器国家工程研究中心、国家仪器仪表元器件质量监督 检验中心、昆山双桥传感器测控技术有限公司、大连理工大学、中国电子科技集团公司第四十九研究所、 北京鑫诺金传感技术有限公司、北京瑞普恩德斯豪斯仪表有限公司、南京沃天科技有限公司、中国仪器 仪表协会传感器分会，中国仪器仪表学会仪表元件分会 本标准主要起草人：唐慧、刘沁、徐秋玲、于振毅、张治国、徐淑霞、殷波、王冰、陈信琦、黄正兴、 王文襄、郭宏、宁宁、李延夫、高峰 GB/T 28856—2012 硅压阻式压力敏感芯片 1范围 本标准规定了硅压阻式压力敏感芯片（以下简称敏感芯片）术语和定义、分类、基本参数、要求、试验 方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于硅压阻式压力敏感芯片。 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T191—2008包装储运图示标志 GB/T 2829—2002 周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验） GB/T7665—2005传感器通用术语 3术语与定义 GB/T7665一2005界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 硅压阻式压力敏感芯片siliconpiezoresistivepressure-sensitivechip 利用硅材料的压阻效应，将压力变化转换成电阻变化的压力敏感芯片。 3.2 绝缘介质隔离（ dielectric isolation 用绝缘层（如氧化物）围绕着单片半导体敏感芯片中的元件，使该芯片中的一个或多个元件之间形 成电的隔离。（元件包含弹性膜片） 3.3 多余物foreignmaterial 用压力为80kPa~100kPa细小气流吹不掉的异物。 3.4 SC 钝化层passivationlayer 直接在芯片表面上生长或淀积的氧化硅、氮化硅或其他绝缘材料。 4分类 4.1电隔离类型 按电隔离类型分为： P-N结隔离; 一绝缘介质隔离。 1