ICS 17.100 N 11 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T28854—2012 硅电容式压力传感器 Silicon capacitivepressure sensor 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 28854—2012 目 次 前言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4分类与命名 4.1分类…. 4.2命名. 5基本参数 5. 1 测量范围（量程） 5. 2 工作压力 5.3 工作温度范围 要求 6 6. 1 产品技术条件（详细规范） 6.2 基本性能 6.3 静态性能 6.4 稳定性 6.5 温度影响 6.6 过载（适用时 6.7 静压 6.8 环境性能 6.9 疲劳寿命（适用时） 试验方法 7 7. 1 环境条件 7. 2 试验前准备 7. 3 基本性能 7. 4 静态性能 7.5 稳定性… 7.6 温度影响· 10 7.7 过载· 10 7. 8 静压 10 环境性能 7. 9 11 7. 10 疲劳寿命 13 8检验规则 13 8. 1 检验分类 13 8. 2 出厂检验· 13 8.3 型式检验 14 I GB/T28854—2012 9 标志、包装、运输及贮存 15 9.1产品标志· 15 9. 2 包装 15 9.3 运输· 16 9.4 贮存· 16 附录A（规范性附录） 传感器性能指标的计算方法 17 A. 1 实际工作特性 17 A.2 参比工作直线 17 A.3 满量程输出（Ys） 18 A.4 非线性（） 19 A.5 迟滞（SH） 19 A.6 重复性（SR) 19 A.7 准确度() 20 A.8 零点漂移(d,) 21 A. 9 零点长期稳定性（rz） 22 A.10 满量程输出漂移（rr） 22 A.11 热零点漂移(α) 22 A.12 热满量程输出漂移(β) 22 A.13 振动对传感器零点影响（Z.） 23 GB/T28854—2012 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由中国机械工业联合会归口。 本标准起草单位：沈阳仪表科学研究院、传感器国家工程研究中心、国家仪器仪表元器件质量监督 检验中心、浙江中控仪表有限公司、吉林化工集团仪表有限责任公司、中国仪器仪表协会传感器分会、中 国仪器仪表学会仪表元件分会。 本标准主要起草人：张治国、刘沁、李颖、匡石、徐秋玲、于振毅、丁云、卢宏、刘剑、张娜、刘波、殷波。 GB/T28854—2012 硅电容式压力传感器 1范围 本标准规定了硅电容式压力传感器的术语和定义、分类与命名、基本参数、要求、试验方法、检验规 则及标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于硅电容式压力传感器（以下简称传感器）。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T191一2008包装储运图示标志 GB/T2423.1—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温 GB/T 2423.22008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2423.3—2006 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验 GB/T2423.5—1995 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击 GB/T2423.22一2002电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法试验N：温度变化 GB/T2829—2002 周期检查计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验） GB/T7665—2005 传感器通用术语 GB/T7666—2005 传感器命名法及代码 GB/T14479传感器图用图形符号 GB/T17626.1—2006电磁兼容试验和测量技术 抗扰度试验总论 3术语和定义 GB/T7665一2005界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 AG 基础电容 basecapacitance 正负压腔通大气（表压、差压型)或输人为零压（绝压型）时传感器单个电容的输出电容值。 3.2 电容偏差 capacitance deviation 差动电容式传感器两个基础电容的差值。 3.3 电容增量比 capacitance increasing amount ratio 传感器承受满量程压力时，因压力增加而产生的电容增量的绝对值与其基础电容值的比。 1