ICS 31.200 L 56 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T16525—2015 代替GB/T16525—1996 半导体集成电路 塑料有引线片式载体封装引线框架规范 Semiconductor integrated circuits- Specification of leadframes for plastic leaded chip carrier package 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 16525—2015 目 次 前言 范围 1 规范性引用文件 2 术语和定义 3 技术要求 4 4.1 引线框架尺寸 4.2 引线框架形状和位置公差 4.3引线框架外观 4.4 引线框架镀层 引线框架外引线强度 4.6 铜剥离试验 4.7 银剥离试验 5 检验规则 5.1 检验批的构成 5.2 鉴定批准程序 质量一致性检验 6订货资料 7标志、包装、运输、贮存 7.1标志、包装 7.2 运输、贮存 附录A（规范性附录） 引线框架机械测量 GB/T16525—2015 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T16525一1996《塑料有引线片式载体封装引线框架规范》。 本标准与GB/T16525一1996相比主要变化如下： 按照标准的使用范围，将原标准的标准名称修改为“半导体集成电路塑料有引线片式载体封 装引线框架规范”； —关于规范性引用文件：增加引导语；抽样标准由GB/T2828.1一2012代替SJ/Z9007一87；增 加引用文件GB/T2423.60—2008、SJ20129； 一标准中的4.1由“设计”改为“引线框架尺寸”，并将“精压深度”“绝缘间隙”和“水平引线间距和 位置（引线端部）”的有关内容调整到4.2； 一对标准的“4.2引线框架形状和位置公差”中相应条款顺序进行了调整，并增加了“芯片粘接 区下陷”的有关要求； 修改了标准中对"侧弯”的要求（见4.2.1）：原标准仅规定了（203.2士50.8）mm标称条长上，侧 弯应不大于0.051mm，本标准在整个标称长度上进行规定； 修改了标准中对“卷曲”的要求（见4.2.2）：原标准中仅规定了卷曲变形小于0.51mm，本标准 根据材料的厚度分别进行了规定； 修改了标准中对"条带扭曲”的要求（见4.2.4）：原标准中仅规定了框架扭曲不超过0.51mm， 一 本标准将框架扭曲修改为条带扭曲，并根据材料的厚度分别进行了规定； 修改了标准中对“引线扭曲”的要求（见4.2.5）：原标准中规定了引线扭曲的角度及引线宽度上 的最大偏移量，本标准删除了引线宽度上最大偏移量的规定； 一修改了标准中对“精压深度”的要求（见4.2.6）：原标准未考虑精压深度对精压宽度的影响，简 单的规定了精压深度的尺寸范围。本标准修改为：在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条 件下，精压深度不大于材料厚度的30%，其参考值为0.015mm~0.06mm 一 将“金属间隙”修改为“绝缘间隙”（见4.2.7），并修改了标准中对“绝缘间隙”的要求：原标准规 定“每边最大精压凸出不超过0.051mm，应受金属间隙要求的限制”，本标准修改为“相邻两精 压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔天于0.076mm”； 修改了标准中对芯片粘接区斜度”的要求（见4.2.9）：原标准中分别规定了在打凹和未打凹条 件下的最大斜度，本标准统一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm； 一修改了标准中对“芯片粘接区平面度”的要求（见4.2.11）：原标准4.2.8.2芯片粘接区平面度与 原标准4.2.2.2重复，本标准予以删除。本标准取消了原标准4.2.2.2中每2.54mm芯片粘接 区长度的限制； 要求，本标准统一规定为0.025mm； 一修改了标准中对“凹坑、压痕和划痕”的要求（见4.3.2）：在原标准的基础上增加划痕的有关 要求； 修改了标准中对“局部镀银层厚度”的要求（见4.4.1）：原标准仅规定了局部镀银层的厚度，本 标准对局部镀银层厚度及任意点分别进行了规定； 一修改了标准中对“镀层外观”的要求（见4.4.2）：在原标准的基础上，增加了对镀层外观的相关 要求； I GB/T16525—2015 增加了“铜剥离试验”的有关要求（见4.6）； 一增加了“银剥离试验”的有关要求（见4.7）； 对标准“5检验规则”中相应条款进行修改，并增加了鉴定批准程序和质量一致性检验的有关 内容； 修改了标准中对“贮存”的有关要求：原标准有镀层的保存期为三个月，本标准规定为6个月 (见 7.2); 增加了规范性附录A“引线框架机械测量”。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78)归口。 本标准起草单位：厦门永红科技有限公司。 本标准主要起草人：林桂贤、许金围、洪玉云 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T16525—1996。 IV GB/T16525—2015 半导体集成电路 塑料有引线片式载体封装引线框架规范 1范围 本标准规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体（PLCC)封装引线框架（以下简称引线框架）的 技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体（PLCC)封装引线框架的研制、生产和采购。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.60一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验U：引出端及整体安 装件强度 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T7092半导体集成电路外形尺寸 GB/T14112一2015半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范 GB/T14113半导体集成电路封装术语 SJ20129金属镀覆层厚度测量方法 3术语和定义 GB/T14112一2015和GB/T14113中界定的术语和定义适用于本文件。 4技术要求 4.1引线框架尺寸 引线框架的外形尺寸应符合GB/T7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。 4.2 引线框架形状和位置公差 4.2.1侧弯 侧弯在整个标称长度上不超过0.051mm。 4.2.2卷曲 材料厚度不大于0.152mm时，卷曲为材料厚度的2.5倍；材料厚度大于0.152mm时，卷曲为材料 厚度的2倍。 1