ICS 31.260 L 53 中华人民共和国国家标准 GB/T36360—2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 Semiconductor optoelectronic devices- Blank detail specification for middle power light-emitting diodes 2019-01-01实施 2018-06-07发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T36360—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 本标准由中华人民共和国工业和信息化部（电子）归口。 本标准起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、国家半导体 器件质量监督检验中心、厦门市三安光电科技有限公司。 本标准主要起草人：刘秀娟、赵英、黄杰、彭浩、赵敏、张瑞霞、邵小娟 1 GB/T36360—2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空自详细规范 引言 本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一。 相关文件： GB/T 2423.1—2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温 GB/T2423.3—2016 环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验 GB/T2423.42008 12h循环） GB/T 2423.5 51995 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击 GB/T2423.10—2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc：振动（正弦） GB/T2423.15—2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法试验Ga和导则：稳态加 速度 GB/T 2423.22 -2012 环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化 GB/T2423.23—2013 环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封 GB/T2423.28—2005 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法 试验T:锡焊 GB/T2423.60—2008 电工电子产品环境试验 2第2部分：试验方法 试验U：引出端及整体安 装件强度 GB/T2424.19—2005 电工电子产品环境试验模拟贮存影响的环境试验导则 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T12565—1990半导体器件光电子器件分规范 SJ/T11394—2009半导体发光二极管测试方法 IEC60191-2-DB-2012半导体器件的机械标准化 第2部分：尺寸规格（Mechanical standardization of semiconductor devices-Part 2:Dimensions) IEC60749-21：2011半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性（Semiconductorde- vicesMechanical and climatic tests methodsPart 2l:Solderability) 要求资料 下列所要求的各项内容，应列人规定的相应空栏中。 详细规范的识别： [1]授权发布详细规范的国家标准化机构名称。 [2]IECQ详细规范号。 [3]总规范和分规范的版本号和标准号 ［4]详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何更详细的资料。 器件的识别： SZG [5]］主要功能和型号。 被指出，例如在对照表中列出特性差异。 1 GB/T36360—2018 如果一种器件对静电敏感，应在详细规范中增加警告、小心方面的文字。 [7] 外形图、引出端识别、标志和（或）参考的相关外形标准。 [8] 根据总规范中2.6的质量评定类别。 [9]参考数据。 [注：在整个空白详细规范中，方括号内给出的内容仅供指导制定详细规范时用，而不包括在详细规范中。］ ［授权发布详细规范的国家标准化 ［1]|［IECQ详细规范号、发布号和 [2] 机构的名称」 (或)发布日期」 评定电子元器件质量的依据： [3] GB/T4589.1—2006半导体器件第10部 【详细规范的国家编号］】 [4] 分：分立器件和集成电路总规范 ［如果国家编号与IECQ编号相同，则本栏可不填 GB/T12565—1990半导体器件 光电子 写 器件分规范 详细规范用于：中功率半导体发光二极管，红外发光二极管和紫外发光二极管可参照使用。 [5] ［相关器件的型号] 订货资料：见本规范第7章 机械说明 [7] 简略说明 [6] 1 2 外形标准： 中功率发光二极管 IEC60191-2-DB-2012［如果可行应强制］ 定义：输入功率不小于70mW（GaAlAs/In 国家标准[如果没有IEC外形标准］ GaAIP)或100mW（GaN)，且小于700mW (GaAIAs/InGaAIP)或1 000 mW(GaN)的 LED 类型直插式/表面贴装式.. SAC 外形图： 发光材料：GaAlAs/InGaAIP/GaN基.... [可以放到第10章并给出更多的详细资料] 封装材料：树脂金属/玻璃/陶瓷·. 引出端识别： ［画图说明管脚的功能，包括图形、符号］ 芯片：单芯片/多芯片 标志：［文字、符号或图形 产品电气原理图： [若有的话，详细规范应规定器件上标志的内容] ［见总规范的2.5和（或本规范第6章］ ［可以放到第10章］ [可以增加某些重要的相关数据] 电子信息产品制造厂在生产或制造电子信息产 品时，应当符合电子信息产品有毒、有害物质或元 素控制国家标准或行业标准，采用资源利用率高、 易回收处理、有利于环保的材料、技术和工艺 质量评定类别 [8] 3 ［按总规范的2.6，I类或Ⅱ类或Ⅲ类] 参考数据 [9] 按本规范鉴定合格的器件的有关制造厂的资料，可在现行合格产品一览表中查到 2 GB/T36360—2018 极限值（绝对最大额定值） 4 除另有规定外，极限值要求见表1，这些数值适用于整个工作温度范围。 仅重复使用带标题的条号。任何增加的数值应在适当地方给出，但没有条号。 ［曲线应在本规范第10章中给出。］ 表1 极限值 要求 章条号 极限值 符号 单位 最小 最大 贮存温度 Tst 4.1 X X ℃ 4.2 工作温度 Tanh: X ℃ Taop 4.2.1 工作环境温度 X X 或 4.2.2 T. 管壳温度 X X ℃ 4.2.3 结温（规定时） T) ℃ X 4.3 焊接温度 T sld ℃ （规定最长焊接时间 s. 和/或距管壳的最小距离） mm 4.4 VR 反向电压 X V 4.5 管壳温度为25℃下的直流正向电流 IM mA 或 4.6 环境温度为25℃下的直流正向电流 IF X A 4.7 管壳温度为25℃下的峰值正向电流，规 IFPM X A 定的脉冲条件下（适用时） 或 4.8 环境温度为25℃下的峰值正向电流，规 IFM X A 定的脉冲条件下（适用时） 4.9 管壳温度为25℃下的耗散功率 Prot W 4.10 静电敏感电压（适用时） VesD X v 注：X表示详细规范中应规定的具体值 5光电及色度特性 C 光电及色度特性要求见表2，检验要求见本规范第8章。 [仅重复使用带标题的章条号。任何增加的特性应在适当的地方给出，但没有章条号。 当在同一详细规范中规定系列型号器件时，相关数值应以连续方式给出，避免相同数值的重复。 【特性曲线宜在本规范第10章中给出。 3 GB/T36360—2018 表2光电及色度特性要求 条件 要求 试验 章条号 特性 符号 除另有规定外 单位 分组 Tamb=25 ℃ 最小 最大 5.1 VF I按规定 V 正向电压 X A2b,C2a 5.2 反向电流 IR VR按规定 μA A2b,C2a 十 5.3 平均发光强度 ILEDv或 I按规定，其他条件按 p3 A3 X ILEDe 规定 X W/sr 5.4 01/2 I按规定 半强度角 X X A3,C2a 5.5 光通量 I按规定 X Im A3 或辐射功率 I按规定 mw X A3 5.6 峰值发射波长 I按规定 X X nm: A3 5.7 主波长（适用于单色光） IF按规定 X nm A4 5.8 光谱辐射带宽（适用于单色光） IF按规定 X nm C2a 5.9 显色指数（适用于白光） R. I按规定 X A4 5.10 相关色温（适用于白光） CCT I按规定 X X K A4 5.11 色品坐标 I按规定 X X A4 t,y 5.12 色容差（适用于照明用） SDCM I按规定 A4 5.13 发光效能（适用于白光） I按规定 Im/W X A2b 或辐射效率 I按规定 X A2b 5.14 热阻（规定时） Rth I按规定 X K/W C2a 散热条件按规定 注：×表示详细规范中应规定的具体值 6 标志 SAC ［任何详细资料（除第1章[7]栏中和（或）总规范的2.5给出的之外)应在此给出。］ 7订货资料 除另有规定外，订购一种具体器件至少需要以下内容： 准确的型号（如果要求，标称的电压值）； 一有版本号或日期的IECQ详细规范号； 一按分规范的3.7规定的质量评定类别及如果要求时按分规范的3.6中规定的筛选顺序； 任何其他细节。 8 试验条件和检验要求 表3中给出筛选（仅适用于Ⅲ类）的试验条件和检验要求，表4、表5和表6分别给出了A组检验B 关标准中规定的有关试验予以规定。 4 GB/T 36360—2018 当在同一详细规范中包含若干规格的器