ICS 31.200 L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 36474—2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机 存储器（DDR3SDRAM）测试方法 Semiconductor integrated circuit- Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory (DDR3 SDRAM) 2019-01-01实施 2018-06-07发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 36474—2018 目 次 前言 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 一般要求 4.1 通则 4.2 功能验证的一般要求 4.3 电参数测试的测试向量 4.4 电参数测试的示波器 测试环境 4.5 详细要求 5 5.1 功能验证 5.2 时钟 5.3 读数据参数 5.4 写数据参数 5.5 电源电流（Ipp）/数据管脚的电源电流（IppQ） GB/T36474—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 本标准起草单位：中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电 路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司。 本标准主要起草人：孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明。 Ⅲ GB/T 36474—2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机 存储器（DDR3SDRAM）测试方法 1范围 本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3SDRAM)功能验 证和电参数测试的方法 本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3SDRAM） 功能验证和电参数测试 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 被测器件deviceundertest;DUT 测试过程中的被测对象。 3.2 自动测试系统 automatictest equipment;ATE 集成化的集成电路测试专用系统。自动测试系统配有多路电源，数字测试通道及专用的测试软件 开发环境。1 3.3 工程评估板 evaluationboard:EVB 用于功能验证的测试用工程评估板。工程评估板支持处理器基本功能和扩展功能，配备输人输出 端口，并留有必要的测试接口。 3.4 双倍数据速率doubledatarate;DDR 在每个时钟周期内进行两次数据传输的架构，分别在时钟上升沿和下降沿传输数据。 3.5 同步动态随机存储器 synchronous dynamic random access memory;SDRAM 以时钟为数据同步基准，需要连续的刷新存储数据，并随机指定存储地址的存储器。 1 GB/T36474—2018 4一般要求 4.1通则 器件的功能验证应在工程评估板上通过运行测试程序进行验证，或者使用测试系统进行验证。其 中工程评估板应可运行用于功能验证的测试程序，测试系统的数字测试通道应可实现对被测对象的激 励和测量。 器件的电参数测试应在ATE测试系统上进行测试，或者使用工程评估板及示波器进行测试。 在功能验证时，应在工程评估板上运行功能验证程序，一般性要求应符合4.2的规定。 在电参数测量时，应编制测试向量，使器件处于所需的工作状态才能进行测量。测试向量的一般性 要求应符合4.3的规定。使用示波器测试时，要求应符合4.4的规定。 4.2功能验证的一般要求 功能验证时应将器件分别设置为读写数据的状态，通过运行对存储空间尽可能多的地址遍历程序， 比较读写数据是否一致。读写数据一致性的比较可通过以下两种方式实现： a）在运行操作系统的条件下，通过测试程序对尽可能多的存储空间进行写人和读取数据操作，操 作的数据格式宜使用十六进制数0x10100101（0xA5）与0x01011010（0x5A）交替； b）在运行基本输入输出系统（BIOS)的条件下，运行内存压力测试软件进行写入和读取数据 操作。 4.3电参数测试的测试向量 电参数测试时应使器件处于所需的工作状态，应配合相应的向量。电参数测试的向量应满足器件 不同状态的要求。 在测试时，器件应处于某种指定状态或者应用下 向量应保证在测试过程中器件不会脱离指定的状态或者应用而进入其他状态或者应用。 4.4电参数测试的示波器 使用示波器进行电参数测试时，一般只能测试交直流参数和时序参数，无法测试工作电流参数，应 使用上位机（计算机）使器件处于所需的工作状态。测试时使用的示波器及附件应符合以下要求： a）示波器带宽应不小于被测信号带宽的2.5倍； b）采集信号的探头带宽应不小于被测信号频率的2.5倍； c）示波器应安装相应的电参数分析软件 以测量频率为533MHz的器件时钟信号为例，测试用的示波器带宽应不小于1.6GHz，采集信号 的探头带宽应不小于1.6GHz 4.5测试环境 除适用的有关文件另有规定外，环境温度应按照GB/T17574一1998第N篇第1节中2.1.2规 定。如果环境湿度对测试有影响，应在有关文件中规定， 2 GB/T 36474—2018 5 详细要求 5.1 功能验证 5.1.1目的 验证器件在计算机系统中运行功能是否正常。 5.1.2 测试原理图 功能验证测试原理如图1所示。 功能测试用 被测器件 测试结果 计算机 图 1 功能验证测试原理图 5.1.3测试条件 以下条件应在测试时明确并记录： 环境温度或参考点温度； 电源电压； 一时钟频率及工作条件。 5.1.4测试程序 5.1.4.1 读写数据对比 在运行操作系统的条件下，通过运行测试程序，对器件的指定地址空间连续写人数据，并记录写入 数据的内容；之后读取指定地址空间的数据，记录读取数据的内容。 比较写人数据和读取数据是否一致。 5.1.4.2 2使用内存压力测试软件 运行内存压力测试软件对器件进行连续写入和读取数据操作。 5.1.5 注意事项 使用读写数据对比方法时，宜使用0xA5与0x5A交替的数据 5.2时钟 5.2.1目的 测试规定条件下器件的时钟参数。 器件时钟相关参数的测试包括tck、tcK(avg）、tcH(avg）、tcL(avg)、tjIT(per），twR、tAA、tRp和tRcD等，参数含义见 表1。 3 GB/T36474—2018 表 1 时钟相关参数 符号 参数 时钟周期 tcK(avn) 平均时钟周期 tcH(avg) 高脉冲宽度平均值 teL(ave) 低脉冲宽度平均值 turr(per) 任意时钟与平均时钟信号的偏差 twR 写恢复时间 LAA 内部读命令到第一个数据时间 tRP 预充电命令等待时长 tRCD 激活（ACT)到内部读或写延迟时间 5.2.2 测试原理图 表1所列参数，使用测试系统进行测试时，测试原理如图2所示。 时钟 被测器件 时钟# 测试系统 图2测试系统时钟测试原理图 表1所列参数，使用示波器进行测试时，可以选择使用单端探头或差分探头的连接方式，使用单端 探头的测试原理如图3所示，使用差分探头的测试原理如图4所示。 时钟 通道1 工程 时钟# 通道2 示波器 评估板 图 3 示波器测试时钟原理图（单端探头） 时钟 通道1 T程 时钟# 示波器 评估板 图4示波器测试时钟原理图（差分探头） 5.2.3测试条件 以下条件应在测试时明确并记录： 环境温度或参考点温度； 4