ICS 31.200 L 55 中华人民共和国国家标准 GB/T 34900—2017 微机电系统（MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构 残余应变测量方法 Micro-electromechanical system technology- Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer 2018-05-01实施 2017-11-01发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 34900—2017 目 次 前言 1 范围 2 规范性引用文件 3术语和定义 测量方法 5 影响测量不确定度的主要因素 附录A（资料性附录）光学干涉显微镜的典型形式和主要技术特点 附录B（规范性附录）拟合表面轮廓线余弦函数和计算变形量 GB/T34900—2017 前言 本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草， 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336)提出并归口。 本标准主要起草单位：天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南 京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所。 本标准主要起草人：郭彤、胡晓东、李海斌、于振毅、裘安萍、程红兵、崔波、朱悦。 Ⅲ GB/T349002017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构 残余应变测量方法 1范围 本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。 本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁 结构。 2 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T3505产品几何技术规范（GPS）表面结构轮廓法术语、定义及表面结构参数 GB/T26111微机电系统（MEMS)技术术语 GB/T26113微机电系统（MEMS）技术微几何量评定总则 GB/T34893—2017微机电系统（MEMS）技术基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量 方法 3术语和定义 GB/T3505、GB/T26111和GB/T34893一2017界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 残余应变 residualstrain 存在于材料、结构内部因塑性变形、不均勾温度分布、不均勾相变而形成的并保持平衡的内应变 4测量方法 4.1总则 4.1.1微双端固支梁由于工艺引入的残余应力，导致梁结构发生弯曲变形，通过弯曲变形的测量获取 微双端固支梁内的残余应变，如图1所示。 1