ICS 29.045 H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T 34479—2017 硅片字母数字标志规范 Specification for alphanumeric marking of silicon wafers 2017-10-14发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 34479—2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、浙江省硅材料质量检验中心。 本标准主要起草人：张静、孙燕、边永智、楼春兰。 GB/T 34479—2017 硅片字母数字标志规范 1范围 本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范，包括标志的形状和尺寸、字母数 字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。 本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。 注：字母数字标志及关联信息存入数据库，可被简单的自动光学字符读数（OCR）仪或人工进行独立、快速识别，确 保晶片制造商对晶片标记的一致性。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T14264半导体材料术语 SEMIAUXoo1供应商识别码列表（Listofvendoridentificationcodes) SEMIAUXo15自动光学字符读数字符概述（SEMIOCRcharacteroutlines） 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1 字符间隔 characterseparation 任意字符的相邻边界之间的水平距离。 3.2 字符间距 character spacing 相邻字符的字符中心线之间的水平距离。 3.3 字符倾斜度 characterskew 字符的基线与字符的窗口底部平行线之间的字符倾斜度。 3.4 相邻字符未对准度 charactermisalignment Radj 同一行两个相邻字符的字符基线之间的垂直距离。 3.5 行字符未对准度 line spacing misalignment R ine 同一行中最高和最低字符的基线之间的垂直距离。 4标志的形状和尺寸 4.1写入字符时可使用实线法或点阵法，最小点阵尺寸应为水平方向5个点，垂直方向9个点，如图 门 1 GB/T34479—2017 所示，也可使用更多的点或实线。为了保证识别的可靠性，尤其是对有切口的硅片或有较多的字符时 宜采用更高的点阵密度。自动读数及其可靠性建议参见附录A 字符问隔 问距 + 厚度 高度 宽度 注：图中所示的5×9点阵是所允许的最小点数，也可以使用更多的点，直到使用实线。 图1字符轮廓示意图 4.2字符及间距的尺寸定义如图1所示，具体要求应符合表1的规定。 表1字符尺寸 单位为毫米 要求 字符尺寸 直径100mm、125mm和150mm有参考面的硅片 直径150mm和200mm有切口的硅片 高度 0.812±0.025 1.624±0.025 宽度 0.406±0.025 0.812±0.025 厚度 0.100±0.050 0.200±8:8 字符间距 0.710±0.025 1.420±0.025 最小字符间隔 0.014 0.308 ”字母"N"对角线的厚度应为0.138mm±0.050mm。 5字母数字代码 5.1代码内容 5.1.1 代码由一行18位字符组成，标准字符集见表2，见SEMIAUX015。 5.1.2代码的前8位是由硅片供方提供的唯一性识别码，除第8位应为数字外，第1位～第7位是字母 或数字，第9位和第10位是供方识别码，见表3。代码示例如图2所示，具体可见SEMIAUX001。 5.1.3任意指定位置缺少字符时，应用短划线（-）代替。 表2标准字符集 ABCDEFGHIJKLMNQ PQRSTUUUXYZ- 0123456709 2