ICS 31.200 L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 33657—2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储 单元电学操作参数测试规范 Nanotechnologies-Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scalephase change memory cells 2017-05-12发布 2017-12-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 33657—2017 目 次 前言 I 引言 IN 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 测试仪器和设备 4 5 测试样本结构 6 测试参数的选择 7 测试流程· 8 测试报告 附录A（资料性附录） 相变存储单元测试系统的构建 附录B（资料性附录） 相变存储单元的初始化方法 GB/T 33657—2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中国科学院提出。 本标准由全国纳米技术标准化技术委员会（SAC/TC279）归口。 本标准起草单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所。 本标准主要起草人：陈一峰、陈小刚、宋志棠。 Ⅲ GB/T33657—2017 引言 相变存储器是一种非易失性存储器，其存储单元在外部电场的电热学作用下可在高阻的非晶态和 低阻的多晶态间进行高速可逆的结构变化，变化前后的电阻差别可达10倍以上，从而实现数据存储的 功能。 相变存储单元的电学操作参数包括写操作参数以及擦操作参数。这些参数可以通过本标准的测试 规范准确的提取。它们不仅可以有效评估由相变存储单元构成的相变存储器的若干性能指标，还将为 相变存储器的驱动电路、读出电路以及存储阵列的设计提供依据 相变存储单元可使用的相变材料种类繁多，可实现的器件结构也不唯一。本标准的测试规范可以 为不同相变材料、不同相变单元器件结构的性能表征以及相变存储器量产过程中工艺稳定性的监控提 供有效的手段 由于操作电流和相变存储单元的电极尺寸关系密切，过大的电极尺寸会导致操作电流和功耗激增， 相应的电学操作参数测试规范也可能超出本标准规定的范围。具体到本标准，我们制定适用于存储器 的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm～300nm的相变存储单元也可参照本标准执行 IV