ICS 29.045 H 83 中华人民共和国国家标准 GB/T11094—2020 代替GB/T11094—2007 水平法砷化镓单晶及切割片 Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method 2021-08-01实施 2020-09-29发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T 11094—2020 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T11094—2007《水平法砷化单晶及切割片》。与GB/T11094—2007相比，除编 辑性修改外，主要技术变化如下： 删除了范围中的单晶锭及微波器件（见2007年版的第1章）； 删除了规范性引用文件中的GJB1927，增加了GB/T13388、GB/T14844（见第2章，2007年 版的第2章）； 删除了术语和定义中的3.1～3.8（见2007年版的第3章）； 修改了产品的牌号表示方法及分类（见第4章，2007年版的第4章）； 修改了砷化单晶生长方向中的偏转角度（见5.1.1，2007年版的4.3.1）： 删除了半绝缘砷化镓单晶的要求及试验方法（见2007年版的4.3.2、4.4.3、5.1)； 删除n型非掺杂砷化单晶的要求（见2007年版的4.3.2）； 修改了p型掺锌化傢单晶的载流子浓度范围（见5.1.2，2007年版的4.3.2）； 修改了位错密度的分级及要求（见5.1.3，2007年版的4.3.3)； 一增加了直径82.0mm砷化镓切割片及对应砷化单晶的要求（见5.1.4.2、5.2）； 晶锭高度误差不大于4mm改为单晶厚度变化应不大于2mm（见5.1.4.2，2007年版的4.4.1）； 增加了关于砷化镓切割片电学性能、位错密度的说明（见5.2.1）； 修改了砷化镓切割片厚度的要求（见5.2.3，2007年版的4.5.1）； 修改了砷化镓切割片晶向偏离的要求（见5.2.4，2007年版的4.5.2）； 修改了砷化单晶及切割片的检验规则相关内容（见第7章，2007年版的第6章）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位：有研光电新材料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、广东先导先进材料股 份有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、雅波拓（福建）新材料有限公司。 本标准主要起草人：于洪国、林泉、马英俊、赵敬平、李素青、马远飞、李万朋、许所成、权盼、朱刘、 周铁军、闫方亮、杨丽霞、付萍。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： -GB/T11094—1989GB/T11094—2007。 GB/T11094—2020 水平法砷化镓单晶及切割片 1范围 本标准规定了水平法砷化镓单晶（以下简称砷化单晶）及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、 检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化单晶及切割片。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T8760 砷化单晶位错密度的测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4牌号及分类 4.1牌号 砷化单晶及切割片的牌号按照GB/T14844的规定进行表示。如有特殊要求，由供需双方协商 并在订货单（或合同)中注明。 4.2分类 4.2.1砷化镓单晶按导电类型分为n型和p型。 4.2.2砷化切割片按直径分为50.8mm、63.5mm、76.2mm、82.0mm四种规格。 5要求 5.1砷化单晶 5.1.1生长方向 1 GB/T11094—2020 方工艺保证。如需其他生长方向的砷化镓单晶由供需双方协商确定。 5.1.2电学性能 砷化镓单晶的电学性能应符合表1的规定。 表1 电学性能 载流子浓度 迁移率 导电类型 掺杂剂 cm-3 cm"/(V · s) IS 8×1016~5×1018 ≥1 100 n Te 8X1016~5×1018 ≥1500 p Zn 1×1019~5×1019 ≥50 5.1.3位错密度 砷化镓单晶按位错密度分为2级，应符合表2的规定。 表2位错密度 位错密度 级别 cm=2 1 000 ≤10000 5.1.4外形尺寸 5.1.4.1砷化镓单晶侧面如图1所示。砷化镓单晶截面为D形，一端或两端应按需方要求的晶面切出 平整的基准面，如图2所示。 基准面法线方向 1. 单品生长方间 底面 基准面法线扣反方间 说明： B 基准面长度； 砷化镓单晶长度； L T 砷化镓单晶厚度； β-——基准面法线与生长方向夹角。 图 1 化镓单晶侧面示意图 2