ICS 29.045 CCS H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T41325—2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑 硅单晶抛光片 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit 2022-10-01实施 2022-03-09发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T41325—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任， 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导 体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股 份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司。 本文件主要起草人：孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲 潘金平。 1 GB/T41325—2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑 硅单晶抛光片 1范围 本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称LoW-COP抛光片）的技术要求、试验 方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向<100>、电阻 率0.12·cm~1002·cm的Low-COP抛光片。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T12962 硅单晶 GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T29504 300mm硅单晶 GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T29508 300mm硅单晶切割片和磨削片 GB/T32280 硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法 GB/T39145 硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 YS/T28硅片包装 YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法 SEMIM43 晶片纳米形貌报告指南（Guideforreportingwafernanoyopgraphy） SEMIM67 晶片近边缘几何形态的评价ESFQR、ESFQD、ESBIR法（Testmethodfor determining wafer near-edge geometry from a measured thickness data array using the ESFQR, ES- FQD,andESBIRmetrics) SEMIM68晶片近边缘几何形态的评价高度径向二阶导数法（Testmethodfordetermining wafer near-edge geometry from a measured height data array using a curvature metric,ZDD) SEMIM7o晶片近边缘几何形态的评价局部平整度法（Testmethodfordeterminingwafer near-edge geometry using partial wafer site flatness) 1 GB/T41325—2022 SEMIM77 7晶片近边缘几何形态的评价 边缘卷曲法（Testmethodfordeterminingwafernear edge geometry using roll-off amount,ROa) 术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 局部光散射体 localizedlight-scatterer;LLS 晶片表面上的颗粒或蚀坑导致相对晶片表面光散射强度增加的一种孤立的特性。 注1：局部光散射体有时被称为光点缺陷，早期也被称为亮点缺陷。 注2：当局部光散射体的尺寸足够大时，在高强度光照射下呈现为可目视观察到光点，但这种观察是定性的。 注3：用现代自动检测技术（如激光散射作用）观测局部光散射体，在能够区分不同散射强度的散射物的意义上，自 动检测技术是定量的。 注4：局部光散射体的存在也未必降低晶片的实用性 3.2 晶体原生凹坑 crystal originatedpit;COP 在晶体生长中引入的一个凹坑或一些凹坑 注：当它们与硅片表面相交时，类似LLS。在使用扫描表面检查系统观察时，在一些情况下它们的作用与颗粒类 似，因此最初这种缺陷被称为晶体原生颗粒（crystaloriginatedparticulate）。现代的扫描表面检查系统一般能 够从颗粒中区分出晶体原生凹坑，当晶体原生凹坑存在时，表面清洗或亮腐蚀可能会增大其被观察的尺寸和 数量。 4 技术要求 物理性能 4.1 4.1.1 LOW-COP抛光片的导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体完整性应符合 GB/T12962或GB/T29504的规定。 4.1.2LoW-COP抛光片的直径及允许偏差、表面取向、切口尺寸或参考面尺寸应符合GB/T12965或 GB/T29508的规定。 4.2 几何参数 Low-COP抛光片的几何参数应符合表1的规定 表1） 几何参数 单位为微米 不同直径Low-COP抛光片几何参数的要求 项目 200mm 300mm 厚度（中心点）及允许偏差 725±15 775±20 总厚度变化 4 ≤1.5 弯曲度 ≤40 ≤40 翘曲度 ≤40 ≤40 总平整度 <3 ≤1.0 2 GB/T41325—2022 表1 几何参数（续） 单位为微米 不同直径Low-COP抛光片儿何参数的要求 项目 200mm 300mm SBIR SBIR 80> 0.6 (25mm×25mm) (26mmX32mm) 局部平整度（边缘扩展，PUA100%） SFQR SFQR 《0.1 (25mm×25mm) (26mmX32mm) 4.3 表面质量 Low-COP抛光片的表面质量应符合表2的规定。 表2 表面质量 不同直径Low-COP抛光片表面质量的要求 项目 200mm 300mm ≥0.12 μm <25 <20 ≥0.2 μm <7 <5 总的（包括COP） 局部光散 ≥0.3 μm <3 <1 射体(LLS) 其他尺寸 供需双方协商确定 个/片 ≥0.12μm ≤20 5 仅COP ≥0.16 μm ≤10 ≤2 区域沾污 无 划伤 无 正 表 蚀坑 无 面 崩边 无 裂纹，鸦爪 无 凹坑 无 沟(槽) 无 小丘 无 无 橘皮、波纹 线痕 无 雾 无 区域沾污 无 背 崩边 无 表 裂纹、鸦爪 无 面 线痕 无 3 GB/T41325—2022 4.4 表面金属 LoW-COP抛光片的表面金属含量应符合表3的规定。 表3 表面金属含量 单位为10°每平方厘米 不同直径Low-COP抛光片表面金属含量的要求 金属元素 200mm Na <5 <1 IV <5 <1 K <5 <1 Ca <5 <1 Mn <3 <1 Cr <3 <1 Fe <3 <1 Ni <3 <1 Cu <3 <1 Zn <3 <1 4.5 体金属（铁）含量 200mm直径Low-COP抛光片体金属（铁）含量应不大于1×1010cm-3，300mm直径Low-COP 抛光片体金属（铁）含量应不大于5×10°cm-” 4.6 氧化诱生缺陷 Low-COP抛光片的氧化诱生缺陷应不大于10个/cm。 4.7 7其他 LoW-COP抛光片的表面微粗糙度、表面纳米形貌、近边缘几何形态及其他特殊要求由供需双方协 商确定并在订货单中注明。 5 试验方法 5.1 导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。 5.2 电阻率的测试按GB/T6616的规定进行 5.3 厚度、总厚度变化、总平整度及局部平整度的测试按GB/T29507的规定进行 5.4 弯曲度、翘曲度的测试按GB/T32280的规定进行。 5.5 局部光散射体的测试按GB/T19921的规定进行。 5.6 表面质量（除局部光散射体）的检验按GB/T6624的规定进行。 5.7 表面金属含量的测试按GB/T39145的规定进行。 5.8 体金属（铁）含量的测试按YS/T679的规定进行，或由供需双方协商确定。 4 GB/T41325—2022 5.9氧化诱生缺陷的检验按GB/T4058的规定进行， 5.10表面微粗糙度的检验按GB/T29505的规定进行 5.11表面纳米形貌的检验按SEMIM43的规定进行