ICS 29.080.10 K 48 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T26218.2—2010 代替GB/T5582-1993,GB/T164341996 污移条件下使用的高压绝缘子 的选择和尺寸确定 第2部分：交流系统用瓷和玻璃绝缘子 Selection and dimensioning of high-voltage insulators intended for use in polluted conditions-- Part 2 :Ceramic and glass insulators for a. c. systems (IEC/TS60815-2:2008,MOD) 2011-01-14发布 2011-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T26218.2—2010 目 次 前言 1 范围和目的 2 规范性引用文件 3 术语和定义、缩略语 4 原理 5 材料 6 现场污移度的测定 参考统一爬电比距（RUSCD）的确定 外形的选择 9. 外形参数的核对 10 RUSCD的校正 11 11 需求的最小公称爬电距离的确定 12 12试验验证 12 附录A（资料性附录） 本部分与IFC/TS60815-2.2008的技术差异及其原因， 参考文献 15 GB/T26218.2—2010 前言 GB/T26218污移条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定》分为5个部分： 第1部分：定义、信息和般原则 一第2部分，交流系统用瓷和玻璃绝缘子 第3部分：交流系统用聚合物绝缘子 一第4部分：直流系统用瓷和玻璃绝缘子 第5部分：直流系统用聚合物绝缘子 本部分为GB/T26218的第2部分。 本部分修改采用了1EC/TS60815-2：2008《污移条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定第2 部分：交流系统用瓷和玻璃绝缘子》英文版）。 本部分与IEC/TS60815-2相比，在8.1中增加了双层伞外形，在图中增加了示出双层伞盘形悬式 外形的图7，将IEC/TS60815-2中交替伞中的三层伞盘形悬式与双层伞盘形悬式列入同一类型， 考虑到我国国情，在采用IEC/TS60815-1.2008时，本部分还作了--些修改。有关技术性差异已编 人正文并在它们所涉及的条款的页边空白处用垂直单线（|）标识。在附录A中给出了这些技术性差 异及其原因的一览表以供参考。 为便于使用，本部分还做了下列缤辑性修改 a）“本技术规范”一词改为“本部分”； b）用小数点“"代替作为小数点的逗号“，”， c除IEC/TS60815-1：2008的前言； d）将3.2的编号改为3.1.1，将3.3的编号改为3.1.2,将3.4的编号改为3.2。 除上述d)中的编辑性修改和增加了附录A外，本部分其余章条编号和IEC/TS60815-2：2008 一致。 第1部分和本部分涵益了GB/T5582—1993和所有的技术内容。本部分与GB/T5582—1993和 GB/T16434—1996相比，相关的技术内容变化如下： 本部分规定了RUSCD的确定方法和较全面的对其校正的方法。GB/T5582—1993和GB/T16434— 1996虽然都规定了爬电比距分级数值（与本部分规定的RUSCD意义相同），但均未规定按外形适应 性、外形参数、以及按海拔、绝缘子直径校正爬电比距的方法。 本部分规定了较全面的人工污移试验参数。GB/T5582—1993虽然规定了人工污移耐受值（与本 部分规定的RUSCD意义相同），但仅涉及了固体层法，未规定盐雾法。而且在固体层法中只考虑了 ESDD，未考患NSDD。GB/T16434—1996未规定人工污移试验参数。 GB/T26218的第1部分与GB/T5582—1993和GB/T16434—1996相关的技术内容变化见该部 分的前言： 本部分和第1部分代替GB/T5582-—1993高压电力设备外绝缘污移等级》、GB/T16434—1996 《高压架空线路和发电厂、变电所环境污分级及外绝缘选择标准》。 本部分的附录A为资料性附录。 本部分由中国电器工业协会提出。 本部分由全国绝缘子标准化委员会归口（SAC/TC80）。 本部分起草单位：西安高压电器研究院有限责任公司西安电瓷研究所、重庆大学、清华大学、国网电 GB/T26218.2—2010 力科学研究院、中国电力科学研究院、南方电网超高压输电公司、苏州电瓷厂有限公司、唐山高压电瓷有 限公司、NGK唐山电瓷有限公司，自贡赛迪维尔有限公司、西安西电高压电瓷有限责任公司、南京电气 （集团）有限公司、大连电瓷有限公司、浙江电力试验研究院。 本部分主要起草人：李大楠、姚君瑞、舒立春、梁曦东、将兴良.杨迎建、吴光亚、宿志、范建斌、 肖勇、陆洲、杨明、董刚、何勇、王卫国、石玉秉、张继军、叶自强、王云鹏。 GB/T26218.22010 污移条件下使用的高压绝缘子 的选择和尺寸确定 第2部分：交流系统用瓷和玻璃绝缘子 1范围和目的 GB/T26218的本部分适用于污条件下交流系统用瓷和玻璃绝缘子的选择和尺寸确定。本部分 规定了所设定绝缘子在一定污移环境下得出其可能性能的判断方法的特定导则和原理。 GB/T26218,1适用于本部分。本部分的结构基础以及方法在GB/T26218.1有详细的说明。 本部分提供给使用者的目的在于： ?从现场污移度（SPS）等级确定参考统一爬电比距（USCD）； 毒，评定各种绝缘子外形的适宜性； 对RUSCD就绝缘子形状、尺寸和位置等实施校正以确定必需的USCD； 如有要求，确定验证所选取绝缘子性能的适当的试验方法和参数。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过GB/T26218的本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件， 其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的 各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。 GB/T2900.8电工术语绝缘子（GB/T2900.8—2009,IEC60050-471：2007,IDT） GB/T4585交流系统用高压绝缘子的人工污移试验（GB/T4585--2004，1EC60507：1991，IDT） GB/T26218.1污移条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定第1部分：定义、信息和一般 原则（GB/T26218,1-2010,IEC/TS60815-1.2008,MOD) 3术语和定义、缩略语 下列术语和定义、缩略语适用于本部分。 3.1术语和定义 下面给出的定义是GB/T2900.8中没有出现的或者是与GB/T2900.8中的不同的。 3.1.1 统一肥电比距 unified specific creepage distance USCD 绝缘子的爬电距离除以该绝缘子上的最高运行电压（方均根值）， 比1，此定义与爬电比距定义不同，那里使用了设的最高电压的相对相值（对于交流系统，通常为U./V3）。对相 对地绝缘，此定义的值是GB/T2900.8一1995定义的限电比距值的V3倍， 注2U.为设备最高电压（见IEC60050-604中604-03-01)。 注3：USCD速带以mm/kV表示并且一般表示为最小值. 3. 1. 2 参考统一爬电比距 reference unified specific creepage distance RUSCD 按本部分就尺寸、外形和安装位置等进行校正前对一污移现场的USCD的最初值。它通常以 mm/kV表示. 1 GB/T26218.2—2010 3.2缩略语 CF 爬电因数 ESDD 等值附盐密度 NSDD 不溶沉积物密度 SDD 附盐密度 SES 现场等值盐度 SPS 现场污移度 USCD 统一爬电比距 RUSCD参考统一爬电比距 4原理 绝缘选择和尺寸确定的全部过程摘要于下： 首先，使用GB/T26218.1： 根据现有知识，时间和资源确定所适用的方法1、方法2或方法3； 收集必要的输入数据，特别要注意系统电压、所使用的绝缘的类型（线路、支柱、套管等）； 收集必要的环境数据，特别要注意现污移度和等级 在这个阶段可初步选择适合于应用和环境的合理的候选绝缘子。 然后，使用本部分： 进一步选择适合于该环境的合理的候选瓷或玻璃绝缘子， 使用本部分中的指出的方法或者在方法1情况下根据运行或试验站经验，对绝缘子类型和材 料确定RUSCD（第7章）； 对于环境类型选敢适宜的外形（第8章）： 检验该外形是否满足一定的参数，按偏差程度进行校正或计算（第9章）； · 当必要时（方法2和方法3）使用取决于候选绝缘子的尺寸、外形和方向等因数修改该RUSCD （第10章和11章）； 检验这样产生的候选绝缘子是否满足系统和钱路的其他要求，例如GB/T26218.1中表2的要 求（例如所必须的几何、尺寸、经济特性）； ：在方法2情况下，如有要求时用试验室试验检验其尺寸确定（见第12章）。 注：没有足够的时间和资源（即使用方法3）时，必要的USCD的确定将具有较小的准确度 5材料 本部分适用于瓷和玻璃绝缘子。作为指导，本部分在这里假定绝缘子是标准制造的，没有任何表面 改进或处理。 目前存在一紫改善这样的绝缘子在污移条件下性能的技术，如，半导电釉和僧水性覆盖层。在目前 还不可能给出用这些技术改进的优点和耐久性的具体信息。 对于瓷和玻璃绝缘子在污移条件的相对性能来说，这些材料间的一致性没有显著的差别；因此玻璃 6现场污移度的测定 为了标准化的目的，在GB/T26218.1中定性地定义了从很