ICS 31.200 L 56 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 158762015 代替GB/T15876—1995 半导体集成电路 塑料四面引线扁平封装引线框架规范 Semiconductor integrated circuits- Specification of leadframes for plastic quad flat package 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T15876—2015 目 次 前言 范围 1 规范性引用文件 2 术语和定义 3 技术要求 4 4.1 引线框架的尺寸 4.2 引线框架形状和位置公差 4.3 引线框架外观 4.4 引线框架镀层 4.5 引线框架外引线强度 4.6 铜剥离试验 4.7 银剥离试验 5检验规则 5.1 检验批的构成 5.2 鉴定批准程序 5.3质量一致性检验 6订货资料 7标志、包装、运输、贮存. 7.1标志、包装· 7.2运输、贮存 附录A（规范性附录） 引线框架机械测量 GB/T15876—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T15876一1995《塑料四面引线扁平封装引线框架规范》。 本标准与GB/T15876一1995相比主要变化如下： 引线框架规范”； 用文件GB/T2423.60—2008、SJ20129； 一标准中的4.1由“设计”改为“引线框架尺寸”，并将原标准中引线键合区宽度、精压深度和金属 间隙的有关内容调整到4.2； 一对标准的“4.2引线框架形状和位置公差”中相应条款顺序进行了调整，并增加了芯片粘接区 下陷的有关要求； 修改了标准中对"卷曲”的要求（见4.2.2）：原标准中仅规定了卷曲变形小于0.51mm，本标准 根据材料的厚度分别进行了规定； 修改了标准中对“横弯”的要求（见4.2.3）：原标准中仅规定了引线数52～100、132～164、196~ 244三个范围内的横弯值，本标准扩大了引线数涵盖的范围； 修改了标准中对“条带扭曲的要求（见4.2.4）：原标准中仅规定了框架扭曲不超过0.51mm， 一 本标准将框架扭曲修改为条带扭曲，并根据材料的厚度分别进行了规定； 修改了标准中对“引线扭曲”的要求（见4.2.5）：原标准中规定了引线扭曲的角度及引线宽度上 的最大偏移量，本标准删除了引线宽度上最大偏移量的规定； 一修改了标准中对“精压深度”的要求（见4.2.6）：原标准未考虑精压深度对精压宽度的影响，简 单的规定了精压深度的尺寸范围。本标准修改为：在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条 件下，精压深度不大于材料厚度的30%，其参考值为0.015mm~0.06mm； 一 将“金属间隙”修改为“绝缘间隙”，并修改了标准中对“绝缘间隙”的要求（见4.2.7）：原标准规 定"金属与金属的间隙应受金属间隙的要求限制，每边最大精压凸出不超过0.051mm”，本标 准修改为“相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.076mm”； 修改了标准中对“精压引线端共面性”的要求（见4.2.8）：原标准中规定的公差范围为 土0.15mm、土0.2mm，本标准考虑到极限情况把负差改为一0.1mm； 件下的最大斜度，本标准统一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm； 将“芯片粘接区平整度”改为“芯片粘接区平面度”，并修改了标准中对“芯片粘接区平面度”的 要求（见4.2.11）：取消了原标准中每2.54mm芯片粘接区长度的限制； 一一修改了标准中对“毛刺”的要求（见4.3.1）：原标准中规定了垂直毛刺和水平毛刺都不超过 0.025mm，本标准对垂直毛刺和水平毛刺分别进行了规定； 修改了标准中对“凹坑、压痕和划痕”的要求（见4.3.2）：在原标准的基础上增加划痕的有关 要求； 修改了标准中对“局部镀银层厚度”的要求（见4.4.1）：原标准仅规定了局部镀银层的厚度，本 标准对局部镀银层厚度及任意点分别进行了规定； 一增加了“铜剥离试验”的有关要求（见4.6）； I GB/T158762015 一增加了“银剥离试验”的有关要求（见4.7）； 一对标准“5检验规则”中相应条款进行修改，参照GB/T14112一2015检验规则，并增加了鉴定 批准程序和质量一致性检验的有关内容； 修改了标准中对“贮存”的有关要求：原标准有镀层的保存期为3个月，本标准规定为6个月 (见 7.2); 增加了规范性附录A“引线框架机械测量”。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78)归口。 本标准起草单位：厦门永红科技有限公司。 本标准主要起草人：林桂贤、陈仲贤、洪玉云。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T15876—1995。 IV GB/T15876—2015 半导体集成电路 塑料四面引线扁平封装引线框架规范 1范围 本标准规定了半导体集成电路塑料四面引线扁平封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及 检验规则， 本标准适用于半导体集成电路塑料四面引线扁平封装冲制型引线框架。塑料四面引线扁平封装刻 蚀引线框架也可参照使用。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T2423.60一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验U：引出端及整体安 装件强度 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样 计划 GB/T 7092 半导体集成电路外形尺寸 GB/T14112一2015半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范 GB/T14113半导体集成电路封装术语 SJ20129金属镀覆层厚度测量方法 3术语和定义 GB/T14112一2015和GB/T14113中界定的术语和定义适用于本文件。 4技术要求 4.1 引线框架的尺寸 引线框架的尺寸应符合GB/T7092的有关规定，并符合引线框架设计图纸的要求。 4.2 引线框架形状和位置公差 4.2.1侧弯 侧弯在整个标称长度上不超过0.05mm，测试方法按照GB/T14112一2015中附录A的规定。 4.2.2卷曲 材料厚度不大于0.152mm时，卷曲为材料厚度的2.5倍；材料厚度大于0.152mm时，卷曲为材料 厚度的2倍，测试方法按照GB/T14112—2015中附录A的规定。 1