ICS 31.030 L 90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T14620—2013 代替GB/T14620—1993 薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 Alumina ceramic substrates for thin film integrated circuits 2013-11-12发布 2014-04-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T14620—2013 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T14620—1993《薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片》，与GB/T14620—1993相比， 主要变化如下： 增加了术语和产品标识（见第3章和第4章）； 增加了对标称氧化铝含量不能小于实际含量的要求（见4.3）； 细化了划线前后可能对基片外形尺寸造成影响的指标（见5.2.2）： 一增加了对基片直线度的要求（见表2）； 一区分烧结和抛光基片（见表1和表5）； 对基片翘曲度的测试进行了详细说明（见附录A）。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出 本标准由中国电子技术标准化研究院归口。 本标准起草单位：中国电子技术标准化研究院。 本标准主要起草人：曹易、李晓英 本标准所代替标准的历次版本发布情况： GB/T14620—1993。 I GB/T14620—2013 薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 1范围 本标准规定了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和 贮存。 本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片（以下简称“基片”）的生产和采购，采用薄膜工艺的 片式元件用氧化铝陶瓷基片也可参照使用 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1958产品儿何量技术规范（GPS）形状和位置公差检测规定 GB/T2413压电陶瓷材料体积密度测量方法 GB/T2828.1：计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 2829 周期检查计数抽样程序及抽样表（适用于生产过程稳定性的检查） GB/T 5593 电子元器件结构陶瓷材料 GB/T 5594. 3 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法平均线膨胀系数测试方法 GB/T5594.4 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法介质损耗角正切值的测试方法 GB/T 5594.5 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法 GB/T 5594.7 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法透液性测试方法 GB/T 5598 氧化铍瓷导热系数测定方法 GB/T 6062 产品几何技术规范（GPS）表面结构 轮廓法接触（触针)式仪器的标称特性 GB/T 6900 铝硅系耐火材料化学分析方法 GB/T9531.1电子陶瓷零件技术条件 GB/T14619—2013厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 GB/T16534—2009精细陶瓷室温硬度试验方法 GJB548B—2005 微电子器件试验方法和程序 GJB1201.11991 固体材料高温热扩散率测试方法激光脉冲法 SAG 3术语和定义 GB/T14619一2013界定的术语和定义适用于本文件。 4标识及代号 4.1通则 基片用五组带下划线的符号（字母或数字）标识，各组数字之间用短横线隔开，标识示例如下： 1 GB/T14620—2013 A 996 020 基片表面粗糙度（见4.6） 基片外形尺寸公差范围（见4.5） 基片标称厚度（见4.4） 基片氧化铝含量（见4.3） 基片材质代号（见4.2） 注：如供需双方商定产品允许偏差不属于表2规定的级，可用“X"标识。 4.2基片材质 氧化铝制基片用字母“A”表示。 4.3氧化铝含量 基片的标称氧化铝含量用3位数表示。第一个数字表示十位，第二个数字表示个位，第三位表示小 数点后第一位。如小数点后第一位数值为零，可省略。例如，996表示基片的标称氧化铝质量分数为 99.6%（见表5）。标识中的氧化铝含量不应低于实际含量值。 4.4基片标称厚度 基片标称厚度用3位数表示，第一个数字表示毫米，第二个数字表示十分之一毫米，第三个数字表 示百分之一毫米。例如.020表示基片的标称厚度为0.20mm（见表1）。 4.5基片外形尺寸公差范围 SAC 基片外形尺寸的公差范围用I、Ⅱ、Ⅲ表示（见表2）。 4.6基片表面粗糙度 基片表面粗糙度指基片上将要印制或沉积膜无源元件的一个工作表面的粗糙度。粗糙度用2位数 表示，第一个数字表示十分之一微米，第二个数字表示百分之一微米。例如，15表示基片的表面粗糙 度Ra为0.15μm。如对基片的两个表面的表面质量都有要求，则基片标识由供需双方商定。 5要求 5.1外观 除非另有规定，基片应是白色质密的固体。外观应符合表1的规定 表 1外观 项目 典型示例 烧结态 抛光或覆釉 测试方法章条号 裂纹” 不允许存在 不允许存在 6.5.8 2 GB/T14620—2013 表1 (续) 项目 典型示例 烧结态 抛光或覆釉 测试方法章条号 瓷疱 不允许存在 不允许存在 凸脊 不允许存在 不允许存在 低于0.01mm 毛刺 直径小于0.2mm 不允许存在 （允许1个/cm²） 6.5.8 浅于0.01mm 划痕 长度小于6mm 不允许存在 （允许1个/cm²） 伸人工作表面深度（e）应 小于0.2mm； 伸入工作表面深度 缺损 缺损深度应小于基片厚 （）应小于0.2mm 度一半（允许1个/cm²） 凹坑 凹坑直径应小于0.254mm 不允许存在 针孔 不允许存在 斑点 不允许存在 激光划片后，允许分切片存在不大于0.127mm且不影响电路的裂纹。 5.2结构尺寸和偏差 5.2.1基片标称厚度和外形尺寸的公差范围 基片的标称厚度应符合表2的规定。除非另有规定，基片外形尺寸的允许公差应符合表2的要求。 3