说明:收录25万 73个行业的国家标准 支持批量下载
UDC_621.382 L 55 中华人民共和国国家标准 GB/T 14031--92 半导体集成电路模拟锁相环 测试方法的基本原理 General principles of measuring methods of analogue phase-loop for semiconductor integrated circuits 1992-12-18发布 1993-08-01实施 国家技术监督局 发布 中华人民共和国国家标准 半导体集成电路模拟锁相环 GB/T 14031—92 测试方法的基本原理 General principles of measuring methods of analogue phase-loop for semiconductor integrated circuits 本标准规定了半导体集成电路模拟锁相环(以下简称器件或模拟锁相环)电参数测试方法的基本原 理。 模拟锁相环与数字电路相同的静态和动态参数测试可参照GB3439《半导体集成电路TTL电路测 试方法的基本原理》。 模拟锁相环与运算放大器相同的静态和动态参数测试可参照GB3442《半导体集成电路运算(电 SZIC 压)放大器测试方法的基本原理》。 1总要求 1.1若无特殊说明,测试期间,环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合详细规范的规定, 1.2测试期间,应避免外界干扰对测试精度的影响,测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的 规定。 1.3测试期间,施于被测器件的电参的精度应符合器件详细规范的规定, 1.4被测器件与测试系统连接或断开时,不应超过器件的使用极限条件。 1.5若有要求时,应按器件详细规范规定的顺序接通电源。 1.6测试期间,被测器件应按器件详细规范的规定连接外围网络。锁相环处于闭环状态。 1.7测试期间,被测器件应避免出现自激现象。 1.8若电参数值是由几步测试的结果经计算确定的,这些测试的时间间隔应尽可能短。 2参数测试 2.1跟踪输入电压V(TRA) 2.1.1目的 在规定中心频率和规定频偏下,测试锁相环保持跟踪的最小输入电压。 2.1.2测试原理 锁相环接成闭环,跟踪输入电压的测试原理图如图1所承。 国家技术监督局19.92-12-18批准 1993-08-01实施 I GB/T 14031 ---92 电源 被测器件 数字懒率 示波器 FM 计 定频元件 外圈网络 图 1 2.1.3测试条件 测试期间,下列测试条件应符合被测器件详细规范的规定。 环境温度; a. b. 电源电压 c. 外围网络; d. 压控振荡器外接定频电阻、定频电容。 2.1.4测试程序 2.1.4.1将被测器件接入测试系统。 2.1.4.2接通电源。 2. 1. 4. 3 调节调频信号发生器的输出,使交流电压表指示为零,调节压控振荡器外接定频电阻或定频 电容,使其中心频率在规定值f。上。 2.1.4.4调节调频信号发生器输出正弦调频波按式(1)计算: f = f。+ Afssin(2xymt)(Hz) (1) 式中f。—中心频率; Af。规定频偏; f.调制信号频率。 2.1.4.5调节调频信号发生器的输出幅度,使锁相环进入跟踪(锁定)状态。用示波器在解调输出端观 察跟踪情况,调节调频信号发生器的输出幅度、使其由大到小连续缓慢变化,当环路失锁的一瞬间,交流 电压表指示的电压值,即为跟踪输入电压。 2.2中心频率最大值fom 2.2. 1 目的 在无调频信号输入,压控振荡器输出波形的静态参数和动态参数均在规范值时,测试压控振荡器中 心频率的最大值。 2.2.2测试原理 ,锁相环接成闭环,无调频信号输入,使压控振荡器的控制电压恒定,压控振荡器处于中心频率工作 状态,中心频率最大值的测试原理如图2所示。 2 GB/T 14031—92 电源 数 示 被测器件 字顺 波 率 计 器 上 定频元件 外围网络 图 2 2.2.3测试条件 测试期间,下列测试条件应符合被测器件详细规范的规定。 a. 环境温度; b. 电源电压: 外围网络; c. d. 压控振荡器外接定频电阻、定频电容。 2.2.4测试程序 2.2.4.1将被测器件接入测试系统。 2.2.4.2接通电源。 2.2.4.3调节压控振荡器的定额电阻、定频电容,使压控振荡器频率由低到高变化,同时监视压控振荡 器的输出波形,其输出电平,响应时间,占空系数均在规范值内。此时,压控振荡器能达到的最高频率即 是中心频率最大值。 2.3中心频率偏差△f 2.3.1目的 测试压控振荡器中心频率与设计值的相对偏离。 2.3.2测试原理 中心频率偏离测试原理图如图3所示。 GB/T 14031--92 电源 数 示 被测器件 字 频 波 率 器 计 定频元件 外围网络 图 3 2.3.3测试条件 测试期间,下列测试条件应符合被测器件详细规范的规定。 a. 环境温度; b. 电源电压; 外围网络; 压控振荡器外接定频电阻、定频电容。 2.3.4测试程序 2.3.4.1将被测器件接入测试系统。 2.3.4.2 接通电源。 2.3.4.3 用数字频率计读出实际频率值f。 2.3.4.4 按式(2)计算中心频率偏差: Af。= ×100% .(2 ) 式中f—实测频率; f。中心频率设计值。 2.4中心频率温度系数αf。 2.4.1目的 在规定工作温度范围内,测试单位温度变化所引起的压控振荡器中心频率的相对变化。 2.4.2测试原理 中心频率温度系数测试原理图如图4所示。将被测器件置于恒温系统中。

pdf文档 GB-T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理

文档预览
中文文档 16 页 50 下载 1000 浏览 0 评论 0 收藏 3.0分
温馨提示:本文档共16页,可预览 3 页,如浏览全部内容或当前文档出现乱码,可开通会员下载原始文档
GB-T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理 第 1 页 GB-T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理 第 2 页 GB-T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理 第 3 页
下载文档到电脑,方便使用
本文档由 思安 于 2023-02-20 11:59:29上传分享
友情链接
站内资源均来自网友分享或网络收集整理,若无意中侵犯到您的权利,敬请联系我们微信(点击查看客服),我们将及时删除相关资源。