ICS 31.200 L 56 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 14112—2015 代替GB/T14112—1993 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 Semiconductor integrated circuits- Specification for stamped leadframes of plastic DIP 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 14112—2015 目 次 前言 范围 1 规范性引用文件 2 术语和定义 3 技术要求 4 4.1 引线框架尺寸 4.2 引线框架形状和位置公差 4.3引线框架外观 4.4 引线框架镀层 4.5 引线框架外引线强度 4.6 铜剥离试验 4.7 银剥离试验 5 检验规则 5.1 检验批的构成 5.2 鉴定批准程序 质量一致性检验 6订货资料 7标志、包装、运输、贮存· 7.1标志、包装 7.2运输、贮存 附录A（规范性附录）引线框架机械测量 附录B（规范性附录）引线框架高温和机械试验 16 附录C（资料性附录）批允许不合格率（LTPD)抽样方案 18 GB/T14112—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T14112一1993《半导体集成电路塑封双列封装冲制型引线框架规范》。 本标准与GB/T14112一1993相比主要变化如下： 关于规范性引用文件：增加引导语；抽样标准由GB/T2828.1一2012代替IEC410；增加引用 文件GB/T2423.60—2008、SJ20129； 一增加术语和定义，并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义； 一标准“4.2引线框架形状和位置公差”中，增加了芯片粘接区平面度、引线框架内部位置公差的 有关要求； 5—一修改了标准中对"侧弯”的要求（见4.2.1）：原标准仅规定了侧弯小于0.05mm/150mm，本标 准在整个标称长度上进行规定； 修改了标准中对卷曲”的要求（见4.2.2）：原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm/150mm， 本标准根据材料的厚度进行规定； 准将框架扭曲修改为条带扭曲，并根据材料的厚度进行规定； 一修改了标准中对“引线扭曲”的要求（见4.2.5）：原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端 点的最大扭曲值，本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定； 修改了标准中对“精压深度”的要求（见4.2.6）：在原标准的基础上，增加了最大精压深度与最 小引线间距的相关要求； 一修改了标准中对“绝缘间隙”的要求（见4.2.7）：原标准中规定的绝缘间隙为0.15mm，本标准 修改为0.1mm; 修改了标准中对“精压区共面性”的要求（见4.2.8）：原标准中规定了引线框架条宽大于 50.8mm，精压区共面性为士0.25mm，本标准修改为士0.2mm； 修改了标准中对“芯片粘接区斜度”的要求（见4.2.9）：原标准中分别规定了受压和不受压情况 下的斜度，本标准统一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm； 对标准的“4.3引线框架外观”中相应条款进行了调整，原标准对引线框架外观要求按“功能 区、其他区域”分别表示；本标准按“毛刺，凹坑、压痕和划痕”分别描述，并对原标准中“划痕”的 要求适当加严，即在任何区域内“划痕”均不得超过1个； 一修改了标准中对"局部镀银”的要求（见4.4.1.2）：原标准中规定镀银层厚度不小于3.5μm（平 均值），本标准修改为不小于3μm； 修改了标准中对“镀层外观”的要求（见4.4.2）：在原标准的基础上，增加了对镀层外观的相关 要求； 一增加了“铜剥离试验”的有关要求（见4.6）； 一增加了“银剥离试验”的有关要求（见4.7） 修改了标准中对“检验要求”的要求：修改了原标准中Ala、A1b、A2分组的检测水平及AQL， 一 并对A1a、A1b，B2a、B2b分组进行合并；原标准中B组采用LTPD抽样方案，本标准将B1、 B2、B3修改为AQL抽样方案，并增加C3、C4检验的抽样要求 一一修改了标准中对“贮存”的有关要求：原标准镀银引线框架保存期为三个月，本标准规定为6个 月（见7.2）。 I GB/T141122015 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 本标准起草单位：厦门永红科技有限公司。 本标准主要起草人：林桂贤、王锋涛、洪玉云。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T 14112—1993。 IV GB/T 14112—2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 1范围 本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及检 验规则。 本标准适用于双列（DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.60一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验U：引出端及整体安 装件强度 GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样 计划 GB/T7092半导体集成电路外形尺寸 GB/T14113半导体集成电路封装术语 SJ20129金属镀覆层厚度测量方法 3术语和定义 GB/T14113中界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 标称长度 nominal length 引线框架图纸上规定的条长。 3.2 精压区共面性 Ea total area of precision pressure 引线框架内引线端部精压区域相对于基准高度的高度差。 3.3 芯片粘接区下陷 chipbondingareasubsidence 引线框架芯片粘接区受压下陷的程度，即为芯片粘接区与未受压前的高度差，俗称打凹或打弯 深度。 4技术要求 4.1引线框架尺寸 引线框架的尺寸应符合GB/T7092的有关规定，并符合引线框架设计图纸的要求。 1