ICS 29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30656—2014 碳化硅单晶抛光片 Polished monocrystalline silicon carbide wafers 2014-12-31发布 2015-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30656—2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。 本标准主要起草人：陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘春俊、刘振洲， I GB/T30656—2014 碳化硅单晶抛光片 1范围 质量证明书及订货单（或合同)内容 主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 13387 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T 29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T31351 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 DIN 50448 3半导体工艺材料试验使用电容式探测器对半绝缘半导电切片电阻率的非接触测定 (Testing of materials for semiconductor technology-Contactless determination of the electrical resis- tivity of semi-insulating semi-conductor slices using a capacitive probe) 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 六方空洞hexagonalvoid 独立于晶片单晶区的具有六角形特征的空洞。 3.2 微管micropipe 1H或6H碳化硅单晶抛光片中沿c轴方向延伸且径向尺寸在一微米至几十微米范围的中空管道 3.3 多型 polytype 由同种化学成分所构成的晶体，当其晶体结构中的结构单位层相同，但结构单位层之间的堆垛顺序 1 GB/T30656—2014 或重复方式不同时，而形成的结构上不同的变体。 3.4 表面取向 surfaceorientation 为满足不同要求，晶片表面与10001)面平行或成特定的角度，用这一角度来表示晶片的表面取向， 即样品表面法线与样品轴的夹角。 3.5 正交取向偏离 orthogonal misorientation 向的夹角，定义为正交取向偏离（见图1）。 c轴, 晶片表面法向 <0001> 0001)面上 偏角 最迟的 <1120>方向 正交取向偏离 品面法闷在 (0001)面的投影 10001面 图1晶片正交取向偏离示意图 4要求 4.1 总则 碳化硅单晶抛光片的技术参数是指在固定优质区内的要求，且边缘去除区应符合表1的规定。 表1 边缘去除区 单位为毫米 直径 边缘去除区 50.8 1 76.2 2 100 3 4.2分类 4.2.1 碳化硅单晶抛光片按晶型分为4H和6H。 4.2.2 碳化硅单晶抛光片按导电能力分为导电型和半绝缘型。 4.3牌号 碳化硅单晶抛光片的牌号应符合附录A的规定。 2 SAG GB/T30656—2014 4.4规格 4.4.1 碳化硅单晶抛光片按直径分为g50.8mm、g76.2mm和g100mm。 4.4.2 碳化硅单晶抛光片按产品质量，分为工业级（简称P级）、研究级（简称R级）和试片级（简称D 级)。 4.5 几何参数 碳化硅单晶抛光片的几何参数应符合表2的规定 表 2 2几何参数 要求 序号 项目 $50.8 mm $76.2 mm $100.0 mm 直径及允许偏差/mm 50.8±0.2 76.2±0.2 1. 100.0±0.5 2 主定位边长度及允许偏差/mm 16.0±1.7 22.0±2.0 32.5±2.0 3 次定位边长度及允许偏差/mm 8.0±1.7 11.0±1.5 18.0±2.0 主定位边取向 4 平行于（1010)±5° 平行于（1010)±5° 平行于(1010)±5° （示意图见图2） 硅面：沿主定位边方向 硅面：沿主定位边方 硅面：沿主定位边方 次定位边取向 顺时针旋转90°±5° 向顺时针旋转90°±5° 向顺时针旋转90°±5° 5 （示意图见图2） 碳面：沿主定位边方 碳面：沿主定位边方 碳面：沿主定位边方 向逆时针旋转90°±5° 向逆时针旋转90°±5° 向逆时针旋转90°±5° 6 厚度及允许偏差/um 330±25 350±25 350±25 7 总厚度变化/μum ≤15 ≤15 ≤25 翘曲度/μm <25 8 35 ≤45 弯曲度（绝对值）/μm 9 ≤15 <25 ≤35 10 粗糙度（10μm×10μm）/nm <0.5 <0.5 90> 注：当客户对厚度有特殊要求时，由供需双方协商确定。 硅面 次定位边 [11 20]方向 [1100.方向 主定位边 图 2 主、次定位边示意图 3