ICS 33.180.01 M 33 GR 中华人民共和国国家标准 GB/T24366—2009 通信用光电探测器组件技术要求 Technical requirements of optoelectronic detector module for communication 2009-09-30发布 2009-12-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T24366—2009 前言 《通信用光电探测器组件》系列标准包括： 《通信用光电探测器组件测试方法》； 《通信用光电探测器组件技术要求》 本标准与GB/T24365《通信用光电探测器组件测试方法》配套使用。 额定值和特性》的第6部分和第7部分，并结合我国光通信用光探测器组件的情况而制定。 本标准在起草过程中，注意到与下列标准的协调一致： GB/T15651.2—2003《半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值 和特性》； GB/T18904.42002《半导体器件 第12-4部分：光电子器件 纤维光学系统或子系统用 带/不带尾纤的pin-FET模块空白详细规范》； GB/T18904.52003《半导体器件第12-5部分：光电子器件 纤维光学系统或子系统用 带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范标准》。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由中国通信标准会协会归口。 本标准起草单位：武汉邮电科学研究院、深圳新飞通光电子技术有限公司。 本标准主要起草人：杨现文、李世瑜、孟湘、李春芳、镇磊。 1 GB/T24366—2009 通信用光电探测器组件技术要求 1范围 本标准规定了通信用光电探测器组件的技术要求 本标准适用于数字应用光通信系统以及模拟应用光通信系统中的光电探测器组件。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T11499一2001半导体分立器件文字符号 GB/T15651.2—2003半导体分立器件和集成电路 各第5-2部分：光电子器件基本额定值和 特性 SJ/T11363一2006电子信息产品中有毒有害物质的限量要求 ITU-TG.657（2006）接入网使用的弯曲损耗不敏感的单模光纤和光缆的特性 ITU-TG.957（2006）与同步数字体系有关的设备和系统的光接口 3术语和定义、缩略语 3.1术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3.1.1 OMA加压灵敏度stressedreceiversensitivityinOMA 在规定调制速率和规定的正弦抖动加压条件下，并满足随机比特差错率要求时，光接收机在R点 （见ITU-TG.957图1)所能接收到的最小光调制幅度OMA。它考虑了在应用条件下，光接收机所具 有并允许的最坏消光比、脉冲上升和下降时间、光发射侧的光回损，连接器性能劣化和测试容差所引起 的功率代价。 3. 1.2 击穿电压breakdownvoltage 输入光功率等于零，逐渐增加APD的反向偏压，暗电流随之增大，当暗电流达到10μA（或100μA） 时所对应的反向偏压称为APD的击穿电压。 3. 1. 3 光电倍增因子multiplicationfactor APD在规定温度、光波长、光功率和反向偏压下，有培增时的光电流I与无倍增时光电流Iuo之比， 3.1.4 频响平坦度 frequency responseflatness 在某一频率范围内的响应值偏离其最佳拟合直线的最大值。 3.1.5 二阶失真 secondorderdistortion 在多频道模拟传输系统中，由于系统的非线性传输特性，多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶 项的互调失真，其中二阶项引起的互调失真称为二阶失真。 1 GB/T24366—2009 3. 1. 6 三阶失真third order distortion 在多频道模拟传输系统中，由于系统的非线性传输特性，多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶 项的互调失真，其中三阶项引起的互调失真称为三阶失真。 3.2缩略语及符号 下列缩略语和符号及GB/T11499、GB/T15651.2一2003的缩略语和符号均适用于本标准 APD AvalanchePhotoDiode 雪崩二极管 CSO Second order distortion 二阶失真 CTB Third order distortion 三阶失真 ESD Electro-Static Discharge 静电放电 NRZ Non Return to Zero 非归零 OMA Optical Modulation Amplitude 光调制幅度 ORL Optical Return Loss 光回波损耗 PD Photodiode 光电二极管 PIN P-type'-Intrinsic-"N-type' P型-本征-N型 PRBS Pseudo-Random Bit Sequence 伪随机比特序列 RoHS The Restriction of the Use of 电气、电子设备中限制使用某些有 Certain Hazardous Substances in 害物质指令 Electrical and Electronic Equipment TIA Transimpedance Amplifier 跨阻抗放大器 4分类 4.1应用类型 按照应用类型的不同，可以分为2类：数字应用光电探测器组件、模拟应用光电探测器组件 4.2光电探测器组件的管芯类型 按照光电探测器组件的管芯类型的不同，可以分为2类：PIN/TIA光电探测器组件、APD/TIA光 电探测器组件。 4.3波长 按波长的不同，可以分为2类：短波长光电探测器组件、长波长光电探测器组件 4.4光输入类型 按照光输入类型的不同，可以分为2类：可插拔光电探测器组件、尾纤光电探测器组件。 5技术要求 5.1PIN/TIA光电探测器组件 5.1.1极限工作条件 PIN/TIA光电探测器组件的极限工作条件如表1所示，除非另有规定，适用整个工作温度范围。 表1PIN/TIA光电探测器组件的极限工作条件 参数名称 符 单 位 最小值 最大值 Tat 贮存温度 -40 85 -5 75 工作管壳温度 Teas C -40 85 2 GB/T 24366—2009 表1(续) 参数名称 符 号 单 最小值 最大值 焊接温度 Tsld c 260° 相对湿度 RH % 5 95 0. 5 4. 0d Vee TIA工作电压 V 0. 5 6. 0c PIN反偏电压 VR V 0. 5 20 输人光功率 dBm 3 ESD阅值 VesD V 500f 30 尾纤最小弯曲半径 r mm 15h 尾纤最大抗拉强度 F N 9.8 a商业级要求。 b工业级要求。 ℃焊接时间小于10s。 d仅适用于TIA工作电压的典型值等于十3.30V时。 e仅适用于TIA工作电压的典型值等于十5.0V时。 f基于标准人体放电模型。 g仅适用于带尾纤的探测器组件。 h仅适用于ITU-TG.657光纤。 5. 1. 2 光电特性 PIN/TIA光电探测器组件的光电特性如表2所示。 表2PIN/TIA光电探测器组件的光电特性 要 求 特 性 符号 条 件 单 位 最小值 最大值 400 1100 光响应波长 入 nm 1260 1700 推荐使用+5V、 Ve TIA工作电压 v +3.3V系列中的一种 灵敏度（最小可探测光功 VR、入、PRBS码型、速率和误码率按 s X dBm 率) 规定.NRZ VR、入、PRBS码型、速率和误码率按 过载光功率 Psut dBm X 规定，NRZ 动态范围 D, 11.5 dB VR、入、PRBS码型、速率、误码率和 OMA加压灵敏度 7.5 dBm 所加抖动按规定，NRZ 光回波损耗 ORL 入按规定 12 dB 带宽 B 3dBVk、入和Φ按规定 X MHz 3 SAG