ICS 29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T250752010 太阳能电池用砷化单晶 Gallium arsenide single crystal for solar cell 2010-09-02发布 2011-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T25075—2010 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)归口。 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人：曾一平、赵有文、提刘旺、崔利杰、向磊、普世坤。 I GB/T25075—2010 太阳能电池用砷化单晶 1范围 本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒（以下简称砷化镓单晶棒）的分类、技术要求、检验方法和 规则以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T8760砷化镓单晶位错密度的测量方法 3要求 3.1分类 砷化镓单晶棒按导电类型分为n型和p型两种类型。 3.2规格 砷化傢单晶棒按直径分为g50.8mm、g76.2mm、g100mm、150mm四种规格。 3.3外形尺寸 砷化镓单晶棒的外形尺寸应符合表1的规定，表中未列出外形尺寸及允许偏差由供需双方协商 解决。 表1外形尺寸 单位为毫米 晶棒直径 50.8 76.2 100 150 允许偏差 ±0. 4 ±0. 4 ±0.4 ±0.4 晶棒长度 ≥40 ≥50 >50 ≥60 3.4外观 砷化镓单晶棒滚圆后的棒体表面及棒的两个截面上不允许存在超过2mm²的崩痕或崩边。 3.5电学性能 砷化镓单晶棒的电学性能应符合表2的规定。 1 GB/T25075—2010 表2电学性能 电阻率 迁移率 载流子浓度 导电类型 a. cm cm"/V. S cm-" 0.1~1X10-3 ≥1 000 5X1017~4X1018 n 0.3~15×10-2 ≥40 5×1017~5×1019 p 3.6 晶向及晶向偏离度 殊要求时由供需双方在合同中确定）。 3.7 位错密度和分布要求 砷化镓单晶棒的位错密度和位错类型和分布要求应符合表3的规定，当客户对晶体位错密度参数 和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 表3位错密度和分布要求 直径 $50. 8 $76.2 $100 $150 位错密度/（个/cm²） ≤2X10° ≤4X103 ≤1X10* ≤5X104 1）在晶棒的检测样片直径1/20的边缘内不允许出现超过1mm长的位错排或面积超过 位错类型 0.5mm的位错团。 和 2）如在晶棒检测样片直径的1/20边缘外出现上述位错排或位错团，则不允许位错排或位 分布要求 错团是向晶棒轴心方向延伸的。 4检验方法 4.1 外形尺寸 用精度0.02mm的游标卡尺进行测量。 4.2外观 用测量显微镜进行观察和测量 4.3电阻率 按GB/T4326规定的测量方法进行。 SAG 4.4迁移率 按GB/T4326规定的测量方法进行。 4.5 载流子浓度 按GB/T4326规定的测量方法进行。 2 GB/T25075—2010 4.6晶向及晶向偏差 按GB/T1555规定的测定方法进行。 4.7位错密度 按GB/T8760规定的测量方法进行。 4.8位错类型和分布 在砷化单晶棒位错密度测量合格后，按表3中的位错类型和分布要求用测量显微镜进行观察，如 在晶棒检测样片直径的1/20边缘外出现上述位错排或位错团，则需再从晶棒检测样片位置向内延伸 3mm以上再切1片，进行位错坑腐蚀并用测量显微镜观察，以判断位错排或位错团是否向晶棒轴心方 向延伸。 5检验规则 5.1检验和验收 5.1.1产品应由供方技术质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量 证明书。 5.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验。若发现产品质量不符合本标准或合同要求时， 应在收到产品之日起1个月内向供方提出，由供需双方协商解决。 5.2组批 每根砷化单晶棒构成一个批。 5.3检验项目、规则及判据 每根砷化单晶棒首先进行外形尺寸、外观的检验；然后在合格的每根砷化镓单晶棒头和尾各切一 片晶片，将砷化单晶棒头部所切晶片按照表4的规定进行电阻率、迁移率、载流子浓度和晶向的检验， 将砷化单晶棒尾部所切晶片按照表4的规定进行位错密度和位错类型及分布的检验；检验规则及合 格判据见表4。 表4检验项目、规则及判据 检验项目 要求条款号 检验方法 检验规则 允许不合格数 外形尺寸 3. 3 4. 1 1根 0 (指单晶棒） 外观 3. 4 4.2 电阻率 3块 3. 5 4.3 （指由1根晶棒头部所切晶片的 迁移率 3.5 4. 4 0 圆心点、1/2半径点和1/3半径点 载流子浓度 3. 5 4.5 上所取的3个测试样块） 1块 晶向及晶向偏离度 3. 6 4. 6 （指由进行电性能测试晶片 0 剩余的部分所取的测试样块） 位错密度 3. 7 4. 7 1片 0 3.7 4. 8 （指由1根晶棒尾部所切的1整片晶片） 位错类型和分布 3