(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211418072.9 (22)申请日 2022.11.14 (71)申请人 四川斯艾普电子科技有限公司 地址 610051 四川省成 都市成华区二环路 东二段508号1栋4单 元27楼1-16号 (72)发明人 王韧　唐涛　 (74)专利代理 机构 成都诚中致达专利代理有限 公司 51280 专利代理师 曹宇杰 (51)Int.Cl. H05K 1/02(2006.01) H05K 9/00(2006.01) H05K 7/20(2006.01) H03F 1/30(2006.01) H03F 3/195(2006.01) (54)发明名称 基于厚膜多层集成电路的电磁兼容射频系 统及实现方法 (57)摘要 基于厚膜多层集成电路的电磁兼容射频系 统及实现方法， 涉及厚膜集 成电路及射频技术领 域， 系统包括9层陶瓷介质板， 第1层设电路器件； 第2层设多个第I电源线； 第3层为空白层； 第4层 部分区域设大功率信号接地层， 其余区域设多个 散热过孔； 第5层设多个第II电源线和第I控制 线； 第6层部分区域设小功率信号接地层， 其余区 域设第III电源线； 第7层的镂空接地金属层中间 镂空区域内设射频信号传输线； 第8层设完整接 地金属层； 第9层设多个第IV电源线和第II控制 线。 将不同供电电源线和不同控制线分别布置到 不同层， 小功率地和大功率地分层交错， 并利用 小功率地所在层其他区域布线， 既能满足多层电 路电磁兼容需求， 又能实现复杂电路功能。 权利要求书3页 说明书7页 附图2页 CN 115500004 A 2022.12.20 CN 115500004 A 1.基于厚膜多层集成电路的电磁兼容射频系统， 其特征在于， 包括通过厚膜工艺集成 的9层陶瓷介质板 （1） ； 自上而下， 第1层顶面设有电路器件 （11） ， 电路器件 （11） 包括电源调制电路、 控制器电 路、 驱动电路和两个大功率开关电路， 一个大功 率开关电路连接信号输入微带线， 另一个连 接信号输出微带线， 两个之 间有两个支路， 一个支路依次连接有限幅电路、 低噪声高增益放 大器， 另一个支路依次连接有限幅电路、 低增益大动态放大器； 第2层顶面设有通过金属化过孔连接电源调制电路输出端的多个不同供电模式的第I 电源线 （21） ， 电源调制电路用于将从第1层输入的稳压电源转换成不同的电压以通过不同 的第I电源线 （21） 输送； 第3层为空白陶瓷基板层 （3） ； 第4层顶面部分区域设有大功率信号接地层 （41） ； 第5层顶面设有两个第II电源线 （52） 和两个第I控制线 （51） ， 第II电源线 （52） 一端通过 金属化过孔连接第I电源线 （21） ， 另一端分别通过金属化过孔连接大功率开关电路并为其 供电； 一个第I控制线 （51） 通过金属化过孔连接在 控制器电路与低增益大动态 放大器之间， 另一个第I控制线 （51） 通过 金属化过孔连接在控制器电路与低噪声高增益 放大器之间； 第6层顶面部分区域设有小功率信号接地层 （61） ， 其余区域设有第III电源线 （62） ， 第 III电源线 （62） 一端通过金属化过孔连接第I电源线 （21） ， 另一端通过金属化过孔连接控制 器电路和驱动电路进行 供电， 小功率信号接地层 （61） 与大功率信号接地层 （41） 交错布置； 第7层用作公共地， 顶面设有中部镂空的镂空接地金属层 （71） ， 镂空处设有射频信号传 输线 （72） ， 射频信号传输线 （72） 通过金属化过孔连接于驱动电路与信号输出端的大功 率开 关电路之间用于作为跳线； 第8层用作公共地， 顶面设有完整接地金属层 （81） ； 第9层顶面设有多个第IV电源线 （92） 和两个用于切换射频系统工作状态的第II控制线 （91） ， 第IV电源线 （92） 一端通过金属化过孔分别连接不同的第I电源线 （21） ， 另一端分别通 过金属化过孔连接各限幅电路中的开关二极管和检波二极管， 一个第II控制线 （91） 通过金 属化过孔连接于驱动电路与低噪声高增益放大器之 间， 另一个通过金属化过孔连接于驱动 电路与低增益大动态放大器之间。 2.根据权利要求1所述的基于厚膜多层集成电路的电磁兼容射频系统， 其特征在于， 第 9层穿设有连接到完整接地金属层 （81） 的金属螺钉， 金属螺钉连接外部封装金属壳体， 用于 整体接地。 3.根据权利要求1所述的基于厚膜多层集成电路的电磁兼容射频系统， 其特征在于， 第 4层其余区域设置有多个散热过孔， 散热过孔向上贯穿第3层、 第2层及第1层， 散热过孔内灌 注有铜浆， 第 1层顶面的散热过孔处， 通过金属螺钉连接到外部封装金属壳体， 用于热传导 和整体接地。 4.根据权利要求1所述的基于厚膜多层集成电路的电磁兼容射频系统， 其特征在于， 射 频信号传输线 （72） 距离镂空边 缘预定间距。 5.根据权利要求1所述的基于厚膜多层集成电路的电磁兼容射频系统， 其特征在于， 控 制器电路连接并控制信号输入端的大功率开关电路， 控制器电路连接的第I控制线 （51） 为 低噪声高增益放大器和低增益大动态放大器的电调制信号控制线， 当第I控制线 （51） 为低权　利　要　求　书 1/3 页 2 CN 115500004 A 2电平时， 信号输入端的大功率开关电路将低增 益大动态放大器所在支路开启， 低噪声高增 益放大器断电不工作， 低增益大动态放大器工作， 当第I控制线 （51） 为高电平时， 信号输入 端的大功率开关电路将低噪声高增 益放大器所在支路开启， 低噪声高增 益放大器工作， 低 增益大动态放大器断电不工作。 6.根据权利要求1所述的基于厚膜多层集成电路的电磁兼容射频系统， 其特征在于， 驱 动电路用于控制低噪声高增益放大器和低增益大动态放大器的输出， 及信号输出端的大功 率开关电路 的支路切换， 当第II控制 线 （91） 为低电平时， 信号输出端的大功率开关电路切 换到低噪声高增益放大器所在支路并为导通状态， 系统工作在低噪声高增益状态， 当第II 控制线 （91） 为高电平时， 信号输出端的大功 率开关电路切换到低增益大动态 放大器所在支 路并为导通状态， 系统工作在低增益大动态状态。 7.基于厚膜多层集成电路的电磁兼容 射频系统的实现方法， 其特 征在于， 包括 步骤： S10、 在一陶瓷介质板 （1） 上 印刷多个第IV电源线 （92） 和两个用于切换射频系统工作状 态的第II控制线 （91） ； S11、 继续在 上方设置一层陶瓷介质板 （1） ， 在 该层顶面印刷完整接地金属层 （81） ， 并加 工出金属化过孔； S12、 继续在上方设置一层陶瓷介质板 （1） ， 在该层顶面印刷中部镂空的镂空接地金属 层 （71） ， 镂空 处印刷射频信号传输线 （72） ， 并加工出 金属化过孔； S13、 继续在上方设置一层陶瓷介质板 （1） ， 在该层顶面部分区域印刷小功率信号接地 层 （61） ， 其 余区域印刷第I II电源线 （62） ， 并加工出 金属化过孔； S14、 继续在上方设置一层陶瓷介质板 （1） ， 在该层顶面印刷两个第II电源线 （52） 和两 个第I控制线 （51） ， 并加工出 金属化过孔； S15、 继续在上方设置一层陶瓷介质板 （1） ， 在该层顶面部分区域印刷有大功率信号接 地层 （41） ， 并加工出 金属化过孔； S16、 继续在上 方设置一层陶瓷介质板 （1） ， 并加工出 金属化过孔； S17、 继续在上方设置一层陶瓷介质板 （1） ， 在该层顶面印刷第I电源线 （21） ， 并加工出 金属化过孔； S18、 继续在 上方设置一层陶瓷介质板 （1） ， 在 该层顶面设置电路器件 （11） ， 并加工金属 化过孔； 电路器件 （11） 包括电源调制电路、 控制器电路、 驱动电路和 两个大功率开关电路， 一个大功率开关电路连接信号输入微带线， 另一个连接信号输出微带线， 两个之间有两个 支路， 一个支路依次连接有限幅电路、 低噪声高增益放大器， 另一个依次连接有限幅电路、 低增益大动态放大器； S19、 通过厚膜工艺烧制 上述9层陶瓷介质板 （1） ， 使第I电源线 （21） 一端通过金属化过 孔导通连接电源调制电路输出端， 电源调制电路用于将从最顶层输入的稳压电源转换成不 同的电压以通过不同的第I电源线 （21） 输送， 第I电源线 （21） 另一端分别通过金属化过孔导 通连接第II电源线 （52） 一端、 第III电源线 （62） 一端、 第IV电源线 （92） 一端， 使第II电源线 （52） 另一端分别通过金属化过孔导通连接大功率开关电路并为其供电， 使第III电源线 （62） 另一端通过金属化过孔导通连接控制器电路和驱动电路并进行供电， 使第IV电源线 （92） 另一端分别通过金属化过孔导通连接各限幅电路中的开关二极管和检波二极管； 并使 一个第I控制线 （51） 通过金属化过孔导通连接在控制器电路与低增益大动态放大器之间，权　利　要　求　书 2/3 页 3 CN 115500004 A 3