ICS 29.045 H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T16595—2019 代替GB/T16595—1996 晶片通用网格规范 Specification for a universal wafer grid 2020-02-01实施 2019-03-25发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T16595—2019 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T16595—1996《晶片通用网格规范》。与GB/T16595—1996相比，除编辑性修改 外主要技术变化如下： 一增加了适用范围“本标准适用于标称直径100mm～200mm的硅片，也适用于其他半导体材 料晶片”（见第1章）； 将第1章范围中的部分内容列入“5网格的应用”（见第5章，1996年版的第1章）； 一删除了规范性引用文件中的GB/T1554、YS/T209、SEMIM1,SEMIM2、SEMIM11，增加了 GB/T30453（见第2章，1996年版的第2章）； 允许偏差和倒角。通常选择网格外径为合格质量区的直径，其中合格质量区的半径比晶片的 标称半径小3mm或4mm，对应的网格圆直径见表2”（见4.1.2，1996年版的4.1.2）； 一增加了针对直径150mm和200mm晶片，合格质量区半径比晶片标称半径小4mm的网格 圆直径（见表2）； 一将4.4带副参考面的晶片的内容修改为“当使用半径比晶片标称半径小3mm的合格质量区 时，网格都不会超过晶片副参考面区域的边缘，因此该网格忽略副参考面”（见4.4，1996年版 的4.4)； 增加了“5网格的应用”（见第5章）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位：浙江海纳半导体有限公司、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公司、 浙江省硅材料质量检验中心、上海合晶硅材料有限公司。 本标准主要起草人：潘金平、饶伟星、杨素心、卢立延、楼春兰、徐新华、吴雄杰、高海军、王伟棱、 郑欢欣、余俊军。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T16595—1996。 1 GB/T16595—2019 晶片通用网格规范 1范围 本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形 本标准适用于标称直径100mm～200mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T 14139 硅外延片 GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T30453 硅材料原生缺陷图谱 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4网格单元布局 4.1网格单元平面图 4.1.1网格以晶片中心定位，规定两种网格：一种用于不带主参考面的晶片（即晶片的主定位基准是切 口），另一种用于带主参考面的晶片。网格由18个同心圆分割，根据每个圆的直径确定所包含的径向分 割单元数，由各个圆面积确定同心圆的相对直径，用网格外径乘以对应的相对直径，可求出任一圆的实 际直径。具体见表1。 表1网格单元平面图信息 分割单元数 分割线夹角 分割单元总数 圆序号 所包含面积比 相对直径 () n N 01 4 90.0 4 0.004 0.0632 02 8 45.0 12 0.012 0.1095 03 16 22.5 28 0.028 0.167 3 04 24 15.0 52 0.052 0.2280 05 30 12.0 82 0.082 0.2864 1 GB/T16595—2019 表1(续) 分割单元数 分割线夹角 分割单元总数 圆序号 所包含面积比 相对直径 n (°) N 06 36 10.0 118 0.118 0.3435 07 40 9.0 158 0.158 0.3975 80 48 7.5 206 0.206 0.453 9 09 50 7.2 256 0.256 0.5060 10 60 6.0 316 0.316 0.5621 11 72 5.0 388 0.388 0.6229 12 72 5.0 460 0.460 0.678 2 13 80 4.5 540 0.540 0.734 8 14 80 4.5 620 0.620 0.787 4 15 06 4.0 710 0.710 0.842 6 16 90 4.0 800 0.800 0.8944 17 100 3.6 006 0.900 0.9487 18 100 3.6 1000 1.000 1.000 0 4.1.2 网格外径的选择应考虑到晶片的边缘去除、直径允许偏差和倒角。通常选择网格外径为合格质 量区的直径，其中合格质量区的半径比晶片的标称半径小3mm或4mm，对应的网格圆直径见表2 表2 合格质量区半径比晶片标称半径小3mm或4mm的晶片网格圆直径 网格圆直径 mm 标称边缘去除 标称边缘去除 圆序号 相对直径 EE=3 mm EE=4 mm 晶片标称直径 晶片标称直径 晶片标称直径 晶片标称直径 晶片标称直径 晶片标称直径 100 mm 125 mm 150 mm 200mm 150mm 200 mm 01 0.063 2 5.94 7.52 9.10 12.26 8.97 12.13 02 0.109 5 10.29 13.03 15.77 21.24 15.55 21.02 0.1673 15.73 19.91 24.09 32.46 03 23.76 32.12 04 0.228 8 21.43 27.13 32.83 44.23 32.38 43.78 05 0.2864 26.92 34.08 41,24 55.56 40.67 54.99 06 0.3435 32.29 40.88 49.46 66.64 48.78 65.95 07 0.3975 37.37 47.30 57.24 77.12 56.45 76.32 08 0.453.9 42.67 54.01 65.36 88.06 64.45 87.15 60 0.5060 47.56 60.21 72.86 98.16 71.85 97.15 10 0.5621 52.84 66.9 8.94 109.05 79.82 107.92 11 0.6229 58.55 74.13 89.70 120.84 88.45 119.60 2 GB/T16595—2019 表2（续） 网格圆直径 mm 标称边缘去除 标称边缘去除 圆序号 相对直径 EE=4 mm EE=3 mm 晶片标称直径 晶片标称直径」晶片标称直径 晶片标称直径 晶片标称直径 晶片标称直径 100mm 125mm 150mm 200mm 150mm 200mm 12 0.6782 63.75 80.71 97.66 131.57 96.30 130.32 13 0.7348 69.07 87.44 105.81 142.55 104.34 141.08 14 0.7874 74.02 93.70 113.39 152.76 111.81 151.18 15 0.842 6 79.20 100.27 121.33 163.46 119.65 161.78 16 0.894 4 84.07 106.43 128.79 173.51 127.00 171.72 17 0.9487 89.18 112.90 136.61 184.05 134.72 182.15 1.000 0 94.00 119.00 144.00 194.00 142.00 192.00 4.1.3 按照圆序号和该序号圆的最外面圆环上的分割单元序号标记各个网格单元。圆从中心向外编 号，中心圆为01号，最外面的圆为18号，即圆序号为（01～18）；把主定位基准（参考面或切口）放在网格 的底部，分割单元序号由该序号圆对应的最外面圆环上的网格沿水平线逆时针编号，以第一象限水平线 起始的分割单元为01号，最后一个分割单元为n，即分割单元序号为（01～n）。由逗号分开圆序号和分 割单元序号，给出一个网格单元的位置，如单元（18，01）和（18，100）的标记见图1。 单元(18：01) 单元（18：100） 图1不带主参考面晶片的网格图 4.2不带主参考面的晶片 4.2.1不带主参考面晶片的网格图如图1所示。该网格图由表1规定的相对直径作同心圆和径向分割 3