ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T 25076—2018 代替GB/T25076—2010 太阳能电池用硅单晶 Monocrystalline silicon for solar cell 2018-09-17发布 2019-06-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T25076—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T25076—2010《太阳电池用硅单晶》，与GB/T25076—2010相比主要技术变化如下： 将标准名称《太阳电池用硅单晶》修改为《太阳能电池用硅单晶》； 一修改了适用范围，将“适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶”改为“适用于直拉掺 杂制备的圆形硅单晶经加工成的准方形或方形硅单晶。产品用于切割成硅片后进一步制作地 面太阳能电池”（见第1章，2010年版的第1章）； 增加了引用文件GB/T1551、GB/T14844,GB/T26068、GB/T32651及YS/T28、YS/T679，删 除了GB/T1552、GB/T1553、SEMIMF1535（见第2章）； 增加了牌号的规定（见4.1)； 将2010年版中第4章技术分类中的4.1分类和4.2规格单独列为一章，即增加了“第4章牌号 及分类”；将按外形分类由原来的圆形和准方形（2010年版的4.1)改为准方形和方形；删除了 圆形硅单晶规格，增加了方形硅单晶的规格（见4.1、4.2）； （见图1和表1，2010年版的图1和表2），增加了方形硅单晶的端面尺寸要求（见图2和表2）； 将垂直度单列为一条，并增加了“准方形或方形硅单晶的端面垂直度应不大于1mm的要求 （见5.1.3)； 一电阻率范围下限由0.52·cm改为P型0.22·cm、N型0.12cm（见表3,2010年版的表3)； 一修改了硅单晶的间隙氧含量要求，由小于1.3×1018atoms/cm改为P型应不大于1.1× 10l8atoms/cm，N型应不大于1.0×1018atoms/cm，或由供需双方协商确定（见5.4，2010年版的 4.6); 修改了硅单晶的代位碳含量要求，由不大于1.0×1017atoms/cm改为P型应不大于1.0× 1017atomscm²，N型应不大于5.0X101%atoms/cm或由供需双方协商确定（见5.5，2010年 版的4.7）； 晶体完整性中增加了无滑移位错的要求（见5.6）； 一增加了硅单晶的体金属含量的要求（见5.7)； 一增加了表面质量的要求（见5.8）； 一增加了体金属和表面质量的试验方法、检验项目及检验结果判定的内容（见6.10、6.11、7.3、 7.4、7.5.3); 将取样和抽样合并改为表格的形式（见表4，2010年版的6.4和6.5）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、隆基绿能科技股份有限 本标准主要起草人：孙燕、张果虎、楼春兰、杨素心、刘培东、宫龙飞、邓浩、李建弘、李洋、蒋建国、 张鹏。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T25076—2010。 1 GB/T25076—2018 太阳能电池用硅单晶 1范围 本标准规定了太阳能电池用硅单晶（简称硅单晶）的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标 志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容 本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片 后进一步制作太阳能电池 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T32651 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法 SYS/T 28 硅片包装 YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4牌号及分类 4.1牌号 硅单晶的牌号表示按GB/T14844的规定。 4.2分类 4.2.1硅单晶按导电类型分为P型、N型两种。 1 GB/T25076—2018 4.2.2硅单晶按照外形尺寸分为准方形和方形两种。准方形硅单晶按其端面边长分为100.75mm、 125.75mm、156、156Ⅱ、156Ⅲ、161.75mm、210.75mm；方形硅单晶按其端面边长分为100.75mm、 125.75mm、156.75mm、210.75mm；其他尺寸规格可由供需双方协商确定。 5 要求 5.1外形尺寸 5.1.1准方形硅单晶 准方形硅单晶的端面如图1所示，端面尺寸应符合表1的规定 说明： 一边长； A 一弦长； C D 直径； F 弧线在边长A上的投影。 图 1 准方形硅单晶的端面示意图 表 1 准方形硅单晶的端面尺寸 单位为毫米 尺寸 标称尺寸 边长A 直径D 100.75 100.75±0.25 126±0.25 125.75 125.75±0.25 151±0.25 1561 156.00±0.25 200±0.25 156 II 156.75±0.25 205±0.25 156 II 156.75±0.25 210±0.25 161.75 161.75±0.25 211±0.25 210.75 210.75±0.25 291±0.25 2 GB/T 25076—2018 5.1.2方形硅单晶 方形硅单晶的端面如图2所示，端面尺寸应符合表2的规定。 A 说明： A 一边长； C 倒角后边长； E 倒角后的对角线长度； G 对角线长度； H 倒角长度； 倒角角度。 a 图 2 方形硅单晶的端面示意图 表2 方形硅单晶的端面尺寸 单位为毫米 尺寸 标称尺寸 边长A 对角线长度G 倒角长度H 100.75 100.75±0.25 142.4±0.5 1.25±0.75 125.75 125.75±0.25 177.8±0.5 1.25±0.75 156.75 156.75±0.25 221.6±0.5 1.25±0.75 210.75 210.75±0.25 298.0±0.5 1.25±0.75 5.1.3 垂直度 5.2电学性能 硅单晶的导电类型、电阻率、径向电阻率变化及载流子复合寿命应符合表3的规定。需方如对电阻 率、径向电阻率变化以及载流子复合寿命有其他要求时，由供需双方协商解决 SAG 3 GB/T25076—2018 表3日 电学性能 电阻率 径向电阻率变化 载流子复合寿命 导电类型 晶向 Q: cm % sr P <100) 0.2~6.0 ≤15 ≥10 N <100) 0.1~20.0 ≤20 ≥60 5.3 晶向及晶向偏离度 5.3.1 圆形硅单晶的晶向偏离度应不大于3° 5.3.2准方形和方形硅单晶的晶向为<100），晶向偏离度应不大于2°,边缘晶向为<100)土2° 5.4 氧含量 1.0X10l8atoms/cm，或由供需双方协商确定。 5.5碳含量 P型硅单晶的代位碳含量应不大于1.0×1017atoms/cmN型硅单晶的代位碳含量应不大于5.0X 1016atoms/cm，或由供需双方协商确定。 5.6 晶体完整性 硅单晶的位错密度应不大于3000个/cm，且无滑移位错 5.7体金属含量 硅单晶的体内铁含量及其总金属含量要求由供需双方协商确定。 5.8表面质量 硅单晶的表面及端面（包括准方形倒角面）应平整、光滑，无明显划痕、沾污、色差，不应有裂痕、缺 口，端面崩边允许总长度应不大于8mm。 6试验方法 6.1直径的测量按GB/T14140的规定进行，其他外形尺寸的测量用游标卡尺或相应精度的量具 进行。 6.2导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。 6.3电阻率的测试按GB/T1551或GB/T6616的规定进行，仲裁方法按GB/T1551的规定进行。 6.4径向电阻率变化的测试按GB/T11073的规定进行，测试点的选择方案和径向电阻率变化计算公 式的选择由供需双方协商确定。 6.5载流子复合寿命的测试按GB/T26068的规定进行或按供需双方协商确定的方法进行。 6.6晶向及晶向偏离度的测试按GB/T1555的规定进行。 6.7 间隙氧含量的测定按GB/T1557的规定进行。 6.8代位碳含量的测定按GB/T1558的规定进行。 4 SAG GB/T 25076—2018 6.9晶体完整性检验按GB/T1554进行 6.10体金属铁含量的测定按YS/T679的规定进行，体内总金属含量的测定按GB/T326