ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T 26071—2018 代替GB/T26071—2010 太阳能电池用硅单晶片 Monocrystalline silicon wafers for solar cells 2019-06-01实施 2018-09-17发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 26071—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 技术变化如下： 版的封面）； 一修改了范围中本标准适用性的描述（见第1章，2010年版的第1章）； -增加引用标准GB/T6619、GB/T14844、GB/T30859,GB/T30860、GB/T30869和YS/T28 （见第2章，2010年版的第2章）； 删除了线痕的定义（见2010年版3.1）； -增加了产品牌号的表示方法（见4.1）； 将产品分类中“按外形可分为准方形和圆形两种”修改为“按外形可分为准方形和方形两种”， 标准中删除了圆形分类及其要求，增加了方形（见4.2.2,2010年版的4.1)； 产品尺寸由“准方形硅片按其边长分为125mm×125mm、156mm×156mm"修改为"准方形 硅片按其边长分为100.75mm、125.75mm、156I156Ⅱ、156Ⅲl、161.75mm、210.75mm（见 4.2.2，2010年版的4.2)； 删除了圆形硅片的尺寸，增加了“方形硅片按其尺寸可分为100.75mm、125.75mm、 156.75mm210.75mm的要求（见4.2.2，2010年版的4.2）； 增加了理化性能，即硅片的晶体完整性、氧含量和碳含量应符合GB/T25076的规定。如有 需要，由供方提供各项检验结果”（见5.1）； 增加了硅片厚度"130土15、140士15、150±15、170士20”相对应的要求；删除了硅片厚度“220士 修改了准方形硅片尺寸的要求（见5.2.2，2010年版的4.3.2）； 增加了方形硅片尺寸的要求（见5.2.3）； 删除了“硅片的导电类型、掺杂剂、少数载流子寿命和晶体完整性应符合GB/T25076的规定” （见2010年版的4.3.3.1）； 5.3.2,2010年版的4.3.3.2)； 修改了晶向偏离度的要求（见5.4，2010年版的4.3.4）； 修改了硅片线痕深度、崩边、缺口的要求（见5.5，2010年版的4.3.5）； 修改了导电类型和晶向的检查水平（见表6，2010年版的表6）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位：浙江省硅材料质量检验中心、有研半导体材料有限公司、泰州隆基乐叶光伏科技 有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环光伏材料有限公司、宜 昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院。 本标准主要起草人：楼春兰、毛卫中、邹剑秋、汪新华、孙燕、杨素心、刘培东、宫龙飞、邓浩、李建弘、 徐博、许国华、张军。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T26071—2010。 1 GB/T26071—2018 太阳能电池用硅单晶片 1范围 本标准规定了太阳能电池用硅单晶片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、 包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容等 本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片，产品用于制作太阳能电池的衬 底片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样 计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T 25076 太阳能电池用硅单晶 GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T30859 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 GB/T30860 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 GB/T 30869 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法 YS/T 28 硅片包装 3 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件 4分类 4.1牌号 硅片牌号的表示按GB/T14844的规定进行。 1 GB/T 26071—2018 4.2分类 4.2.1硅片按导电类型分为P型、N型两种。 4.2.2硅片按外形可分为准方形和方形两种。准方形硅片按其边长分为100.75mm、125.75mm、156I、 156ll、156Ⅲ、161.75mm、210.75mm；方形硅片按其边长可分为100.75mm、125.75mm、 156.75mm、210.75mm；其他尺寸可由供需双方协商确定。 5要求 5.1理化性能 硅片的晶体完整性、氧含量和碳含量应符合GB/T25076的规定。如有需要，由供方提供各项检验 结果。 5.2外形尺寸 5.2.1 几何参数 硅片的几何参数应符合表1的规定，如需方有其他要求时，由供需双方协商确定。 表1几何参数 单位为微米 厚度及允许偏差 总厚度变化TTV 弯曲度bow 翘曲度warp 130±15 <25 ≤40 ≤40 140±15 150±15 160±15 170±20 ≤30 09V ≤50 180±20 190±20 200±20 5.2.2准方形硅片外形尺寸 准方形硅片的外形如图1所示，尺寸应符合表2的规定。需方有其他要求时，由供需双方协商 确定。 2 GB/T 26071—2018 L. 说明： A——边长; c 一弦长； D——直径； F 弧线在边长A上的投影。 图1准方形硅片外形示意图 表 2 准方形硅片尺寸 单位为毫米 尺寸 标称尺寸 边长A 直径D 100.75 100.75±0.25 126±0.25 125.75 125.75±0.25 151±0.25 156 I 156.00±0.25 200±0.25 156 II 156.75±0.25 205±0.25 156 II 156.75±0.25 210±0.25 161.75 161.75±0.25 211±0.25 210,75 210.75±0,25 291±0.25 5.2.3 方形硅片外形尺寸 方形硅片的外形如图2所示，尺寸应符合表3的规定。需方有其他要求时，由供需双方协商确定。 SAC 3 GB/T 26071—2018 1 说明： A边长； C——倒角后边长； E——倒角后的对角线长度； G——对角线长度； H——倒角长度； 一倒角角度。 图2方形硅片外形示意图 表 3 3方形硅片尺寸 单位为毫米 尺寸 标称尺寸 边长A 对角线长度G 倒角长度H 100.75 100.75±0.25 142.4±0.5 1.25±0.75 125.75 125.75±0.25 177.8±0.5 1.25±0.75 156.75 221.6±0.5 156.75±0.25 1.25±0.75 210.75 210.75±0.25 298.0±0.5 1.25±0.75 5.2.4 垂直度 硅片相邻两边长（A）之间的垂直度为90°士0.3° 5.3 电学性能 硅片的电学性能应符合表4的规定。如对电学性能有其他要求，由供需双方协商确定 表 4电学性能 电阻率 径向电阻率变化 载流子复合寿命 导电类型 晶向 a.cm % μs P (100) 0.2~6.0 ≤15 ≥10 N <100) 0.1~20.0 20 ≥60 5.4 晶向及晶向偏离度 硅片的晶向为<100），晶向偏离度应不大于2°。硅片四个边缘晶向为<100）土2° 4 GB/T 26071—2018 5.5表面质量 硅片的表面质量应符合表5的规定。 表5表面质量 项目 要求 线痕 深度不大于15μm 裂纹 无 崩边 每片不超过2个，宽小于0.5mm，径深小于0.3mm 缺口 无 孔洞 无 色差 无明显色差 6试验方法 6.1 厚度和总厚度变化的测量按GB/T6618或GB/T30869的规定进行。仲裁方法按GB/T6618的 规定进行。 6.2弯曲度的测量按GB/T6619的规定进行 6.3翘曲度的测量按GB/T6620或GB/T30859的规定进行。仲裁方法按GB/T6620的规定进行。 6.4直径的测量按GB/T14140的规定进行。 6.5除厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、直径外的外形尺寸的测量用游标卡尺或相应精度的量具 进行。 6.6导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。 6.7电阻率的测试按GB/T6616的规定进行，也可按GB/T1551的规定进行。仲裁方法按 GB/T6616的规定进行。 6.8径向电阻率变化的测试按GB/T11073的规定进行，测试点的选择方案和径