ICS29.045 CCS H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T26069—2022 代替GB/T26069—2010 硅单晶退火片 Annealedmonocrystalline silicon wafers 2022-10-01实施 2022-03-09发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T26069—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T26069—2010《硅退火片规范》，与GB/T26069—2010相比，除结构调整和编辑 性改动外，主要技术变化如下： 适用范围（见第1章，2010年版的第1章）； b) 增加了术语“退火片”“技术代”及其定义（见第3章）； 增加了65nm、45nm、32nm和22nm集成电路线宽所需的硅单晶退火片的技术规格（见第4 章)； d) 增加了退火片的基本要求应符合GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508的要 求（见5.1）； (a 更改了硅片标识、径向氧含量、厚度及充许偏差、局部光散射体等要求，删除了直径、边缘表面 条件、平整度、滑移、体微缺陷（BMD)刻蚀带深度等要求，增加了主参考面或切口晶向、边缘轮 廓、背表面状态、洁净区宽度（DZ）等要求（见第5章，2010年版的4.2）； 删除了径向电阻率变化、晶向、参考面长度、主参考面晶向、晶体完整性、直径、间隙氧含量、间 隙氧含量径向变化、边缘轮廓的测量方法（见2010年版的5.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.9、5.10和 5.15) g) 更改了厚度、总厚度变化、局部平整度的测量方法（见6.3，2010年版的5.11和5.13）； h) 更改了翘曲度的测量方法（见6.4，2010年版的5.12）； i) 增加了背表面光泽度的测量方法（见6.6）； j) 更改了表面金属含量的测试方法（见6.8，2010年版的5.17）； k) 增加了体金属（铁）含量的测试方法（见6.10）； 增加了洁净区宽度及体微缺陷密度的检验方法（见6.11)； 更改了组批方式（见7.2，2010年版的6.2）； m) n) 全检项目中增加了导电类型、几何参数、表面金属含量和氧化诱生缺陷（见7.3.1）； o) 增加了检验结果的判定（见7.5）； 更改了包装（见8.1,2010年版的7.2）； p) (b 增加了随行文件（见8.5）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、浙江众晶电子有限 公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、开化县检验检测研究院、浙江中晶科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技 本文件主要起草人：孙燕、宁永锋、楼春兰、陈锋、黄笑容、王振国、张海英、潘金平、由佰玲。 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为： 2010年首次发布为GB/T26069一2010； 本次为第一次修订。 1 GB/T26069—2022 硅单晶退火片 1范围 本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 运输、贮存、随行文件及订货单内容 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代 180nm~22nm的集成电路。 2规范性引用文件 2 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 计划 GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T12962 硅单晶 GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T29504 300mm硅单晶 GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T29508 300mm硅单晶切割片和磨削片 GB/T32280 硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法 GB/T39145 硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 YS/T28 硅片包装 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 3 术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 退火片 annealedwafer 在中性或还原气氛中进行高温退火而导致硅抛光片近表面洁净区内无晶体缺陷包括晶体原生凹 坑（COP）的硅片。 1 GB/T26069—2022 3.2 技术代 technologygeneration 在集成电路制造中特定工艺的特征尺寸，即由特定工艺决定的所能光刻或制作的最小尺寸。 注：技术代也称为技术节点 4分类 退火片按技术代分为180nm、130nm、90nm、65nm、45nm、32nm和22nm七种规格，其他规格 由供需双方协商确定。 5 技术要求 5.1 基本要求 退火片的基本要求应符合GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508及表1的规定。 除导电类型、电阻率外的基本要求指标，仅由供方提供各项检验结果。 表1 基本要求 技术代 180nm 130nm 90 nm 65nm 45 nm 32nm 22nm 生长方式 直拉法（CZ）或磁场拉晶法（MCZ） 晶向 <100> 晶向偏离度 0千。0 导电类型 p 掺杂剂 硼 晶体中共掺杂 无掺杂或由供需双方协商确定的氮或碳的共掺杂 电阻率（中心点） 供需双方协商确定 径向电阻率变化 ≤20% 氧含量 供需双方协商确定 径向氧含量变化 ≤10%（距边缘10mm） 碳含量 晶体缺陷（位错、系属结构、 无 李晶、漩涡等） 标志 选择字母数字刻字或供需双方协商确定 主参考面或切口晶向 <110>土1°或供需双方协商确定 边缘轮席 供需双方协商确定 边缘抛光 供需双方协商确定 正表面薄膜 无 外吸杂 无 背封 无 背表面状态 供需双方协商确定 抛光 2 GB/T26069—2022 表1 基本要求（续） 技术代 180nm 130 nm 90 nm 65nm 45.nm 32nm 22 nm 直径及允许偏差 200±0.20 300±0.20 300±0.20 300±0.20 300±0.20 300±0.20 300±0.20 mm 边缘去除 2 3 3 2 2 2 2 mm 退火气氛 供需双方协商确定 5.2 几何参数 退火片的几何参数应符合表2的规定，或由供需双方协商确定 表2 几何参数 技术代 180nm 130nm 90nm 65nm 45nm 32nm 22nm 725±20 厚度及允许偏差 （切口标记） 775±20 775±20 775±20 775±20 775±20 775±20 μm 或675±15 （参考面标记） 总厚度变化（TTV) ≤10 <10 ≤10 GBIR"≤3 μm 翘曲度（Warp） ≤75 001V 001V ≤100 ≤100 ≤100 ≤100 μm 局部平整度（SFQR） ≤180 ≤130 06V ≤65 <45 ≤32 ≤22 nm GBIR为总平整度。 局部区域的尺寸为26mm×32mm，局部区域的其他尺寸也可由供需双方协商。 5.3 表面质量 退火片表面应无崩边、划伤（宏观），其他表面质量应符合表3的规定，或由供需双方协商确定 表3 表面质量 技术代 180nm 130nm 90nm 65nm 45nm 32nm 22nm <115@ ≤185@ ≤185@ 185@ ≤345@ ≤345@ 总的 供需双方 ≥120nm ≥90 nm ≥90 nm ≥90 nm ≥65 nm ≥65 nm 局部光散射 （包括COP) 协商确定 LSE LSE LSE LSE LSE LSE 体（个/片） 仅COP 供需双方协商确定 划伤（微观）总长度 ≤0.25X ≤0.25× ≤0.25X ≤0.10x ≤0.10X ≤0.10X ≤0.10X 正表面 直径 直径 直径 直径 直径 直径 直径 mm 雾 无（强光灯下检查） 其他缺陷(沟槽、凹坑、 小丘、橘皮、波纹、区域 无或由供需双方协商确定 沾污等） 3 GB/T26069—2022 表3 表面质量（续） 技术代 180nm 130nm 90 nm 65nm 45nm 32 nm 22nm 光泽度 无要求 0.80（正表面光泽度的80%） 背表面 表面沾污 供需双方协商确定 其他缺陷 供需双方协商确定 注：≤115@≥120nmLSE的含义为直径≥120nm的局部光散射体合计≤115个/片。 5.4 表面金属含量 退火片正表面的金属含量应符合表4的规定，或由供需双方协商确定， 表4表面金属含量 单位为101°每平方厘米 技术代 180 nm 130 nm 90 nm 65nm 45nm 32 nm 22 nm Na ≤1.3 ≤1.3 ≤1.0 <1.0 ≤1.0 ≤1.0 ≤1.0 IV ≤1.0 《1.0 1.0 《1.0 ≤1.0 ≤1.0 ≤1.0 K ≤1.3 ≤1.3 ≤1.0 ≤1.0 ≤1.0 ≤1.0